Результат пошуку "T50N12" : 6

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SCT50N120 SCT50N120 STMicroelectronics SCT50N120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 318W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 318W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2570.58 грн
3+ 2295 грн
SCT50N120 SCT50N120 STMicroelectronics SCT50N120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 318W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 318W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3084.69 грн
3+ 2859.92 грн
SCT50N120 SCT50N120 STMicroelectronics sct50n120-1850083.pdf MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 308-317 дні (днів)
1+2089.99 грн
25+ 1708.57 грн
50+ 1485.05 грн
100+ 1392.81 грн
600+ 1200.43 грн
SCT50N120 SCT50N120 STMicroelectronics 1209210774865124dm0020.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
товар відсутній
SCT50N120 STMicroelectronics 1209210774865124dm0020.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
товар відсутній
SCT50N120 SCT50N120.pdf
SCT50N120
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 318W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 318W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2570.58 грн
3+ 2295 грн
SCT50N120 SCT50N120.pdf
SCT50N120
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 318W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 318W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3084.69 грн
3+ 2859.92 грн
SCT50N120 sct50n120-1850083.pdf
SCT50N120
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 308-317 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2089.99 грн
25+ 1708.57 грн
50+ 1485.05 грн
100+ 1392.81 грн
600+ 1200.43 грн
SCT50N120 1209210774865124dm0020.pdf
SCT50N120
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
товар відсутній
SCT50N120 1209210774865124dm0020.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
товар відсутній