Технічний опис IRF830A IR
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF830A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF830A | Виробник : IR |
 TO-220 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IRF830A Код товару: 63499 |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 500 V Idd,A: 5 A Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm Примітка: 620/24 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||
 |
IRF830A | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|
 |
IRF830A | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
IRF830A | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT IRF830APBF |
товар відсутній |