SUM90N03-2M2P-E3

SUM90N03-2M2P-E3 Vishay Siliconix


sum90n03.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12065 pF @ 15 V
на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+143.81 грн
1600+ 118.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUM90N03-2M2P-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12065 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SUM90N03-2M2P-E3 за ціною від 129.47 грн до 292.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SUM90N03-2M2P-E3 SUM90N03-2M2P-E3 Виробник : Vishay Siliconix sum90n03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12065 pF @ 15 V
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+238.15 грн
10+ 192.57 грн
100+ 155.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
SUM90N03-2M2P-E3 SUM90N03-2M2P-E3 Виробник : Vishay Semiconductors sum90n03.pdf MOSFET 30V 90A 250W
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+292.12 грн
10+ 242.6 грн
25+ 198.47 грн
100+ 170.21 грн
250+ 161.01 грн
500+ 151.81 грн
800+ 129.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
SUM90N03-2M2P-E3 SUM90N03-2M2P-E3
Код товару: 82556
sum90n03.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
SUM90N03-2M2P-E3 SUM90N03-2M2P-E3 Виробник : Vishay sum90n03.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
SUM90N03-2M2P-E3 Виробник : VISHAY sum90n03.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 90A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 257nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM90N03-2M2P-E3 Виробник : VISHAY sum90n03.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 90A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 257nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній