MJD112T4 STMicroelectronics
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 10.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD112T4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - MJD112T4 - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MJD112T4 за ціною від 12.58 грн до 67.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD112T4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD112T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD112T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD112T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 25MHz |
на замовлення 2592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD112T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 25MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2592 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD112T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 3358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD112T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Darlington Transistors NPN Power Darlington |
на замовлення 4565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD112T4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - MJD112T4 - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 2A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJD112T4 | Виробник : STM |
Біполярний транзистор ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=2A; Pdmax=20W |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
MJD112T4 (транзистор біполярный NPN) Код товару: 26922 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
MJD112T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MJD112T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |