Результат пошуку "FDMS" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FDMS007N08LC FDMS007N08LC onsemi fdms007n08lc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 14A/84A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 92.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+142.14 грн
10+ 113.73 грн
100+ 90.5 грн
500+ 71.87 грн
1000+ 60.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS007N08LC FDMS007N08LC onsemi fdms007n08lc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 14A/84A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 92.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+64.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS007N08LC FDMS007N08LC onsemi FDMS007N08LC_D-2312670.pdf MOSFET PTNG 80/20V IN 5X6
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+154.81 грн
10+ 120 грн
100+ 88.25 грн
250+ 81.16 грн
500+ 73.43 грн
1000+ 62.93 грн
3000+ 59.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS0300S FDMS0300S onsemi / Fairchild FDMS0300S_D-2312855.pdf MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 28172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.99 грн
10+ 99.26 грн
100+ 68.92 грн
250+ 63.51 грн
500+ 57.33 грн
1000+ 49.08 грн
3000+ 45.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS030N06B Fairchild/ON Semiconductor fdms030n06b-d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 100; Ciss, пФ @ Uds, В = 7560 @ 30; Qg, нКл = 75 @ 10 В; Rds = 3 мОм; Ugs(th) = 4,5; Р, Вт = 104; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerTDFN-8
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+312 грн
10+ 242.89 грн
100+ 225.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS030N06B FDMS030N06B onsemi fdms030n06b-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 22.1A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.1A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 30 V
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.7 грн
10+ 175.06 грн
100+ 141.59 грн
500+ 118.12 грн
1000+ 101.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS030N06B FDMS030N06B onsemi / Fairchild FDMS030N06B_D-2312391.pdf MOSFET NCh 80V 120A 5.3mOhm PowerTrench MOSFET
на замовлення 13411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.38 грн
10+ 172.59 грн
100+ 135.91 грн
250+ 135.27 грн
500+ 123.67 грн
1000+ 105.64 грн
3000+ 98.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS0312AS FDMS0312AS onsemi / Fairchild FDMS0312AS_D-2312797.pdf MOSFET N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 4813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.04 грн
10+ 38.67 грн
100+ 22.87 грн
500+ 19.13 грн
1000+ 16.3 грн
3000+ 14.75 грн
6000+ 13.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDMS0312S FDMS0312S onsemi / Fairchild FDMS0312S_D-2312821.pdf MOSFET 30V N-Chan SyncFET PowerTrench
на замовлення 23134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.04 грн
10+ 38.82 грн
100+ 23 грн
500+ 19.26 грн
1000+ 16.36 грн
3000+ 14.81 грн
6000+ 13.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDMS039N08B FDMS039N08B onsemi fdms039n08b-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 40 V
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDMS039N08B FDMS039N08B onsemi / Fairchild FDMS039N08B_D-2312392.pdf MOSFET FPS
на замовлення 21635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164.57 грн
10+ 134.08 грн
100+ 93.4 грн
500+ 79.23 грн
1000+ 66.99 грн
3000+ 62.93 грн
6000+ 61.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS039N08B FDMS039N08B onsemi fdms039n08b-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 40 V
на замовлення 3377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+149.11 грн
10+ 119.5 грн
100+ 95.12 грн
500+ 75.53 грн
1000+ 64.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS10C4D2N FDMS10C4D2N onsemi fdms10c4d2n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+83.39 грн
6000+ 77.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS10C4D2N FDMS10C4D2N onsemi fdms10c4d2n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V
на замовлення 11980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.65 грн
10+ 147.95 грн
100+ 117.74 грн
500+ 93.49 грн
1000+ 79.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS2572 FDMS2572 ON Semiconductor fdms2572-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.5A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+83.48 грн
6000+ 80.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS2572 FDMS2572 ON Semiconductor fdms2572-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.5A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+77.51 грн
6000+ 74.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS2672 FDMS2672 ON Semiconductor fdms2672-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.7A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+111.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS2672 FDMS2672 onsemi ONSM-S-A0003591174-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 3.7A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 100 V
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.59 грн
10+ 140.57 грн
100+ 111.87 грн
500+ 88.83 грн
1000+ 75.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS2734 FDMS2734 onsemi FAIRS29948-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/14A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2365 pF @ 100 V
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+353.96 грн
10+ 286.5 грн
100+ 231.77 грн
500+ 193.34 грн
1000+ 165.55 грн
FDMS2734 FDMS2734 onsemi / Fairchild FDMS2734_D-2312394.pdf MOSFET 250V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 8952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+388.52 грн
10+ 322.23 грн
25+ 279.55 грн
100+ 226.73 грн
250+ 226.09 грн
500+ 200.97 грн
1000+ 171.98 грн
FDMS2734 FDMS2734 onsemi FAIRS29948-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/14A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2365 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+172.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS2D5N08C FDMS2D5N08C onsemi / Fairchild FDMS2D5N08C_D-2312520.pdf MOSFET PTNG 80V/20V N-Channel MOSFET
на замовлення 3166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.4 грн
10+ 166.67 грн
100+ 117.23 грн
500+ 104.35 грн
1000+ 89.53 грн
3000+ 83.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS3500 FDMS3500 onsemi fdms3500-d.pdf Description: MOSFET N-CH 75V PWR CLIP 56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4765 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.39 грн
6000+ 55.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS3500 FDMS3500 onsemi fdms3500-d.pdf Description: MOSFET N-CH 75V PWR CLIP 56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4765 pF @ 40 V
на замовлення 8567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.78 грн
10+ 107.15 грн
100+ 85.26 грн
500+ 67.7 грн
1000+ 57.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS3572 FDMS3572 onsemi / Fairchild FDMS3572_D-2312459.pdf MOSFET 80V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 14369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+185.62 грн
10+ 150.37 грн
100+ 105.64 грн
250+ 97.91 грн
500+ 88.89 грн
1000+ 76.01 грн
3000+ 71.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS3660S FDMS3660S ONSEMI fdms3660s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.28 грн
5+ 104.67 грн
11+ 75.82 грн
29+ 71.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS3660S FDMS3660S ONSEMI fdms3660s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+149.14 грн
5+ 130.44 грн
11+ 90.98 грн
29+ 86.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS3660S FDMS3660S onsemi / Fairchild FDMS3660S_D-2312461.pdf MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 10913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.47 грн
10+ 94.08 грн
100+ 66.35 грн
500+ 61.13 грн
1000+ 56.3 грн
3000+ 54.43 грн
6000+ 52.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS3662 FDMS3662 onsemi / Fairchild FDMS3662_D-2312674.pdf MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 2821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.88 грн
10+ 160.74 грн
25+ 132.05 грн
100+ 112.72 грн
250+ 106.93 грн
500+ 100.48 грн
1000+ 86.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS3669S FDMS3669S ON Semiconductor fdms3669s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+53.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS3669S FDMS3669S ON Semiconductor fdms3669s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS3669S FDMS3669S ON Semiconductor fdms3669s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.22 грн
6000+ 50.17 грн
9000+ 49.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS3669S FDMS3669S onsemi / Fairchild FDMS3669S_D-2312495.pdf MOSFET 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
на замовлення 25803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.24 грн
10+ 100.74 грн
100+ 70.21 грн
250+ 64.41 грн
500+ 58.36 грн
1000+ 50.05 грн
3000+ 45.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS3672 FDMS3672 onsemi fdms3672-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+84.72 грн
6000+ 78.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS3672 FDMS3672 onsemi fdms3672-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 50 V
на замовлення 22750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.13 грн
10+ 150.23 грн
100+ 119.61 грн
500+ 94.98 грн
1000+ 80.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS3672 FDMS3672 onsemi / Fairchild FDMS3672_D-2312428.pdf MOSFET 100V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 17708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.16 грн
10+ 168.89 грн
100+ 116.59 грн
250+ 107.57 грн
500+ 97.91 грн
1000+ 83.74 грн
3000+ 79.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS4435BZ ONSEMI ONSM-S-A0003584635-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 39W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.03 грн
19+ 41.6 грн
52+ 38.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDMS4435BZ ONSEMI ONSM-S-A0003584635-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 39W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+82.37 грн
5+ 71.07 грн
19+ 49.92 грн
52+ 46.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMS4435BZ FDMS4435BZ onsemi ONSM-S-A0003584635-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
на замовлення 10450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.29 грн
6000+ 31.45 грн
9000+ 30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS4435BZ FDMS4435BZ onsemi ONSM-S-A0003584635-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
на замовлення 11486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.92 грн
10+ 65.29 грн
100+ 50.81 грн
