YJ2N65CI

YJ2N65CI YANGJIE TECHNOLOGY


Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис YJ2N65CI YANGJIE TECHNOLOGY

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 23W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 2A, Pulsed drain current: 8A, Power dissipation: 23W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4.7Ω, Mounting: THT, Gate charge: 14nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції YJ2N65CI

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
YJ2N65CI YJ2N65CI Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній