YJL2301D

YJL2301D Yangjie Technology


Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 P -19V -3.8A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 900000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.32 грн
15000+ 2.16 грн
30000+ 2.03 грн
60000+ 1.78 грн
120000+ 1.59 грн
300000+ 1.46 грн
600000+ 1.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис YJL2301D Yangjie Technology

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TRENCH POWER LV, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -15V, Drain current: -3A, Pulsed drain current: -15A, Power dissipation: 1W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 87mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 4.3nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 20 шт.

Інші пропозиції YJL2301D за ціною від 2.04 грн до 13.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
YJL2301D YJL2301D Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY YJL2301D.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+13.1 грн
100+ 2.92 грн
440+ 2.15 грн
1200+ 2.04 грн
Мінімальне замовлення: 20
YJL2301D YJL2301D Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY YJL2301D.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
YJL2301D Виробник : Yangjie Electronic Technology P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 999000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 6000