IRFU430APBF Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 121.43 грн |
| 10+ | 97 грн |
| 100+ | 77.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU430APBF Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO251AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFU430APBF за ціною від 50.87 грн до 131.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFU430APBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp |
на замовлення 1347 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFU430APBF (транзистор) Код товару: 52948 |
Виробник : Vishay |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-251 Uds,V: 500 V Idd,A: 3,2 A Rds(on), Ohm: 1,7 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 490/24 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
 |
IRFU430APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRFU430APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IRFU430APBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 110W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.7Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IRFU430APBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 110W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.7Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |