Продукція > ONSEMI > MJD3055T4G
MJD3055T4G

MJD3055T4G onsemi


mjd2955-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+19.41 грн
5000+ 17.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD3055T4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 5hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 10A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції MJD3055T4G за ціною від 18.14 грн до 59.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJD3055T4G MJD3055T4G Виробник : ONSEMI 1748822.pdf Description: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD3055T4G MJD3055T4G Виробник : onsemi mjd2955-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 14589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+50.66 грн
10+ 42.67 грн
100+ 29.52 грн
500+ 23.14 грн
1000+ 19.7 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD3055T4G MJD3055T4G Виробник : onsemi MJD2955_D-2315918.pdf Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.79 грн
10+ 47.64 грн
100+ 28.76 грн
500+ 24.08 грн
1000+ 20.51 грн
2500+ 18.21 грн
5000+ 18.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD3055T4G MJD3055T4G Виробник : ONSEMI 1748822.pdf Description: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 5hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+59.94 грн
14+ 52.98 грн
100+ 40.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
MJD3055T4G*************
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD3055T4G Виробник : ON Semiconductor mjd2955-d.pdf
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD3055T4(G) (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 24067
Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
MJD3055T4G MJD3055T4G Виробник : ON Semiconductor mjd2955-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD3055T4G MJD3055T4G Виробник : ON Semiconductor mjd2955-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD3055T4G MJD3055T4G Виробник : ON Semiconductor 1148mjd2955-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній