IRLMS6802TRPBF

IRLMS6802TRPBF Infineon Technologies


irlms6802pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLMS6802TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm.

Інші пропозиції IRLMS6802TRPBF за ціною від 10.88 грн до 45.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlms6802-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.89 грн
9000+ 12.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlms6802-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.14 грн
6000+ 12.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlms6802pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535669349a2654 Description: MOSFET P-CH 20V 5.6A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.15 грн
6000+ 12.94 грн
9000+ 12.01 грн
30000+ 11.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF Виробник : INFINEON 140795.pdf Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+25.16 грн
500+ 18.9 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlms6802-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+34.56 грн
20+ 28.57 грн
25+ 27.17 грн
100+ 21.96 грн
250+ 10.88 грн
Мінімальне замовлення: 17
IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlms6802-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
324+35.38 грн
386+ 29.65 грн
422+ 27.12 грн
555+ 19.87 грн
1000+ 15.36 грн
2000+ 14.25 грн
Мінімальне замовлення: 324
IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLMS6802_DataSheet_v01_01_EN-3363395.pdf MOSFET MOSFT P-Ch -5.6A 50mOhm 11nC Log Lvl
на замовлення 39141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.79 грн
10+ 32.24 грн
100+ 22.03 грн
500+ 17.88 грн
1000+ 14.18 грн
3000+ 11.94 грн
9000+ 11.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlms6802pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535669349a2654 Description: MOSFET P-CH 20V 5.6A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V
на замовлення 44016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.1 грн
10+ 34.56 грн
100+ 24.03 грн
500+ 17.6 грн
1000+ 14.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF Виробник : INFINEON 140795.pdf Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+45.65 грн
21+ 36.04 грн
100+ 25.16 грн
500+ 18.9 грн
Мінімальне замовлення: 17
IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlms6802-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRLMS6802TRPBF (IR) IRLMS6802TRPBF (IR)
Код товару: 26801
Виробник : IR irlms6802pbf-1228281.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23-6
Uds,V: 20 V
Id,A: 4,5 A
Rds(on),Om: 0,050 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1079/11
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlms6802-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
товар відсутній
IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlms6802pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlms6802pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній