IRLR2908PBF


irlr2908pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cdace2681
Код товару: 20922
Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR2908PBF

  • MOSFET, N, 80V, 39A, D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:80V
  • Cont Current Id:39A
  • On State Resistance:0.028ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:2.5V
  • Case Style:DPAK
  • Termination Type:SMD
  • Alternate Case Style:D-PAK
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.3`C/W
  • Max Voltage Vds:80V
  • Max Voltage Vgs th:2.5V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.028ohm
  • Power Dissipation:120W
  • Power Dissipation Pd:120W
  • Pulse Current Idm:150A
  • Transistor Case Style:D-PAK

Інші пропозиції IRLR2908PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLR2908PBF IRLR2908PBF Виробник : Infineon Technologies irlr2908pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
IRLR2908PBF IRLR2908PBF Виробник : Infineon Technologies irlr2908pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cdace2681 Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
товар відсутній
IRLR2908PBF IRLR2908PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR2908_DataSheet_v01_01_EN-1732803.pdf MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 28mOhms
товар відсутній