IRF9956TRPBF Транзистор
Код товару: 126786
Виробник: Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 2,8 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 190/6,9
Монтаж: SMD
у наявності 2 шт:
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF9956TRPBF Транзистор за ціною від 21.75 грн до 73.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9956TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9956TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 3.5A |
на замовлення 431 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9956TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9956TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.06 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm Anzahl der Pins: 8Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Produktpalette: HEXFET Series Bauform - Transistor: SOIC Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds: 30V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm Dauer-Drainstrom Id: 3.5A rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 2W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9956TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9956TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.06 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRF9956TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF9956TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRF9956TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRF9956TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 3.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRF9956TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IRF9956TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
IRF9956TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 3.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |