Продукція > STMICROELECTRONICS > IRF630

IRF630 STMicroelectronics

Name: IRF630
Brand: STMicroelectronics
SKU: 15707-7
Price: 23.1 UAH
Availability: InStock

Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
14+	23.1 грн

Мінімальне замовлення: 14

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRF630 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm.

Можливі заміни IRF630 STMicroelectronics

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

IRF630NPBF
Код товару: 15961

Виробник : IR

irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6

Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT

у наявності: 162 шт

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	18 грн
10+	15.9 грн
100+	14.1 грн

Інші пропозиції IRF630 за ціною від 23.82 грн до 117.66 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

IRF630

Виробник : Harris Corporation

HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

на замовлення 22729 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
353+	55.66 грн

Мінімальне замовлення: 353

IRF630

Виробник : STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
177+	65.78 грн
209+	55.79 грн
500+	42.07 грн

Мінімальне замовлення: 177

IRF630

Виробник : STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
9+	69.66 грн
10+	60.46 грн
100+	51.29 грн
500+	37.29 грн

Мінімальне замовлення: 9

IRF630

Виробник : STMicroelectronics

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

на замовлення 887 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4+	97.8 грн
5+	83.99 грн
10+	77.84 грн
25+	32.09 грн
68+	30.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

IRF630

Виробник : STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

на замовлення 13958 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	99.98 грн
50+	77.6 грн
100+	61.49 грн
500+	48.91 грн
1000+	39.85 грн
2000+	37.51 грн
5000+	35.14 грн
10000+	33.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

IRF630

Виробник : STMicroelectronics

MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp

на замовлення 945 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4+	100.19 грн
10+	80.66 грн
100+	56.83 грн
500+	48.38 грн
1000+	40.25 грн
2000+	37.89 грн
5000+	36.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

IRF630

Виробник : STMicroelectronics

на замовлення 887 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	104.66 грн
10+	93.41 грн
25+	38.51 грн
68+	36.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

IRF630

Виробник : STMICROELECTRONICS

SGST-S-A0007136914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm

на замовлення 1466 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
7+	117.66 грн
10+	88.24 грн
100+	66.85 грн
500+	52.31 грн
1000+	37.19 грн

Мінімальне замовлення: 7

IRF630

Виробник : Siliconix

N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 215 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
50+	23.82 грн

Мінімальне замовлення: 50

IRF630

Виробник : ST MICROELECTRONICS

N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220

на замовлення 41 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	48.6 грн

Мінімальне замовлення: 5

IRF630

Виробник : IR

Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm

на замовлення 51 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	66.36 грн
10+	56.48 грн

Мінімальне замовлення: 5

IRF630

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

товар відсутній

IRF630

Виробник : STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

IRF630

Виробник : STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

IRF630

Виробник : Vishay / Siliconix

MOSFET RECOMMENDED ALT IRF630PBF

товар відсутній

IRF630

Виробник : NXP Semiconductors

MOSFET

товар відсутній

IRF630

Виробник : onsemi / Fairchild

MOSFET

товар відсутній

IRF630 (TO-220, ST)
Код товару: 3058

Виробник : ST

Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 600/19
Монтаж: THT

товар відсутній