ZXMP3A16DN8TA

ZXMP3A16DN8TA Diodes Incorporated


ZXMP3A16DN8.pdf Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET Dl 30V P-Chnl UMOS
на замовлення 606 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+101.59 грн
10+ 90.2 грн
100+ 61.02 грн
500+ 50.18 грн
1000+ 38.75 грн
2500+ 36.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMP3A16DN8TA Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8-SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SO.

Інші пропозиції ZXMP3A16DN8TA за ціною від 36.14 грн до 52.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ZXMP3A16DN8TA Виробник : DIODES/ZETEX ZXMP3A16DN8.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A ZXMP3A16DN8 DIODES TZXMP3a16dn8
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+36.14 грн
Мінімальне замовлення: 20
ZXMP3A16DN8TA Виробник : Zetex ZXMP3A16DN8.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A ZXMP3A16DN8 DIODES TZXMP3a16dn8
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+52.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
ZXMP3A16DN8TA ZXMP3A16DN8TA Виробник : Diodes Inc zxmp3a16dn8.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
ZXMP3A16DN8TA ZXMP3A16DN8TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMP3A16DN8.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
товар відсутній
ZXMP3A16DN8TA ZXMP3A16DN8TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMP3A16DN8.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
товар відсутній