WNSC2D101200WQ WeEn Semiconductors
Виробник: WeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 490pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 295.51 грн |
| 10+ | 239.14 грн |
| 100+ | 193.47 грн |
| 500+ | 161.39 грн |
| 1000+ | 138.19 грн |
| 2000+ | 130.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WNSC2D101200WQ WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 490pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції WNSC2D101200WQ за ціною від 142.11 грн до 326.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
WNSC2D101200WQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK |
на замовлення 570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
WNSC2D101200WQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; tube Technology: SiC Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 1.88V Load current: 10A Max. forward impulse current: 72A Type of diode: Schottky rectifying кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
WNSC2D101200WQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; tube Technology: SiC Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 1.88V Load current: 10A Max. forward impulse current: 72A Type of diode: Schottky rectifying |
товар відсутній |