Результат пошуку "rf630" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF630NPBF IRF630NPBF
Код товару: 15961
Додати до обраних Обраний товар

IR irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності: 248 шт
171 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RF630 N/A 06+
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ERF6-30-03.5-L-DV-A-K-TR ERF6-30-03.5-L-DV-A-K-TR Samtec erf6-2328986.pdf Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Edge Rate(R) Rugged High Speed Socket
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+550.67 грн
10+521.06 грн
25+409.98 грн
50+383.50 грн
100+365.35 грн
250+363.08 грн
675+321.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B98D2037D300D2&compId=irf630.pdf?ci_sign=4795dc225264f73db734b9bd51a3ec27e3d9b7f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.16 грн
10+57.13 грн
29+32.46 грн
79+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IR en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm
на замовлення 51 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+70.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 ST MICROELECTRONICS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
на замовлення 33 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B98D2037D300D2&compId=irf630.pdf?ci_sign=4795dc225264f73db734b9bd51a3ec27e3d9b7f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 615 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+133.39 грн
10+71.19 грн
29+38.96 грн
79+36.78 грн
5000+35.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
на замовлення 1811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.78 грн
10+55.85 грн
100+45.31 грн
500+38.88 грн
1000+38.27 грн
2000+30.11 грн
5000+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 JSMicro Semiconductor en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.49 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 Siliconix en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N International Rectifier description N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+32.50 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630N-ML MOSLEADER TIRF630 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 82W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+80.61 грн
10+63.51 грн
25+50.82 грн
39+23.87 грн
107+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 82W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+96.73 грн
10+79.14 грн
25+60.99 грн
39+28.65 грн
107+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN-3362906.pdf description MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.25 грн
10+43.93 грн
100+35.02 грн
500+32.68 грн
1000+29.50 грн
5000+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NS International Rectifier irf630n.pdf description N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F679A2B26A9F1A303005056AB0C4F&compId=irf630npbf.pdf?ci_sign=b3ec9a3a45ee887745bbace6fe26eecf9c91c34a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 82W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+70.43 грн
9+47.43 грн
25+41.84 грн
26+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F679A2B26A9F1A303005056AB0C4F&compId=irf630npbf.pdf?ci_sign=b3ec9a3a45ee887745bbace6fe26eecf9c91c34a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 82W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.52 грн
5+59.11 грн
25+50.21 грн
26+43.78 грн
70+41.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+61.10 грн
10+49.88 грн
34+27.66 грн
93+26.16 грн
500+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 561 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.31 грн
10+62.15 грн
34+33.19 грн
93+31.39 грн
500+31.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF Vishay Semiconductors irf630.pdf description MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 4677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.69 грн
10+48.89 грн
100+42.06 грн
500+40.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF-BE3 IRF630PBF-BE3 Vishay / Siliconix irf630.pdf MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.96 грн
10+45.67 грн
100+38.80 грн
500+37.14 грн
1000+36.54 грн
2000+33.28 грн
5000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630S International Rectifier sih630s.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+67.04 грн
23+40.50 грн
63+38.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.44 грн
23+50.47 грн
63+46.05 грн
250+45.95 грн
1000+44.35 грн
5000+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay Semiconductors sih630s.pdf description MOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 4842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.13 грн
10+77.07 грн
100+65.73 грн
500+54.01 грн
1000+47.73 грн
2000+46.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRLPBF IRF630STRLPBF Vishay Semiconductors sih630s.pdf MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.91 грн
10+110.47 грн
100+69.59 грн
500+48.79 грн
2400+46.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRRPBF IRF630STRRPBF Vishay Semiconductors sih630s.pdf MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+164.14 грн
10+112.21 грн
100+70.88 грн
800+52.50 грн
2400+49.09 грн
4800+47.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MRF 630-AMMO BEL ds-cp-mrf-series.pdf Category: Fuses TR5 - Time-Lag
Description: Fuse: fuse
Type of fuse: fuse
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+29.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор полевой IRF630; 200V 9A; 75W; 0,4R; N-канальный; корпус: ТО220; STM (шт)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+700.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF630N 9A 200V N-ch TO-220
на замовлення 23 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
23+26.00 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BRF6300
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BRF6300CZSLR TI BGA
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A FSC FAIRS05946-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630B Fairchild
на замовлення 10005 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630B_FP001 FAIRCHILD IRF630B.pdf f24
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630FP en.CD00000701.pdf
на замовлення 978 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630M ST TO-220
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630MF ST 00+ TO-220
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630MFP ST 09+ SON-8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N IR
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N-R4942
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRR IR irf630n.pdf TO-263
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630ST4 ST SMD-220
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRR
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRRPBF sih630s.pdf
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRF630 MOT CAN
на замовлення 617 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRF630 MSC 00+
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRF630 MOT
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRF630 MOT CAN
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P25RF6300F003
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBRF6300
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBRF6300BZSL TI BGA
на замовлення 3068 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PRF6301AA
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PRF6302AA
на замовлення 4120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TRF6301
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C962A4918469&compId=IRF640PBF.pdf?ci_sign=0799af496a8e6d330d1707a5c8be56fcf188d5dc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+128.98 грн
10+106.37 грн
27+34.67 грн
74+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 (TO-220, ST) IRF630 (TO-220, ST)
Код товару: 3058
Додати до обраних Обраний товар

ST Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 600/19
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+15.00 грн
10+14.50 грн
100+13.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6302
Код товару: 31879
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A
Код товару: 18853
Додати до обраних Обраний товар

