TC6320TG-G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V, 125pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3300+ | 88.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TC6320TG-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TC6320TG-G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 200 V, 200 V, 7 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7ohm, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, hazardous: false, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: NSOIC, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 200V, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 200V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7ohm, Dauer-Drainstrom Id: -, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 7ohm, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: -, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції TC6320TG-G за ціною від 82.81 грн до 128.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TC6320TG-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TC6320TG-G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 200 V, 200 V, 7 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7ohm Anzahl der Pins: 8Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden hazardous: false Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Produktpalette: - Bauform - Transistor: NSOIC Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds: 200V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 200V Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 200V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7ohm Dauer-Drainstrom Id: - rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 7ohm Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
TC6320TG-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V, 125pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 12941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
TC6320TG-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TC6320TG-G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 200 V, 200 V, 7 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7ohm Anzahl der Pins: 8Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden hazardous: false Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Produktpalette: - Bauform - Transistor: NSOIC Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds: 200V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 200V Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 200V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7ohm Dauer-Drainstrom Id: - rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 7ohm Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TC6320TG-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET 200V 8.0/7.0Ohm |
на замовлення 25621 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TC6320TG-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||
| TC6320TG-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
TC6320TG-G Multi channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||
 |
TC6320TG-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
TC6320TG-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
TC6320TG-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |