на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 101.59 грн |
10+ | 90.2 грн |
100+ | 61.02 грн |
500+ | 50.18 грн |
1000+ | 38.75 грн |
2500+ | 36.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP3A16DN8TA Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8-SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SO.
Інші пропозиції ZXMP3A16DN8TA за ціною від 36.14 грн до 52.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ZXMP3A16DN8TA | Виробник : DIODES/ZETEX |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A ZXMP3A16DN8 DIODES TZXMP3a16dn8 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 135 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
ZXMP3A16DN8TA | Виробник : Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A ZXMP3A16DN8 DIODES TZXMP3a16dn8 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
ZXMP3A16DN8TA | Виробник : Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||
ZXMP3A16DN8TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8-SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO |
товар відсутній |
||||||
ZXMP3A16DN8TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO |
товар відсутній |