Продукція > ROHM > DTC114ESA TP

DTC114ESA TP ROHM


Виробник: ROHM
TO92
на замовлення 121 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC114ESA TP ROHM

Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: SC-72 Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: SPT, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 300 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

Інші пропозиції DTC114ESA TP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DTC114ESATP (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 37807
Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
DTC114ESATP DTC114ESATP Виробник : Rohm Semiconductor dtc114ee.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
DTC114ESATP Виробник : ROHM Semiconductor 105821-1201482.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 50MA SPT
товар відсутній
DTC114ESA-TP Виробник : Micro Commercial Components (MCC) Bipolar Transistors - Pre-Biased
товар відсутній