YJG80G06A YANGJIE TECHNOLOGY
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 38W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 38W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 6168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 65.25 грн |
12+ | 29.92 грн |
25+ | 26.9 грн |
40+ | 20.13 грн |
108+ | 19.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис YJG80G06A YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SPLIT GATE TRENCH, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 50A, Pulsed drain current: 320A, Power dissipation: 38W, Case: DFN5060-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 67nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції YJG80G06A за ціною від 22.84 грн до 78.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
YJG80G06A | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SPLIT GATE TRENCH Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 38W Case: DFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 67nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6168 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|