на замовлення 95 шт:
термін постачання 441-450 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5268.16 грн |
| 10+ | 4933.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VUM33-05N IXYS
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 500V; 33A; V1-B-Pack; FASTON connectors, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: diode/transistor, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 33A, Case: V1-B-Pack, Topology: buck chopper; single-phase diode bridge, Electrical mounting: FASTON connectors, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 0.12Ω, Pulsed drain current: 130A, Power dissipation: 310W, Gate charge: 0.35µC, Gate-source voltage: ±20V, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції VUM33-05N
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
VUM33-05N Код товару: 183733 |
 Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||
 |
VUM33-05N | Виробник : Littelfuse |
Bridge Rectifier Module for Power Factor Correction |
товар відсутній |
|
 |
VUM33-05N | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 500V; 33A; V1-B-Pack; FASTON connectors Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 500V Drain current: 33A Case: V1-B-Pack Topology: buck chopper; single-phase diode bridge Electrical mounting: FASTON connectors Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.12Ω Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 310W Gate charge: 0.35µC Gate-source voltage: ±20V Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
VUM33-05N | Виробник : IXYS |
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 54A V1-B Packaging: Box Package / Case: V1-B-Pack Mounting Type: Chassis Mount Diode Type: Single Phase (PFC Module) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: V1-B-Pack Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 54 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 600 V |
товар відсутній |
|
|
|
VUM33-05N | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 500V; 33A; V1-B-Pack; FASTON connectors Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 500V Drain current: 33A Case: V1-B-Pack Topology: buck chopper; single-phase diode bridge Electrical mounting: FASTON connectors Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.12Ω Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 310W Gate charge: 0.35µC Gate-source voltage: ±20V Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |