Продукція > IXYS > IXBH24N170
IXBH24N170

IXBH24N170 IXYS

IXBH(t)24N170.pdf Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Features of semiconductor devices: high voltage
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1439.82 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBH24N170 IXYS

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: BiMOSFET™, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Collector current: 24A, Power dissipation: 250W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 230A, Mounting: THT, Gate charge: 0.14µC, Kind of package: tube, Turn-on time: 190ns, Turn-off time: 1285ns, Features of semiconductor devices: high voltage, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXBH24N170 за ціною від 1123.8 грн до 1965.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXBH24N170 IXBH24N170 Виробник : IXYS IXBH(t)24N170.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1727.78 грн
2+ 1575.65 грн
IXBH24N170 IXBH24N170 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_24n170_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 1700V 60A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.06 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1809.96 грн
30+ 1444.63 грн
120+ 1354.36 грн
IXBH24N170 IXBH24N170 Виробник : IXYS media-3322255.pdf IGBT Transistors BIMOSFETS 1700V 60A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1965.11 грн
10+ 1721.64 грн
30+ 1396.53 грн
60+ 1352.5 грн
120+ 1309.13 грн
270+ 1299.92 грн
510+ 1123.8 грн
IXBH24N170(транзистор )
Код товару: 43528 		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXBH24N170 IXBH24N170 Виробник : Littelfuse telfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_24n170_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній