STY139N65M5 STMicroelectronics
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1619.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STY139N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 130A MAX247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 65A, 10V, Power Dissipation (Max): 625W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: MAX247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 363 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STY139N65M5 за ціною від 1407.7 грн до 2462.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STY139N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
 MOSFET N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STY139N65M5 Код товару: 60140 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
| STY139N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 130A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
STY139N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 78A; 625W; MAX247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 78A Power dissipation: 625W Case: MAX247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 17mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
STY139N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 130A MAX247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 65A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: MAX247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 363 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STY139N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 78A; 625W; MAX247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 78A Power dissipation: 625W Case: MAX247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 17mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |