IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay)
Код товару: 148947
Виробник: VishayUds,V: 100 V
Idd,A: 1,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 450/11
Монтаж: THT
у наявності 15 шт:
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 24.5 грн |
| 10+ | 22.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Аналог IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay) Vishay
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFD120PBF (DIP4-300, Siliconix) Код товару: 156294 |
Виробник : Vishay |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 1,3 A Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 360/16 Монтаж: THT |
у наявності: 31 шт
|
|
Інші пропозиції IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay) за ціною від 17.48 грн до 103.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFD120PBF (DIP4-300, Siliconix) Код товару: 156294 |
Виробник : Vishay |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 1,3 A Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 360/16 Монтаж: THT |
у наявності: 31 шт
|
|
|||||||||||||||||
 |
IRFD120PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFD120PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 1298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFD120PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFD120PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFD120PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFD120PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 2768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFD120PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4 Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.94A On-state resistance: 0.27Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: DIP4 |
на замовлення 2083 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFD120PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4 Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.94A On-state resistance: 0.27Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: DIP4 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2083 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFD120PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFD120PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFD120PBF | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 100V N-CH HEXFET HEXDI |
на замовлення 3473 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFD120PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP Packaging: Bulk Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
на замовлення 3320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFD120PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, DIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: DIP Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm |
на замовлення 5354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRFD120PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
IRFD120PBF (DIP4-300, IR) Код товару: 28377 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 1,3 A Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 450/11 Монтаж: THT |
товар відсутній
|