YJL03G10A YANGJIE TECHNOLOGY
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 54+ | 4.98 грн |
| 100+ | 4.32 грн |
| 250+ | 3.67 грн |
| 290+ | 3.29 грн |
| 796+ | 3.11 грн |
| 3000+ | 3.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис YJL03G10A YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1.2W; SOT23, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 3A, Pulsed drain current: 121A, Power dissipation: 1.2W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.14Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 4.3nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції YJL03G10A за ціною від 5.9 грн до 5.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
YJL03G10A | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3A Pulsed drain current: 121A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 4.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|