Продукція > NEXPERIA > PSMN2R0-30YLE,115
PSMN2R0-30YLE,115

PSMN2R0-30YLE,115 NEXPERIA

psmn2r0-30yle.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+57.80 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN2R0-30YLE,115 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN2R0-30YLE,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 272W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PSMN2R0-30YLE,115 за ціною від 49.82 грн до 202.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN2R0-30YLE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5217 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+58.70 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 Виробник : Nexperia psmn2r0-30yle.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+59.59 грн
3000+58.58 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 Виробник : Nexperia psmn2r0-30yle.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
195+63.06 грн
198+62.08 грн
201+61.09 грн
250+57.96 грн
500+52.78 грн
1000+49.82 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 Виробник : Nexperia psmn2r0-30yle.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+63.50 грн
3000+62.43 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 Виробник : Nexperia psmn2r0-30yle.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
192+64.05 грн
Мінімальне замовлення: 192
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 Виробник : Nexperia psmn2r0-30yle.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+67.57 грн
25+66.51 грн
100+63.11 грн
250+57.50 грн
500+54.29 грн
1000+53.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 Виробник : NEXPERIA PSMN2R0-30YLE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+84.01 грн
10+72.49 грн
14+68.55 грн
38+64.61 грн
100+63.03 грн
250+62.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 Виробник : Nexperia PSMN2R0-30YLE.pdf MOSFETs N-channel 30 V 2 mΩ logic level MOSFET in LFPAK
на замовлення 16853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.60 грн
10+80.64 грн
100+62.40 грн
250+61.95 грн
500+56.81 грн
1000+55.90 грн
1500+51.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 Виробник : NEXPERIA PSMN2R0-30YLE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.81 грн
10+90.33 грн
14+82.26 грн
38+77.53 грн
100+75.64 грн
250+74.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003060005-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN2R0-30YLE,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+145.95 грн
10+105.22 грн
100+78.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN2R0-30YLE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5217 pF @ 15 V
на замовлення 4814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.92 грн
10+125.99 грн
100+86.33 грн
500+65.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 Виробник : Nexperia psmn2r0-30yle.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.