Продукція > DIODES INC. > ZXMN2B01F
ZXMN2B01F

ZXMN2B01F DIODES INC.

Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN2B01F - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 806mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+17.11 грн
500+ 12.03 грн
1000+ 11.04 грн
3000+ 10.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN2B01F DIODES INC.

Description: DIODES INC. - ZXMN2B01F - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 806mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 806mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції ZXMN2B01F за ціною від 10.98 грн до 35.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ZXMN2B01F ZXMN2B01F Виробник : DIODES INC. Description: DIODES INC. - ZXMN2B01F - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 806mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+35.52 грн
27+ 27.95 грн
100+ 17.11 грн
500+ 12.03 грн
1000+ 11.04 грн
3000+ 10.98 грн
Мінімальне замовлення: 21
ZXMN2B01F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)