500+ 40.41 грн
1000+ 32.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMS4435BZ FDMS4435BZ ON Semiconductor 3667542297313389fdms4435bz.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C onsemi FDMS4D0N12C_D-2312552.pdf MOSFET PTNG 120V N-FET 118A
на замовлення 13099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+320.88 грн
10+ 259.26 грн
25+ 216.43 грн
100+ 189.37 грн
250+ 184.87 грн
500+ 171.34 грн
1000+ 148.79 грн
FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C onsemi fdms4d0n12c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370A
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+154.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C onsemi fdms4d0n12c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370A
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 60 V
на замовлення 4027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+317.03 грн
10+ 256.58 грн
100+ 207.56 грн
500+ 173.15 грн
1000+ 148.26 грн
FDMS4D4N08C FDMS4D4N08C onsemi fdms4d4n08c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 40 V
на замовлення 3657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.74 грн
10+ 130.77 грн
100+ 104.07 грн
500+ 82.64 грн
1000+ 70.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS5352 FDMS5352 ON Semiconductor 3341635239770650fdms5352.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDMS5352 FDMS5352 onsemi fdms5352-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 13.6A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 13.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6940 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+86.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS5352 FDMS5352 onsemi fdms5352-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 13.6A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 13.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6940 pF @ 30 V
на замовлення 4546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.37 грн
10+ 143.92 грн
100+ 116.45 грн
500+ 97.14 грн
1000+ 83.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS5672 FDMS5672 onsemi / Fairchild FDMS5672_D-2312801.pdf MOSFET 60V N-ChUltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 2712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.16 грн
10+ 177.78 грн
25+ 152.66 грн
100+ 131.4 грн
250+ 130.76 грн
500+ 121.1 грн
1000+ 111.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS5672 FDMS5672 onsemi fdms5672-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V
на замовлення 5478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.03 грн
10+ 187.4 грн
100+ 151.63 грн
500+ 126.49 грн
1000+ 108.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS5672 FDMS5672 ON Semiconductor fdms5672jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+151.66 грн
10+ 142.71 грн
25+ 140.82 грн
100+ 125.89 грн
250+ 115.38 грн
500+ 110.04 грн
1000+ 109.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMS5672 FDMS5672 ON Semiconductor fdms5672jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+163.32 грн
74+ 153.69 грн
75+ 151.66 грн
100+ 135.57 грн
250+ 124.25 грн
500+ 118.51 грн
1000+ 117.73 грн
Мінімальне замовлення: 70
FDMS6673BZ FDMS6673BZ onsemi fdms6673bz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+57.32 грн
6000+ 53.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS6673BZ FDMS6673BZ onsemi fdms6673bz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V
на замовлення 11230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.51 грн
10+ 101.65 грн
100+ 80.93 грн
500+ 64.26 грн
1000+ 54.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS6673BZ FDMS6673BZ onsemi / Fairchild FDMS6673BZ_D-2312761.pdf MOSFET -30V 28A P-Channel PowerTrench
на замовлення 24384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.78 грн
10+ 114.08 грн
100+ 79.23 грн
500+ 66.99 грн
1000+ 56.81 грн
3000+ 53.85 грн
6000+ 52.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS7650 FDMS7650 onsemi fdms7650-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14965 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+90.47 грн
6000+ 83.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS7650 FDMS7650 ON Semiconductor fdms7650cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+128.45 грн
10+ 119.37 грн
25+ 118.32 грн
100+ 103.18 грн
250+ 94.6 грн
500+ 83.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDMS7650 FDMS7650 onsemi fdms7650-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14965 pF @ 15 V
на замовлення 21652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.04 грн
10+ 150.23 грн
100+ 121.56 грн
500+ 101.4 грн
1000+ 86.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS7650 FDMS7650 onsemi / Fairchild FDMS7650_D-2312827.pdf MOSFET 30/20V N-Chan PowerTrench
на замовлення 19508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164.57 грн
10+ 142.96 грн
100+ 105.64 грн
250+ 104.99 грн
500+ 94.04 грн
1000+ 87.6 грн
3000+ 84.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS7650 FDMS7650 ON Semiconductor fdms7650cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+138.34 грн
88+ 128.55 грн
89+ 127.42 грн
100+ 111.11 грн
250+ 101.88 грн
500+ 90.19 грн
Мінімальне замовлення: 82
FDMS007N08LC fdms007n08lc-d.pdf
FDMS007N08LC
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 14A/84A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 92.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+142.14 грн
10+ 113.73 грн
100+ 90.5 грн
500+ 71.87 грн
1000+ 60.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS007N08LC fdms007n08lc-d.pdf
FDMS007N08LC
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 14A/84A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 92.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+64.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS007N08LC FDMS007N08LC_D-2312670.pdf
FDMS007N08LC
Виробник: onsemi
MOSFET PTNG 80/20V IN 5X6
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+154.81 грн
10+ 120 грн
100+ 88.25 грн
250+ 81.16 грн
500+ 73.43 грн
1000+ 62.93 грн
3000+ 59.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS0300S FDMS0300S_D-2312855.pdf
FDMS0300S
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 28172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120.99 грн
10+ 99.26 грн
100+ 68.92 грн
250+ 63.51 грн
500+ 57.33 грн
1000+ 49.08 грн
3000+ 45.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS030N06B fdms030n06b-d.pdf
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 100; Ciss, пФ @ Uds, В = 7560 @ 30; Qg, нКл = 75 @ 10 В; Rds = 3 мОм; Ugs(th) = 4,5; Р, Вт = 104; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerTDFN-8
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+312 грн
10+ 242.89 грн
100+ 225.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS030N06B fdms030n06b-d.pdf
FDMS030N06B
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 22.1A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.1A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 30 V
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+216.7 грн
10+ 175.06 грн
100+ 141.59 грн
500+ 118.12 грн
1000+ 101.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS030N06B FDMS030N06B_D-2312391.pdf
FDMS030N06B
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET NCh 80V 120A 5.3mOhm PowerTrench MOSFET
на замовлення 13411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.38 грн
10+ 172.59 грн
100+ 135.91 грн
250+ 135.27 грн
500+ 123.67 грн
1000+ 105.64 грн
3000+ 98.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS0312AS FDMS0312AS_D-2312797.pdf
FDMS0312AS
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 4813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.04 грн
10+ 38.67 грн
100+ 22.87 грн
500+ 19.13 грн
1000+ 16.3 грн
3000+ 14.75 грн
6000+ 13.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDMS0312S FDMS0312S_D-2312821.pdf
FDMS0312S
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 30V N-Chan SyncFET PowerTrench
на замовлення 23134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.04 грн
10+ 38.82 грн
100+ 23 грн
500+ 19.26 грн
1000+ 16.36 грн
3000+ 14.81 грн
6000+ 13.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDMS039N08B fdms039n08b-d.pdf
FDMS039N08B
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 40 V
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDMS039N08B FDMS039N08B_D-2312392.pdf
FDMS039N08B
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET FPS
на замовлення 21635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+164.57 грн
10+ 134.08 грн
100+ 93.4 грн
500+ 79.23 грн
1000+ 66.99 грн
3000+ 62.93 грн
6000+ 61.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS039N08B fdms039n08b-d.pdf
FDMS039N08B
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 40 V
на замовлення 3377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+149.11 грн
10+ 119.5 грн
100+ 95.12 грн
500+ 75.53 грн
1000+ 64.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS10C4D2N fdms10c4d2n-d.pdf
FDMS10C4D2N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+83.39 грн
6000+ 77.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS10C4D2N fdms10c4d2n-d.pdf
FDMS10C4D2N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V
на замовлення 11980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+184.65 грн
10+ 147.95 грн
100+ 117.74 грн
500+ 93.49 грн
1000+ 79.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS2572 fdms2572-d.pdf
FDMS2572
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.5A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+83.48 грн
6000+ 80.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS2572 fdms2572-d.pdf
FDMS2572
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.5A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+77.51 грн
6000+ 74.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS2672 fdms2672-d.pdf
FDMS2672
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.7A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+111.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS2672 ONSM-S-A0003591174-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDMS2672
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 3.7A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 100 V
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+175.59 грн
10+ 140.57 грн
100+ 111.87 грн
500+ 88.83 грн
1000+ 75.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS2734 FAIRS29948-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDMS2734
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/14A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2365 pF @ 100 V
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+353.96 грн
10+ 286.5 грн
100+ 231.77 грн
500+ 193.34 грн
1000+ 165.55 грн
FDMS2734 FDMS2734_D-2312394.pdf
FDMS2734
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 250V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 8952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+388.52 грн
10+ 322.23 грн
25+ 279.55 грн
100+ 226.73 грн
250+ 226.09 грн
500+ 200.97 грн
1000+ 171.98 грн
FDMS2734 FAIRS29948-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDMS2734
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/14A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2365 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+172.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS2D5N08C FDMS2D5N08C_D-2312520.pdf
FDMS2D5N08C
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET PTNG 80V/20V N-Channel MOSFET
на замовлення 3166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+201.4 грн
10+ 166.67 грн
100+ 117.23 грн
500+ 104.35 грн
1000+ 89.53 грн
3000+ 83.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS3500 fdms3500-d.pdf
FDMS3500
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V PWR CLIP 56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4765 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+60.39 грн
6000+ 55.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS3500 fdms3500-d.pdf
FDMS3500
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V PWR CLIP 56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4765 pF @ 40 V
на замовлення 8567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.78 грн
10+ 107.15 грн
100+ 85.26 грн
500+ 67.7 грн
1000+ 57.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS3572 FDMS3572_D-2312459.pdf
FDMS3572
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 80V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 14369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+185.62 грн
10+ 150.37 грн
100+ 105.64 грн
250+ 97.91 грн
500+ 88.89 грн
1000+ 76.01 грн
3000+ 71.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS3660S fdms3660s-d.pdf
FDMS3660S
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.28 грн
5+ 104.67 грн
11+ 75.82 грн
29+ 71.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS3660S fdms3660s-d.pdf
FDMS3660S
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+149.14 грн
5+ 130.44 грн
11+ 90.98 грн
29+ 86.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS3660S FDMS3660S_D-2312461.pdf
FDMS3660S
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 10913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.47 грн
10+ 94.08 грн
100+ 66.35 грн
500+ 61.13 грн
1000+ 56.3 грн
3000+ 54.43 грн
6000+ 52.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS3662 FDMS3662_D-2312674.pdf
FDMS3662
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 2821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+193.88 грн
10+ 160.74 грн
25+ 132.05 грн
100+ 112.72 грн
250+ 106.93 грн
500+ 100.48 грн
1000+ 86.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS3669S fdms3669s-d.pdf
FDMS3669S
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+53.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS3669S fdms3669s-d.pdf
FDMS3669S
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+49.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS3669S fdms3669s-d.pdf
FDMS3669S
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+50.22 грн
6000+ 50.17 грн
9000+ 49.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS3669S FDMS3669S_D-2312495.pdf
FDMS3669S
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
на замовлення 25803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.24 грн
10+ 100.74 грн
100+ 70.21 грн
250+ 64.41 грн
500+ 58.36 грн
1000+ 50.05 грн
3000+ 45.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS3672 fdms3672-d.pdf
FDMS3672
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+84.72 грн
6000+ 78.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS3672 fdms3672-d.pdf
FDMS3672
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 50 V
на замовлення 22750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+188.13 грн
10+ 150.23 грн
100+ 119.61 грн
500+ 94.98 грн
1000+ 80.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS3672 FDMS3672_D-2312428.pdf
FDMS3672
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 100V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 17708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+205.16 грн
10+ 168.89 грн
100+ 116.59 грн
250+ 107.57 грн
500+ 97.91 грн
1000+ 83.74 грн
3000+ 79.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS4435BZ ONSM-S-A0003584635-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 39W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.03 грн
19+ 41.6 грн
52+ 38.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDMS4435BZ ONSM-S-A0003584635-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 39W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.37 грн
5+ 71.07 грн
19+ 49.92 грн
52+ 46.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMS4435BZ ONSM-S-A0003584635-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDMS4435BZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
на замовлення 10450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+34.29 грн
6000+ 31.45 грн
9000+ 30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS4435BZ ONSM-S-A0003584635-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDMS4435BZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
на замовлення 11486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.92 грн
10+ 65.29 грн
100+ 50.81 грн
500+ 40.41 грн
1000+ 32.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMS4435BZ 3667542297313389fdms4435bz.pdf
FDMS4435BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C_D-2312552.pdf
FDMS4D0N12C
Виробник: onsemi
MOSFET PTNG 120V N-FET 118A
на замовлення 13099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+320.88 грн
10+ 259.26 грн
25+ 216.43 грн
100+ 189.37 грн
250+ 184.87 грн
500+ 171.34 грн
1000+ 148.79 грн
FDMS4D0N12C fdms4d0n12c-d.pdf
FDMS4D0N12C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370A
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+154.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS4D0N12C fdms4d0n12c-d.pdf
FDMS4D0N12C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370A
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 60 V
на замовлення 4027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+317.03 грн
10+ 256.58 грн
100+ 207.56 грн
500+ 173.15 грн
1000+ 148.26 грн
FDMS4D4N08C fdms4d4n08c-d.pdf
FDMS4D4N08C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 40 V
на замовлення 3657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+163.74 грн
10+ 130.77 грн
100+ 104.07 грн
500+ 82.64 грн
1000+ 70.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS5352 3341635239770650fdms5352.pdf
FDMS5352
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDMS5352 fdms5352-d.pdf
FDMS5352
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 13.6A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 13.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6940 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+86.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS5352 fdms5352-d.pdf
FDMS5352
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 13.6A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 13.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6940 pF @ 30 V
на замовлення 4546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+178.37 грн
10+ 143.92 грн
100+ 116.45 грн
500+ 97.14 грн
1000+ 83.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS5672 FDMS5672_D-2312801.pdf
FDMS5672
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 60V N-ChUltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 2712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+205.16 грн
10+ 177.78 грн
25+ 152.66 грн
100+ 131.4 грн
250+ 130.76 грн
500+ 121.1 грн
1000+ 111.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS5672 fdms5672-d.pdf
FDMS5672
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V
на замовлення 5478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+232.03 грн
10+ 187.4 грн
100+ 151.63 грн
500+ 126.49 грн
1000+ 108.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS5672 fdms5672jp-d.pdf
FDMS5672
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+151.66 грн
10+ 142.71 грн
25+ 140.82 грн
100+ 125.89 грн
250+ 115.38 грн
500+ 110.04 грн
1000+ 109.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMS5672 fdms5672jp-d.pdf
FDMS5672
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
70+163.32 грн
74+ 153.69 грн
75+ 151.66 грн
100+ 135.57 грн
250+ 124.25 грн
500+ 118.51 грн
1000+ 117.73 грн
Мінімальне замовлення: 70
FDMS6673BZ fdms6673bz-d.pdf
FDMS6673BZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+57.32 грн
6000+ 53.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS6673BZ fdms6673bz-d.pdf
FDMS6673BZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V
на замовлення 11230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.51 грн
10+ 101.65 грн
100+ 80.93 грн
500+ 64.26 грн
1000+ 54.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS6673BZ FDMS6673BZ_D-2312761.pdf
FDMS6673BZ
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET -30V 28A P-Channel PowerTrench
на замовлення 24384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+139.78 грн
10+ 114.08 грн
100+ 79.23 грн
500+ 66.99 грн
1000+ 56.81 грн
3000+ 53.85 грн
6000+ 52.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS7650 fdms7650-d.pdf
FDMS7650
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14965 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+90.47 грн
6000+ 83.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS7650 fdms7650cn-d.pdf
FDMS7650
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+128.45 грн
10+ 119.37 грн
25+ 118.32 грн
100+ 103.18 грн
250+ 94.6 грн
500+ 83.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDMS7650 fdms7650-d.pdf
FDMS7650
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14965 pF @ 15 V
на замовлення 21652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+186.04 грн
10+ 150.23 грн
100+ 121.56 грн
500+ 101.4 грн
1000+ 86.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS7650 FDMS7650_D-2312827.pdf
FDMS7650
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 30/20V N-Chan PowerTrench
на замовлення 19508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+164.57 грн
10+ 142.96 грн
100+ 105.64 грн
250+ 104.99 грн
500+ 94.04 грн
1000+ 87.6 грн
3000+ 84.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS7650 fdms7650cn-d.pdf
FDMS7650
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
82+138.34 грн
88+ 128.55 грн
89+ 127.42 грн
100+ 111.11 грн
250+ 101.88 грн
500+ 90.19 грн
Мінімальне замовлення: 82
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]