YJM04N10A YANGJIE TECHNOLOGY
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 3.2A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 3.2A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 10845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
55+ | 6.73 грн |
100+ | 5.91 грн |
175+ | 4.67 грн |
470+ | 4.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис YJM04N10A YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 3.2A; 2.5W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TRENCH POWER MV, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 3.2A, Pulsed drain current: 16A, Power dissipation: 2.5W, Case: SOT223, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.12Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 16nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції YJM04N10A за ціною від 5.28 грн до 8.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
YJM04N10A | Виробник : Yangjie Technology | Description: SOT-223 N 100V 4A Transistors F |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
YJM04N10A | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 3.2A; 2.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 2.5W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10845 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|