YJQ3400A YANGJIE TECHNOLOGY
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 7.89 грн |
100+ | 4.15 грн |
240+ | 3.35 грн |
660+ | 3.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис YJQ3400A YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A, Type of transistor: N-MOSFET x2, Technology: TRENCH POWER LV, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 6.2A, Pulsed drain current: 30A, Power dissipation: 2W, Case: DFN2020-6, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 45mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 4.8nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції YJQ3400A за ціною від 3.8 грн до 9.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
YJQ3400A | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.2A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 2W Case: DFN2020-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2760 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|