Si2300DS-T1-GE3

Si2300DS-T1-GE3 Vishay Siliconix


si2300ds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.83 грн
6000+ 8.07 грн
9000+ 7.5 грн
30000+ 6.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Si2300DS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI2300DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції Si2300DS-T1-GE3 за ціною від 7.23 грн до 32.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2300ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2300ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2300ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
461+24.83 грн
618+ 18.52 грн
624+ 18.33 грн
800+ 13.79 грн
1260+ 8.11 грн
Мінімальне замовлення: 461
Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2300ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 36070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.4 грн
13+ 21.57 грн
100+ 14.99 грн
500+ 10.99 грн
1000+ 8.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2300ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+26.85 грн
25+ 23.06 грн
100+ 16.58 грн
250+ 15.2 грн
500+ 11.38 грн
1000+ 7.23 грн
Мінімальне замовлення: 22
Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2300ds.pdf MOSFET 30V Vds 12V Vgs SOT-23
на замовлення 123462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.93 грн
13+ 23.97 грн
100+ 15.57 грн
500+ 12.2 грн
1000+ 10.36 грн
Мінімальне замовлення: 12
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010743888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2300DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+30.78 грн
29+ 26.27 грн
100+ 17.46 грн
500+ 12.71 грн
1000+ 10.97 грн
Мінімальне замовлення: 25
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI2300DS.pdf Description: VISHAY - SI2300DS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 3.6A, SOT-23-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+32.34 грн
28+ 27.08 грн
50+ 23.68 грн
100+ 18.96 грн
250+ 15.73 грн
500+ 14.02 грн
Мінімальне замовлення: 23
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3
Код товару: 72682
si2300ds.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2300ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2300ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2300ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній