Результат пошуку "T30N12" : 20
Вид перегляду :
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SCT30N120 | STMicroelectronics | MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET |
на замовлення 760 шт: термін постачання 308-317 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SCT30N120H | STMicroelectronics | MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm |
на замовлення 999 шт: термін постачання 336-345 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SCT30N120 Код товару: 167630 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IXGT30N120B3D1 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO268 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 30A Power dissipation: 300W Case: TO268 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: tube Turn-on time: 56ns Turn-off time: 471ns |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXGT30N120B3D1 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO268 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 30A Power dissipation: 300W Case: TO268 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: tube Turn-on time: 56ns Turn-off time: 471ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXGT30N120B3D1 | Littelfuse | Trans IGBT Chip 1200V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXGT30N120B3D1 | IXYS | IGBT Transistors 30 Amps 1200V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXGT30N120BD1 | IXYS | IGBT Transistors 50 Amps 1200V 3.5 V Rds |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SCT30N120 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; SiCFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 34A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 270W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SCT30N120 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; SiCFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 34A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 270W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SCT30N120 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SCT30N120 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SCT30N120D2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SCT30N120D2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SCT30N120H | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SCT30N120H | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SCT30N120H | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 42A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SCT30N120H | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 42A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R |
товар відсутній |
SCT30N120 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET
MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET
на замовлення 760 шт:
термін постачання 308-317 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1660.19 грн |
10+ | 1453.65 грн |
25+ | 1179.69 грн |
50+ | 1142.7 грн |
100+ | 1106.36 грн |
250+ | 1031.74 грн |
600+ | 949.33 грн |
SCT30N120H |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm
на замовлення 999 шт:
термін постачання 336-345 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1644.3 грн |
10+ | 1494.69 грн |
25+ | 1241.98 грн |
50+ | 1241.33 грн |
100+ | 1110.26 грн |
250+ | 1058.99 грн |
500+ | 1007.73 грн |
IXGT30N120B3D1 |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
товар відсутній
IXGT30N120B3D1 |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SCT30N120 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
товар відсутній
SCT30N120 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SCT30N120 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
товар відсутній
SCT30N120 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
товар відсутній
SCT30N120D2 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
товар відсутній
SCT30N120D2 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
товар відсутній
SCT30N120H |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SCT30N120H |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SCT30N120H |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 42A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 42A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товар відсутній
SCT30N120H |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 42A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 42A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товар відсутній