IR IRF630A.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9 A
Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF
Код товару: 15961
Додати до обраних Обраний товар

description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності: 248 шт
171 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RF630
Виробник: N/A
06+
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ERF6-30-03.5-L-DV-A-K-TR erf6-2328986.pdf
ERF6-30-03.5-L-DV-A-K-TR
Виробник: Samtec
Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Edge Rate(R) Rugged High Speed Socket
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+550.67 грн
10+521.06 грн
25+409.98 грн
50+383.50 грн
100+365.35 грн
250+363.08 грн
675+321.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B98D2037D300D2&compId=irf630.pdf?ci_sign=4795dc225264f73db734b9bd51a3ec27e3d9b7f3
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.16 грн
10+57.13 грн
29+32.46 грн
79+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm
на замовлення 51 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ST MICROELECTRONICS
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
на замовлення 33 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B98D2037D300D2&compId=irf630.pdf?ci_sign=4795dc225264f73db734b9bd51a3ec27e3d9b7f3
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 615 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.39 грн
10+71.19 грн
29+38.96 грн
79+36.78 грн
5000+35.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
на замовлення 1811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.78 грн
10+55.85 грн
100+45.31 грн
500+38.88 грн
1000+38.27 грн
2000+30.11 грн
5000+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+18.49 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N description
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+32.50 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630N-ML MOSLEADER TIRF630 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3
IRF630NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 82W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+80.61 грн
10+63.51 грн
25+50.82 грн
39+23.87 грн
107+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3
IRF630NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 82W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.73 грн
10+79.14 грн
25+60.99 грн
39+28.65 грн
107+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN-3362906.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.25 грн
10+43.93 грн
100+35.02 грн
500+32.68 грн
1000+29.50 грн
5000+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NS description irf630n.pdf
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+34.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F679A2B26A9F1A303005056AB0C4F&compId=irf630npbf.pdf?ci_sign=b3ec9a3a45ee887745bbace6fe26eecf9c91c34a
IRF630NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 82W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+70.43 грн
9+47.43 грн
25+41.84 грн
26+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F679A2B26A9F1A303005056AB0C4F&compId=irf630npbf.pdf?ci_sign=b3ec9a3a45ee887745bbace6fe26eecf9c91c34a
IRF630NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 82W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.52 грн
5+59.11 грн
25+50.21 грн
26+43.78 грн
70+41.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f
IRF630PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+61.10 грн
10+49.88 грн
34+27.66 грн
93+26.16 грн
500+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f
IRF630PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 561 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.31 грн
10+62.15 грн
34+33.19 грн
93+31.39 грн
500+31.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 4677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.69 грн
10+48.89 грн
100+42.06 грн
500+40.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF-BE3 irf630.pdf
IRF630PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.96 грн
10+45.67 грн
100+38.80 грн
500+37.14 грн
1000+36.54 грн
2000+33.28 грн
5000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630S sih630s.pdf
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a
IRF630SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+67.04 грн
23+40.50 грн
63+38.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a
IRF630SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.44 грн
23+50.47 грн
63+46.05 грн
250+45.95 грн
1000+44.35 грн
5000+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 4842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.13 грн
10+77.07 грн
100+65.73 грн
500+54.01 грн
1000+47.73 грн
2000+46.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRLPBF sih630s.pdf
IRF630STRLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.91 грн
10+110.47 грн
100+69.59 грн
500+48.79 грн
2400+46.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRRPBF sih630s.pdf
IRF630STRRPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.14 грн
10+112.21 грн
100+70.88 грн
800+52.50 грн
2400+49.09 грн
4800+47.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MRF 630-AMMO ds-cp-mrf-series.pdf
Виробник: BEL
Category: Fuses TR5 - Time-Lag
Description: Fuse: fuse
Type of fuse: fuse
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+29.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор полевой IRF630; 200V 9A; 75W; 0,4R; N-канальный; корпус: ТО220; STM (шт)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+700.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF630N 9A 200V N-ch TO-220
на замовлення 23 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
23+26.00 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BRF6300
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BRF6300CZSLR
Виробник: TI
BGA
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A FAIRS05946-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: FSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630B
Виробник: Fairchild
на замовлення 10005 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630B_FP001 IRF630B.pdf
Виробник: FAIRCHILD
f24
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630FP en.CD00000701.pdf
на замовлення 978 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630M
Виробник: ST
TO-220
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630MF
Виробник: ST
00+ TO-220
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630MFP
Виробник: ST
09+ SON-8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N IR
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N-R4942
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRR irf630n.pdf
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630ST4
Виробник: ST
SMD-220
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRR
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRRPBF sih630s.pdf
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRF630
Виробник: MOT
CAN
на замовлення 617 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRF630
Виробник: MSC
00+
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRF630
Виробник: MOT
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRF630
Виробник: MOT
CAN
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P25RF6300F003
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBRF6300
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBRF6300BZSL
Виробник: TI
BGA
на замовлення 3068 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PRF6301AA
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PRF6302AA
на замовлення 4120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TRF6301
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C962A4918469&compId=IRF640PBF.pdf?ci_sign=0799af496a8e6d330d1707a5c8be56fcf188d5dc
IRF640PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+128.98 грн
10+106.37 грн
27+34.67 грн
74+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 (TO-220, ST)
Код товару: 3058
Додати до обраних Обраний товар

IRF630 (TO-220, ST)
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 600/19
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+15.00 грн
10+14.50 грн
100+13.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6302
Код товару: 31879
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A
Код товару: 18853
Додати до обраних Обраний товар

IRF630A.pdf
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9 A
Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]