STW88N65M5 STMicroelectronics
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 761.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW88N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 84A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 42A, 10V, Power Dissipation (Max): 450W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8825 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STW88N65M5 за ціною від 648.32 грн до 1135.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW88N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH Si 650V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STW88N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STW88N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STW88N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5 |
на замовлення 3356 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STW88N65M5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW88N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 84 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 450W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm |
на замовлення 1686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STW88N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STW88N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 84A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 450W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8825 pF @ 100 V |
на замовлення 1046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STW88N65M5 | Виробник : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 29mOhm; 84A; 450W; -55°C ~ 150°C; STW88N65M5 TSTW88N65M5 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| STW88N65M5 | Виробник : STMicroelectronics NV |
N-кан. MOSFET 650V 84A TO-247 |
на замовлення 6 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
STW88N65M5 Код товару: 55508 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
| STW88N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
STW88N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 50.5A; 450W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 50.5A Power dissipation: 450W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 29mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STW88N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 50.5A; 450W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 50.5A Power dissipation: 450W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 29mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |