VS-4EGH06-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3200+ | 16.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-4EGH06-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 41 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V.
Інші пропозиції VS-4EGH06-M3/5BT за ціною від 15.52 грн до 39.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VS-4EGH06-M3/5BT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V |
на замовлення 3601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
VS-4EGH06-M3/5BT | Виробник : Vishay Semiconductors | Rectifiers 4 Amp 600 Volts Hyperfast - Low QRR |
на замовлення 6912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |