Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMP3A16N8TA
ZXMP3A16N8TA

ZXMP3A16N8TA Diodes Incorporated

ZXMP3A16N8.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 5.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022 pF @ 15 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+37.24 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMP3A16N8TA Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 5.6A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022 pF @ 15 V.

Інші пропозиції ZXMP3A16N8TA за ціною від 23.07 грн до 64.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ZXMP3A16N8TA ZXMP3A16N8TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMP3A16N8.pdf MOSFET 30V P-Chnl UMOS
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.1 грн
10+ 54.79 грн
100+ 37.13 грн
500+ 30.63 грн
1000+ 24.18 грн
2500+ 23.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
ZXMP3A16N8TA ZXMP3A16N8TA Виробник : Diodes Incorporated ZXMP3A16N8.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022 pF @ 15 V
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.69 грн
10+ 55.66 грн
100+ 43.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
ZXMP3A16N8TA ZXMP3A16N8.pdf
на замовлення 10075 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
ZXMP3A16N8TA ZXMP3A16N8TA Виробник : Diodes Inc zxmp3a16n8.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній