Продукція > FDP

Description: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 1M

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP-14-T

Panasonic Industrial Automation

Headers & Wire Housings 14P DIP PLUG TIN PLATED

товар відсутній

FDP-1500

Sensor Fixings & Accessories PROTECTIVE TUBE FOR M6 DIF. FIBER, 1.5M LENGTH

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2504.5 грн
10+	2221.85 грн
25+	1846.03 грн

FDP-16-T

Conn IDC Connector M 16 POS 1.27mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-24-T

Conn IDC Connector PL 24 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole Tray

товар відсутній

FDP-308-T

FDP-308-T

товар відсутній

FDP-308-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 8P 2.54MM PI
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 8
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

на замовлення 357 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.78 грн
10+	36.06 грн
25+	34.57 грн
40+	31.76 грн
204+	30.39 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDP-310-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 10P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 10
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

на замовлення 272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.15 грн
10+	52.25 грн
25+	46.95 грн
40+	41.76 грн
80+	38.59 грн
230+	34.29 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP-310-T

Headers & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 10P 2.54MM P

товар відсутній

FDP-310-T

Conn IDC Connector PL 10 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-314-G

CONNECTOR, IDC DIP PLUG

товар відсутній

FDP-314-SG

CONNECTOR, IDC DIP PLUG

товар відсутній

FDP-314-T

Conn IDC Connector PL 14 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-314-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 14P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 14
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

на замовлення 77 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.93 грн
10+	58.65 грн
25+	56.26 грн
40+	51.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP-314-T

Headers & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 14P 2.54MM P

товар відсутній

FDP-314-T

FDP-314-T

товар відсутній

FDP-316-SG

FDP-316-SG

товар відсутній

FDP-316-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 16P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 16
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

на замовлення 154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.99 грн
10+	84.55 грн
25+	81.07 грн
40+	74.46 грн
120+	71.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP-316-T

Conn IDC Connector PL 16 POS 1.27mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-318-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 18P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 18
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

на замовлення 272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	107.12 грн
10+	90.05 грн
25+	86.22 грн
40+	79.14 грн
108+	75.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP-318-T

Conn IDC Connector PL 18 POS 1.27mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-318-T

Flat Cable IDC Plug 18P 2.54mm Pitch

товар відсутній

FDP-320-T

Flat Cable IDC Plug 20P 2.54mm Pitch

товар відсутній

FDP-320-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 20P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 20
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

товар відсутній

FDP-324-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 24P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 24
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

на замовлення 132 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.06 грн
10+	98.63 грн
25+	94.45 грн
40+	86.66 грн
84+	82.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP-324-T

Conn IDC Connector PL 24 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-328-T

Flat Cable IDC Plug 28P 2.54mm Pitch

товар відсутній

FDP-328-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 28P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 28
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

на замовлення 83 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.23 грн
10+	107.22 грн
25+	102.67 грн
72+	94.2 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP-334-T

Conn IDC Connector PL 34 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-500

Description: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 500MM

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP-624-T

Conn IDC Connector PL 24 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-624-T

Flat Cable IDC Plug 24P 2.54mm Pitch

товар відсутній

FDP-624-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 24P 2.54MM P

на замовлення 169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP-628-T

Conn IDC Connector PL 28 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-628-T

Flat Cable IDC Plug 28P 2.54mm Pitch

товар відсутній

FDP-628-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 28P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 28
Row Spacing: 0.600" (15.24mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

на замовлення 168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.21 грн
10+	84.25 грн
25+	80.83 грн
60+	74.24 грн
120+	71.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP-632-T

Conn IDC Connector PL 32 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-632-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 32P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 32
Row Spacing: 0.600" (15.24mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

на замовлення 249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.06 грн
10+	98.63 грн
25+	94.45 грн
60+	86.66 грн
120+	82.73 грн
240+	74.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP-632-T

Conn IDC Connector PL 32 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP-632-T

Conn IDC Connector PL 32 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-634-T

Conn IDC Connector PL 34 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-636-T

Conn IDC Connector PL 36 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-636-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 36P 2.54MM P

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP-636-T

FDP-636-T

товар відсутній

FDP-640-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 40P 2.54MM P

на замовлення 123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP-640-T

Panasonic Industrial Automation

Conn IDC Connector PL 40 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-N1000

Sensor Fixings & Accessories PROTECTIVE TUBE FOR M4 DIF. FIBER, 1M LENGTH

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2431.14 грн
10+	2157.02 грн
25+	1791.82 грн

FDP-N1000

Description: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1M
Packaging: Box
For Use With/Related Products: FX-300 Series
Accessory Type: Protective Tube

товар відсутній

FDP-N500

Description: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 500MM

товар відсутній

FDP01

ECUGEN

на замовлення 73 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP020N06B

FET 60V 1.5 MOHM TO220

товар відсутній

FDP020N06B-F102

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20930 pF @ 30 V

на замовлення 1705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	440.2 грн
10+	284.9 грн
100+	206.09 грн
500+	162.3 грн

FDP020N06B-F102

на замовлення 720 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP020N06B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP020N06B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP020N06B-F102

Description: ONSEMI - FDP020N06B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDP020N06B-F102

MOSFETs N-Channel PwrTrench 60V 313A 2mOhm

на замовлення 692 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	465.48 грн
10+	325.84 грн
50+	242.14 грн
100+	205.28 грн
500+	193.71 грн

FDP022AN03LD0-EVAL

на замовлення 1672 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP023601-20

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP023N08B

Description: ONSEMI - FDP023N08B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

157+	199.46 грн

Мінімальне замовлення: 157

FDP023N08B

onsemi FET 80V 2.7 MOHM TO220

товар відсутній

FDP023N08B

Description: 75V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

FDP023N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 75V 242A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP023N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 75V 242A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP023N08B-F102

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13765 pF @ 37.5 V

на замовлення 703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	265.06 грн
50+	202.19 грн
100+	173.31 грн
500+	144.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP023N08B-F102

Description: ONSEMI - FDP023N08B-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 20529 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	167.84 грн

Мінімальне замовлення: 1000

FDP023N08B-F102

MOSFET FET 75V 2.35 MOHM TO220

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	284.18 грн
10+	237.73 грн
50+	203.83 грн
100+	150.34 грн
250+	130.1 грн
500+	123.6 грн
1000+	119.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP025N06

на замовлення 950 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP025N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP025N06
Код товару: 189620

товар відсутній

FDP025N06

MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench

на замовлення 1131 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	260.57 грн
10+	224.43 грн
25+	188.65 грн
100+	162.63 грн
250+	161.91 грн
500+	153.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP025N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP025N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP025N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V

на замовлення 943 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	391.72 грн
10+	252.45 грн
100+	181.35 грн
500+	141.66 грн

FDP027N08B

onsemi FET 80V 2.7 MOHM TO220

товар відсутній

FDP027N08B

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V

товар відсутній

FDP027N08B-F102

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	229.09 грн
50+	175.07 грн
100+	150.06 грн
500+	125.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP027N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 223A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP027N08B-F102

Description: ONSEMI - FDP027N08B-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 223 A, 0.00221 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 246W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00221ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 82 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	266.76 грн
10+	188.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP027N08B-F102

MOSFETs N-Channel PwrTrench 80V 223A 2.7mOhm

на замовлення 1867 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	245.39 грн
10+	204.48 грн
25+	167.69 грн
100+	129.38 грн
500+	106.25 грн
800+	102.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP027N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 223A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP027N08B-F102
Код товару: 194545

товар відсутній

FDP027N08B_F102

Description: FDP027N08B_F102

на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP030N06

MOSFETs NCH 60V 3.0Mohm

на замовлення 939 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	298.52 грн
10+	254.35 грн
25+	206.72 грн
100+	177.81 грн
500+	150.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP030N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V

на замовлення 859 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	387.03 грн
10+	248.99 грн
100+	178.73 грн
500+	139.53 грн

FDP030N06

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 138A; 205W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 138A
Power dissipation: 205W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDP030N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP030N06

товар відсутній

FDP030N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP030N06

Description: ONSEMI - FDP030N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	302.44 грн
10+	233.52 грн
100+	210.82 грн
500+	131.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP030N06B

Description: 1-ELEMENT, N-CHANNEL, MOS FET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

185+	113.77 грн

Мінімальне замовлення: 185

FDP030N06B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP030N06B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 138050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	150 грн
10+	127.35 грн
100+	107.31 грн
250+	98.36 грн
500+	82.72 грн
800+	67.84 грн
2400+	63.63 грн
5600+	62.13 грн
10400+	60.88 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP030N06B-F102

на замовлення 134 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP030N06B-F102

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V

на замовлення 1479 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	193.12 грн
10+	121.22 грн
100+	84.07 грн
500+	64 грн
1000+	63.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP030N06B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	79.69 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDP030N06B-F102

Description: ONSEMI - FDP030N06B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDP030N06B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	92.67 грн
2400+	88.58 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDP030N06B-F102

MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 195A, 3.1mO

на замовлення 421 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	199.85 грн
10+	138.81 грн
100+	83.84 грн
500+	70.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP032N08

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V

на замовлення 675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	332.3 грн
10+	215.64 грн
100+	182.87 грн

FDP032N08

Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP032N08

Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 37691 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	258.34 грн
10+	239.45 грн
50+	237.09 грн
100+	221.31 грн
250+	200.98 грн
500+	182.34 грн
1000+	165.3 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP032N08

MOSFETs 75V N-Channel PowerTrench

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	269 грн
10+	222.77 грн
50+	190.82 грн
100+	188.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP032N08

Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP032N08

Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 37691 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	278.22 грн
48+	257.86 грн
50+	255.33 грн
100+	238.33 грн
250+	216.44 грн
500+	196.37 грн
1000+	178.01 грн

Мінімальне замовлення: 45

FDP032N08-F102

MOSFET PT3 MV 75V 3.2mohm for Delta

товар відсутній

FDP032N08-F102

Description: ONSEMI - FDP032N08-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

FDP032N08-F102

N-Channel PowerTrench® MOSFET

товар відсутній

FDP032N08-F102

Description: MOSFET N-CHANNEL 75V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP032N08-F102

N-Channel PowerTrench® MOSFET

товар відсутній

FDP032N08B

Description: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 80V
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

FDP032N08B

onsemi FET 80V 3.1 MOHM TO220

товар відсутній

FDP032N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP032N08B-F102

MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 211A, 3.3mO

на замовлення 424 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	173.71 грн
10+	137.98 грн
25+	110.59 грн
100+	92.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP032N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP032N08B-F102

Description: ONSEMI - FDP032N08B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDP032N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP032N08B-F102

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10965 pF @ 40 V

на замовлення 343 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	190.78 грн
10+	120.54 грн
100+	86.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP036N10A

Description: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	439.47 грн
10+	316.22 грн
100+	260.28 грн
500+	207.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP036N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	423.11 грн
10+	376.21 грн
100+	305.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP036N10A

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V

на замовлення 1531 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	432.38 грн
10+	280.01 грн
100+	202.32 грн
500+	158.74 грн

FDP036N10A
Код товару: 94301

Мікросхеми > Інші мікросхеми
8542 39 90 00

товар відсутній

FDP036N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	455.66 грн
31+	405.15 грн
100+	328.81 грн

Мінімальне замовлення: 27

FDP036N10A

Fairchild/ON Semiconductor

MOSFETs PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET

на замовлення 2862 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	437.66 грн
10+	320.02 грн
100+	201.66 грн
500+	192.26 грн

FDP036N10A

N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 120 А; Ptot, Вт = 227; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 7295 @ 25; Qg, нКл = 116 @ 10 В; Rds = 3,6 мОм @ 75 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB-3

на замовлення 10 шт:

термін постачання 3-4 дні (днів)

2+	416.74 грн
10+	388.95 грн
100+	361.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP036N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP036N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP038AN06

на замовлення 5863 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP038AN06A0

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 76 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	310.39 грн
3+	269.28 грн
6+	207.8 грн
15+	196.06 грн
250+	192.45 грн

FDP038AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	258.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP038AN06A0
Код товару: 51728

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

FDP038AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP038AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

62+	200.58 грн
63+	196.66 грн
73+	169.99 грн
100+	140.28 грн
250+	126.84 грн
500+	120.55 грн

Мінімальне замовлення: 62

FDP038AN06A0

MOSFETs 60V 80a .38 Ohms/VGS=1V

на замовлення 6457 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	210.82 грн
10+	205.31 грн
50+	154.68 грн
100+	122.15 грн
250+	119.98 грн
800+	117.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP038AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP038AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP038AN06A0

на замовлення 76 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	258.66 грн
3+	216.09 грн
6+	173.17 грн
15+	163.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP038AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	186.07 грн
10+	182.44 грн
50+	157.69 грн
100+	130.13 грн
250+	117.66 грн
500+	111.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP038AN06A0

Description: ONSEMI - FDP038AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDP038AN06A0-F102

N-Channel PowerTrench MOSFET

товар відсутній

FDP038AN06A0-F102

N-Channel PowerTrench MOSFET

товар відсутній

FDP038AN06A0-F102

Description: ONSEMI - FDP038AN06A0-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDP038AN06A0-F102

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP038AN06A0-F102

MOSFET 60V80A3.8OHMS MOSFET NCH PWR TRENCH

товар відсутній

FDP038AN06A0_Q

MOSFET

товар відсутній

FDP039N08B

Description: ONSEMI - FDP039N08B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

149+	209.2 грн

Мінімальне замовлення: 149

FDP039N08B

onsemi FET 80V 3.9 MOHM TO220

товар відсутній

FDP039N08B

Description: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 80V
Packaging: Bulk

на замовлення 798 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

124+	169.95 грн

Мінімальне замовлення: 124

FDP039N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP039N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 293 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	211.8 грн
10+	206.2 грн
25+	176.15 грн
100+	168.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP039N08B-F102

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 40 V

на замовлення 418 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	606.74 грн
10+	399.57 грн
100+	294.88 грн

FDP039N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP039N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP039N08B-F102

Description: ONSEMI - FDP039N08B-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	371.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDP039N08B-F102

MOSFETs Hi Intg PWM contrlr Green-Mode

на замовлення 1305 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	590.29 грн
10+	457.17 грн
50+	396.82 грн
100+	292.73 грн
500+	273.22 грн

FDP039N08B-F102

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 40 V

на замовлення 399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

67+	317.43 грн

Мінімальне замовлення: 67

FDP040N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

161+	131.33 грн

Мінімальне замовлення: 161

FDP040N06

Trans MOSFET N-CH 60V 168A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

FDP040N06

Description: ONSEMI - FDP040N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

194+	160.54 грн

Мінімальне замовлення: 194

FDP040N06

MOSFET PT3 Low Qg 60V, 4.0Mohm

товар відсутній

FDP045N10A

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V

товар відсутній

FDP045N10A

FET 100V 4.5 MOHM TO220

товар відсутній

FDP045N10A-F032

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V

товар відсутній

FDP045N10A-F032

товар відсутній

FDP045N10A-F032

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP045N10A-F102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP045N10A-F102

MOSFETs 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

на замовлення 752 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	317.07 грн
10+	257.68 грн
25+	216.12 грн
100+	159.74 грн
500+	140.22 грн
800+	132.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP045N10A-F102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 786 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	301.26 грн
50+	248.22 грн
100+	208.54 грн
250+	185.43 грн
500+	166.52 грн

Мінімальне замовлення: 41

FDP045N10A-F102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 786 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	283.01 грн
10+	279.75 грн
50+	230.49 грн
100+	193.64 грн
250+	172.18 грн
500+	154.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP045N10A-F102

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V

на замовлення 198711 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	295.55 грн
50+	225.45 грн
100+	193.25 грн
500+	161.21 грн
1000+	138.03 грн
2000+	129.97 грн
5000+	122.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP045N10A-F102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP045N10A-F102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP045N10A-F102

Description: ONSEMI - FDP045N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1166 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	339.74 грн
10+	242.44 грн
100+	207.57 грн
500+	176.94 грн
1000+	148.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP045N10AF102

Description: 120A, 100V, N-CHANNEL POWER MOSF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V

товар відсутній

FDP047AN08A0

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	273.41 грн
3+	237.38 грн
6+	181.6 грн
17+	171.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP047AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP047AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	173.58 грн
10+	167.66 грн
50+	152.84 грн
100+	134.46 грн
250+	122.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP047AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP047AN08A0

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	227.84 грн
3+	190.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP047AN08A0
Код товару: 119329

товар відсутній

FDP047AN08A0

MOSFETs 75V N-Ch PowerTrench

на замовлення 851 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	260.57 грн
10+	241.05 грн
50+	177.09 грн
100+	151.07 грн
250+	148.9 грн
500+	134.44 грн
800+	119.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP047AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 288 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

66+	185.9 грн
69+	179.56 грн
75+	163.69 грн
100+	144.01 грн
250+	131.54 грн

Мінімальне замовлення: 66

FDP047AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V

на замовлення 1823 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	242.38 грн
50+	184.65 грн
100+	158.27 грн
500+	132.03 грн
1000+	113.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP047AN08A0-F102

MOSFETs SNGL NCH 75V 4.7MOHM ULTRAFET TRENCH

товар відсутній

FDP047AN08A0-F102

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V

товар відсутній

FDP047AN08A0_NL

на замовлення 11629 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP047AN08AO

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP047AN08AO

07+ QFP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP047AN08AO

08+

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP047N08

Trans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP047N08

Trans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP047N08

на замовлення 740 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP047N08

Description: MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 25 V

на замовлення 34178 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	236.13 грн
50+	180.26 грн
100+	154.51 грн
500+	128.89 грн
1000+	110.36 грн
2000+	103.92 грн
5000+	98.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP047N08

MOSFETs 75V N-Channel PowerTrench

на замовлення 3974 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	256.35 грн
10+	212.79 грн
50+	174.19 грн
100+	134.44 грн
250+	127.94 грн
500+	110.59 грн
800+	106.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP047N08-F10

Description: ONSEMI - FDP047N08-F10 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

117+	267.58 грн

Мінімальне замовлення: 117

FDP047N08-F10

Description: 164A, 75V, N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

97+	223.77 грн

Мінімальне замовлення: 97

FDP047N08-F102

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 116A; Idm: 656A; 168W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 116A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 168W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.05 грн
8+	113.69 грн
22+	107.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP047N08-F102

Description: ONSEMI - FDP047N08-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 9472 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	116.76 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDP047N08-F102

на замовлення 3196 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	201.72 грн
10+	161.58 грн
100+	128.64 грн
800+	102.15 грн
1600+	86.68 грн
2400+	82.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP047N08-F102

MOSFET PT3 75V

товар відсутній

FDP047N08-F102

Trans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP047N08-F102

Trans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP047N08-F102

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	205.3 грн
3+	178.27 грн
8+	136.43 грн
22+	129.2 грн
250+	124.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP047N10

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench

на замовлення 4941 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	331.4 грн
10+	262.67 грн
25+	206.72 грн
100+	179.25 грн
500+	163.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	207.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP047N10

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V

на замовлення 102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	328.39 грн
50+	250.62 грн
100+	214.82 грн

FDP050AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP050AN06A0

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; 245W; TO220AB
Technology: PowerTrench®
Case: TO220AB
Mounting: THT
On-state resistance: 11mΩ
Kind of package: tube
Power dissipation: 245W
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDP050AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V

на замовлення 3292 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	258.8 грн
10+	163.38 грн
100+	114.32 грн
500+	87.56 грн
1000+	81.21 грн
2000+	78.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP050AN06A0

товар відсутній

FDP050AN06A0

MOSFETs N-Channel PowerTrench

на замовлення 1524 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	227.68 грн
10+	180.37 грн
100+	128.66 грн
500+	109.14 грн
800+	93.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP050AN06A0

Description: ONSEMI - FDP050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	246.49 грн
10+	175.95 грн
100+	140.27 грн
500+	97.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP050AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP050AN06A0_Q

MOSFET N-Channel PowerTrench

товар відсутній

FDP053N08B

FET 60V 5.0 MOHM TO220

товар відсутній

FDP053N08B-F102

Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5960 pF @ 40 V

на замовлення 1540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	152.47 грн
50+	117.65 грн
100+	96.8 грн
500+	76.87 грн
1000+	65.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP053N08B-F102

Description: ONSEMI - FDP053N08B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDP053N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP053N08B-F102

MOSFETs Smart Power Module

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	167.81 грн
10+	133.83 грн
100+	85.29 грн
500+	69.24 грн
800+	61.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP053N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP054N10

Trans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP054N10

MOSFETs 100V N-Chan PowerTrench MOSFET

на замовлення 1039 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	404.77 грн
10+	363.24 грн
25+	274.66 грн
100+	235.63 грн
250+	228.4 грн
500+	209.61 грн
1000+	178.53 грн

FDP054N10

Trans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP054N10

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13280 pF @ 25 V

на замовлення 1676 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	371.39 грн
50+	283.17 грн
100+	242.72 грн
500+	202.47 грн
1000+	173.37 грн

FDP054N10

Description: ONSEMI - FDP054N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 263
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

товар відсутній

FDP060AN08

на замовлення 5589 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP060AN08A0

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 255W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 255W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	204.33 грн
3+	170.16 грн
7+	130.25 грн
19+	123.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP060AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V

на замовлення 10757 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	276 грн
10+	174.75 грн
100+	122.73 грн
500+	94.28 грн
1000+	87.56 грн
2000+	86.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP060AN08A0

Description: ONSEMI - FDP060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	242.44 грн
10+	170.28 грн
100+	144.33 грн
500+	98.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP060AN08A0

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	245.2 грн
3+	212.04 грн
7+	156.31 грн
19+	148.17 грн
250+	145.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP060AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP060AN08A0

MOSFETs 75V 80a .6Ohms/VGS=1V

на замовлення 3922 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	222.62 грн
10+	209.47 грн
50+	151.07 грн
100+	129.38 грн
250+	128.66 грн
500+	104.81 грн
800+	92.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP060AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP060AN08A0_Q

MOSFET

товар відсутній

FDP070AN06A0

Description: ONSEMI - FDP070AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 767 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP070AN06A0

на замовлення 770 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP070AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP070AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP070AN06A0

MOSFET N-Channel PwrTrench

на замовлення 852 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	188.05 грн
10+	154.61 грн
100+	106.25 грн
250+	105.53 грн
500+	78.79 грн
800+	70.62 грн
5600+	70.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP070AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 15A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	197.03 грн
10+	170.39 грн
100+	136.95 грн
500+	105.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP075N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V

товар відсутній

FDP075N15A

FET 150V 7.5 MOHM TO220

товар відсутній

FDP075N15A-F032

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V

товар відсутній

FDP075N15A-F102

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP075N15A-F102

MOSFETs 150V NChan PwrTrench

на замовлення 3069 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	343.21 грн
50+	290.1 грн

FDP075N15A-F102

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP075N15A-F102

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	287.45 грн

Мінімальне замовлення: 43

FDP075N15A-F102

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	285.06 грн
10+	282.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP075N15A-F102

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	269.73 грн
10+	267 грн
50+	266.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP075N15A-F102

Description: ONSEMI - FDP075N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 0.00625 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 694 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	369.74 грн
5+	341.36 грн
10+	312.17 грн
50+	263.52 грн
100+	238.38 грн
250+	233.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP075N15A-F102

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	380.77 грн
10+	248.84 грн
100+	219.12 грн

FDP075N15A-F102

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5693 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	317.04 грн
40+	313.85 грн
50+	261.46 грн
100+	235.89 грн
500+	216.22 грн
800+	205.47 грн

Мінімальне замовлення: 39

FDP075N15A-F102

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 92A
Power dissipation: 333W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 38 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	620.77 грн
3+	418.46 грн
8+	381.28 грн

FDP075N15A-F102

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5693 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	294.39 грн
10+	291.43 грн
50+	242.78 грн
100+	219.04 грн
500+	200.78 грн
800+	190.8 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP075N15A-F102

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	259.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP075N15A-F102

на замовлення 38 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	517.31 грн
3+	335.8 грн
8+	317.73 грн

FDP075N15A-F102

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	306.92 грн

Мінімальне замовлення: 40

FDP075N15A-F102

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP075N15A_F102
Код товару: 154614

товар відсутній

FDP075N15A_F102

MOSFET 150V NChan PwrTrench

товар відсутній

FDP083N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3

товар відсутній

FDP083N15A

onsemi FET 150V 8.3 MOHM TO220

товар відсутній

FDP083N15A-F102

Description: ONSEMI - FDP083N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 117 A, 0.00685 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 117A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00685ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 1917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	401.36 грн
10+	291.09 грн
100+	248.93 грн
500+	182.21 грн
1000+	166.1 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP083N15A-F102

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	342.61 грн
40+	312.78 грн
41+	299.57 грн
100+	252.69 грн
500+	203.72 грн
1000+	168.34 грн

Мінімальне замовлення: 36

FDP083N15A-F102

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 294W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
On-state resistance: 8.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 29 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	387.25 грн
4+	284.29 грн
11+	258.4 грн
100+	251.17 грн
400+	248.46 грн

FDP083N15A-F102

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 878 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	179.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP083N15A-F102

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	322.71 грн
4+	228.13 грн
11+	215.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP083N15A-F102

Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V

на замовлення 4335 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	401.88 грн
10+	258.78 грн
100+	186.15 грн
500+	145.56 грн
1000+	143.63 грн

FDP083N15A-F102

MOSFETs 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

на замовлення 8757 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	387.06 грн
10+	295.91 грн
100+	185.76 грн
250+	185.04 грн
500+	157.57 грн

FDP083N15A_F102

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	308.58 грн
10+	278.55 грн
50+	262.96 грн
100+	213.26 грн
500+	178.53 грн
800+	150.99 грн
1000+	142.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP083N15A_F102

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP083N15A_F102

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	331.54 грн
41+	299.28 грн
50+	282.52 грн
100+	229.13 грн
500+	191.81 грн
800+	162.23 грн
1000+	153.54 грн

Мінімальне замовлення: 37

FDP083N15A_F102

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP085N10A

Description: MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V

товар відсутній

FDP085N10A-F102

Description: MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V

на замовлення 1733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	202.51 грн
50+	157.03 грн
100+	129.21 грн
500+	102.6 грн
1000+	87.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP085N10A-F102

Trans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP085N10A-F102

MOSFET 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

на замовлення 3803 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	218.41 грн
10+	178.71 грн
100+	123.6 грн
250+	117.82 грн
500+	103.36 грн
1000+	88.9 грн
2500+	85.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP085N10A-F102

Description: ONSEMI - FDP085N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.00735 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00735ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1023 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	235.95 грн
10+	141.08 грн
100+	120 грн
500+	92.61 грн
1000+	84.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP085N10A-F102

Trans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP085N10A-F102

Trans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP090N10

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

83+	148.77 грн
1000+	123.33 грн
2000+	122.96 грн

Мінімальне замовлення: 83

FDP090N10

MOSFETs 100V 75A N-Chan PowerTrench

на замовлення 8131 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	191.42 грн
50+	149.62 грн
100+	112.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP090N10

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP090N10

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP090N10

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	150.98 грн
1000+	125.16 грн
2000+	124.78 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDP090N10

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8225 pF @ 25 V

на замовлення 14335 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	226.74 грн
10+	144.33 грн
100+	109.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP090N10

TO-220 09+

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP100N10

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP100N10

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP100N10

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	253.33 грн
50+	193.27 грн
100+	165.67 грн
500+	138.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP100N10

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench

на замовлення 789 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	274.9 грн
10+	230.25 грн
50+	187.21 грн
100+	141.67 грн
500+	117.09 грн
800+	114.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP100N10

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	138.96 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP100N10

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

159+	136.42 грн

Мінімальне замовлення: 159

FDP10AN06A0

Description: ONSEMI - FDP10AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 5110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

255+	122.44 грн

Мінімальне замовлення: 255

FDP10AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V

на замовлення 5110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

211+	103.95 грн

Мінімальне замовлення: 211

FDP10N60NZ

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 5771 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

229+	92 грн

Мінімальне замовлення: 229

FDP10N60NZ

Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP120AN15A0

Description: ONSEMI - FDP120AN15A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 9998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

369+	84.33 грн

Мінімальне замовлення: 369

FDP120AN15A0

Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

FDP120AN15A0

Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V

на замовлення 13998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

307+	71.74 грн

Мінімальне замовлення: 307

FDP120N10

Trans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP120N10

Description: MOSFET N-CH 100V 74A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V

на замовлення 256 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	225.96 грн
10+	141.85 грн
100+	98.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP120N10

MOSFETs N Chan 100V 12Mohm

товар відсутній

FDP120N10

Trans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP120N10

Trans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP12N50

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP12N50

Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP12N50

Description: ONSEMI - FDP12N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.55 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 165
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 165
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDP12N50

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V

на замовлення 304 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

304+	82.88 грн

Мінімальне замовлення: 304

FDP12N50

MOSFET 500V N-Channel

товар відсутній

FDP12N50NZ

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP12N50NZ

Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP12N50NZ

Description: ONSEMI - FDP12N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.46 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	154.87 грн
10+	152.44 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP12N50NZ

MOSFET 500V N-Chan MOSFET UniFET-II

товар відсутній

FDP12N50NZ

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP12N50NZ

Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP12N60NZ

MOSFET The factory is currently not accepting orders for this product.

товар відсутній

FDP12N60NZ

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1676 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP12N60NZ

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP13AN06A0

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP13AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

на замовлення 24718 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

307+	76.62 грн

Мінімальне замовлення: 307

FDP13AN06A0

Description: ONSEMI - FDP13AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 23918 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

369+	84.33 грн

Мінімальне замовлення: 369

FDP13AN06A0_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

FDP13AN06A0

на замовлення 2080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP14AN06LA0

Description: MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP14AN06LA0

на замовлення 780 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP14AN06LA0

Trans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

FDP14AN06LA0

на замовлення 14481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

109+	203.32 грн

Мінімальне замовлення: 109

FDP150N10

Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V

на замовлення 2676 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	239.25 грн
10+	150.43 грн
100+	104.78 грн
500+	79.97 грн
1000+	74.06 грн
2000+	70.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP150N10

Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP150N10

Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP150N10

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	203.23 грн
10+	161.26 грн
100+	114.93 грн
250+	106.25 грн
500+	96.86 грн
800+	83.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP150N10A

onsemi FET 100V 15.0 MOHM TO220

товар відсутній

FDP150N10A

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 50 V

товар відсутній

FDP150N10A-F102

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube

товар відсутній

FDP150N10A-F102

на замовлення 670 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP150N10A-F102

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 50 V

на замовлення 7806 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	235.34 грн
10+	147.65 грн
100+	102.66 грн
500+	78.29 грн
1000+	72.48 грн
2000+	69.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP150N10A-F102

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP150N10A-F102

Description: ONSEMI - FDP150N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0125 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	216.49 грн
10+	158.92 грн
100+	116.76 грн
500+	85.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP150N10A-F102

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP150N10A-F102
Код товару: 150159

Транзистори > Біполярні NPN

товар відсутній

FDP150N10A-F102

MOSFETs N-Channel PwrTrench 100V 50A 15mOhm

на замовлення 11890 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	198.17 грн
10+	162.09 грн
100+	112.03 грн
250+	103.36 грн
500+	93.96 грн
800+	81.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP15N40

Description: ONSEMI - FDP15N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 15 A, 0.24 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDP15N40

MOSFET 400V N-Channel

товар відсутній

FDP15N40

Trans MOSFET N-CH 400V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP15N40

Description: MOSFET N-CH 400V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP15N50

MOSFET 15a 500V N-Ch SMPS Power MOSFET

товар відсутній

FDP15N50

Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP15N50

Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

на замовлення 4853 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

135+	157.31 грн

Мінімальне замовлення: 135

FDP15N50

Description: ONSEMI - FDP15N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 4853 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

163+	191.36 грн

Мінімальне замовлення: 163

FDP15N50F102

Description: 15A, 500V, 0.38OHM, N CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

FDP15N65

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP15N65

MOSFETs SINGLE N-CH 500V .38OHM SMPS PWR

товар відсутній

FDP16AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP16AN08A0

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 44A; 135W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDP16AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

259+	47.34 грн

Мінімальне замовлення: 259

FDP16AN08A0

Description: ONSEMI - FDP16AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	78.57 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDP16AN08A0

MOSFETs 75V 58a 0.016 Ohms/VGS=10V

на замовлення 895 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.01 грн
10+	75.06 грн
100+	56.74 грн
500+	55.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP16AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP16AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	61.6 грн
14+	43.96 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDP16AN08A0

товар відсутній

FDP16AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.7 грн
10+	83.05 грн
100+	57.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP16N50

Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945 pF @ 25 V

на замовлення 14108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

231+	91.3 грн

Мінімальне замовлення: 231

FDP18N20F

Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP18N20F

Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	72.96 грн
10+	66.5 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDP18N20F

Description: ONSEMI - FDP18N20F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.12 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDP18N20F

MOSFET 200V N-Channel

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.55 грн
10+	117.2 грн
100+	78.79 грн
500+	65.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP18N20F

Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP18N20F

Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP18N50

Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 25 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	128.87 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP18N50

Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 808 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	201.65 грн
10+	193.23 грн
50+	125.98 грн
100+	111.46 грн
500+	89.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP18N50

Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4821 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	178.27 грн
10+	171.72 грн
50+	121.26 грн
100+	108.59 грн
500+	88.7 грн
1000+	80.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP18N50

Description: ONSEMI - FDP18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.265 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 13130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	230.28 грн
10+	141.08 грн
100+	126.49 грн
500+	111.43 грн
1000+	83.4 грн
2000+	79.23 грн
5000+	77.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP18N50

MOSFETs 500V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 5410 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	241.17 грн
10+	188.69 грн
50+	139.5 грн
100+	112.76 грн
500+	111.31 грн
1000+	91.07 грн
5000+	88.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP18N50

Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 9921 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.35 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP18N50

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 42 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	232.55 грн
3+	202.66 грн
8+	149.08 грн
20+	140.95 грн
250+	135.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP18N50

Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP18N50

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	162.63 грн
8+	124.23 грн
20+	117.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP18N50

Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 808 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

57+	217.16 грн

Мінімальне замовлення: 57

FDP18N50

Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V

на замовлення 365 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	260.36 грн
10+	164.44 грн
100+	115.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP18N50

Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

64+	191.75 грн
67+	184.71 грн
94+	130.43 грн
102+	116.8 грн
500+	95.41 грн
1000+	86.49 грн

Мінімальне замовлення: 64

FDP19N40

MOSFET UniFET, 400V

товар відсутній

FDP19N40

Trans MOSFET N-CH 400V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP19N40

Description: MOSFET N-CH 400V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP19N40

Description: MOSFET N-CH 400V 19A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 25 V

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

197+	107.45 грн

Мінімальне замовлення: 197

FDP19N40

Description: ONSEMI - FDP19N40 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDP1XSZAM63R262X

CONEC

D-Sub Standard Connectors

товар відсутній

FDP20AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO-220AB

товар відсутній

FDP20AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP20N40

MOSFET 20a 400V N-Ch SMPS Power MOSFET

товар відсутній

FDP20N50

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

42+	296.35 грн
45+	273.89 грн
49+	252.27 грн
52+	230.03 грн
100+	202.59 грн
500+	187.72 грн

Мінімальне замовлення: 42

FDP20N50

Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP20N50

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDP20N50

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP20N50

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	275.18 грн
10+	254.33 грн
25+	234.25 грн
50+	213.6 грн
100+	188.12 грн
500+	174.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP20N50

Description: ONSEMI - FDP20N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.23 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 853 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	317.85 грн
10+	252.98 грн
100+	193.79 грн
500+	128.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP20N50

MOSFETs 500V NCH UNIFET MOSFET

товар відсутній

FDP20N50F

Description: ONSEMI - FDP20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 424 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	254.6 грн
10+	179.19 грн
100+	152.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP20N50F

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP20N50F

MOSFETs 500V N-Channel

на замовлення 13101 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	269.85 грн
10+	203.65 грн
50+	167.69 грн
100+	125.04 грн
500+	122.88 грн
1000+	107.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP20N50F
Код товару: 190678

товар відсутній

FDP20N50F

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 40 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	242.28 грн
7+	174.51 грн
18+	158.11 грн
100+	155.4 грн
500+	152.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP20N50F

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP20N50F

Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V

на замовлення 1166 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	280.69 грн
10+	177.84 грн
100+	125.19 грн
500+	96.34 грн
1000+	89.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP20N50F

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	201.9 грн
7+	140.04 грн
18+	131.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP20N50F

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP22N50N
Код товару: 60060

товар відсутній

FDP22N50N

Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

57+	216.51 грн
62+	200.57 грн
100+	180.71 грн

Мінімальне замовлення: 57

FDP22N50N

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 41 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	300.66 грн
6+	209.23 грн
15+	190.64 грн
250+	184.31 грн

FDP22N50N

Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 312.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

на замовлення 834 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	327.61 грн
10+	208.86 грн
100+	148.35 грн
500+	114.95 грн

FDP22N50N

на замовлення 41 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	250.55 грн
6+	167.9 грн
15+	158.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP22N50N

Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	135.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP22N50N

Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	201.04 грн
10+	186.24 грн
100+	167.8 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP22N50N

Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	230.33 грн
10+	205.82 грн
100+	178.05 грн
500+	154.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP22N50N

Description: ONSEMI - FDP22N50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.185 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 312.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312.5
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 879 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	263.52 грн
10+	237.57 грн
100+	194.6 грн
500+	153.6 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP22N50N

Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP22N50N

MOSFETs UniFETII 500V 22A

на замовлення 2651 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	322.97 грн
10+	238.56 грн
50+	201.66 грн
100+	148.17 грн
500+	138.05 грн
1000+	132.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP24AN06LA0

Fairchild

на замовлення 5200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP24AN06LA0

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO-220AB

товар відсутній

FDP24N40

Trans MOSFET N-CH 400V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP24N40

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP24N40

Trans MOSFET N-CH 400V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	234.74 грн
10+	188.9 грн
100+	170.31 грн
500+	140.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP24N40

Description: ONSEMI - FDP24N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 24 A, 0.14 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDP24N40

TO220 09+

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP24N40

Description: MOSFET N-CH 400V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP24N40

MOSFET 400V N-Channel

товар відсутній

FDP24N40

Trans MOSFET N-CH 400V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

49+	252.8 грн
61+	203.43 грн
100+	183.41 грн
500+	151.08 грн

Мінімальне замовлення: 49

FDP2532

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Gate charge: 107nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 150V
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 56A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W

на замовлення 41 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	244.87 грн
6+	168.65 грн
15+	159.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2532

Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V

на замовлення 1722 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	325.26 грн
10+	207.2 грн
100+	147.13 грн
500+	113.97 грн
1000+	108.07 грн

FDP2532

MOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench

на замовлення 9344 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	310.32 грн
10+	237.73 грн
50+	200.22 грн
100+	146.73 грн
800+	142.39 грн
5600+	130.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP2532

Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C; FDP2532 TFDP2532
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 20 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	173.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

49+	255.31 грн
54+	227.92 грн
58+	211.99 грн
100+	177.84 грн
500+	149.1 грн
800+	117.53 грн

Мінімальне замовлення: 49

FDP2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

42+	293.5 грн
50+	247.4 грн
54+	229.18 грн
100+	170.47 грн

Мінімальне замовлення: 42

FDP2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	272.54 грн
10+	229.73 грн
50+	212.81 грн
100+	158.3 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP2532
Код товару: 44129

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263AB
Uds,V: 150 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Монтаж: SMD

товар відсутній

FDP2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	134.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP2532

на замовлення 41 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	293.85 грн
6+	210.17 грн
15+	191.54 грн
500+	184.31 грн

FDP2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	237.99 грн
10+	212.46 грн
50+	197.61 грн
100+	165.78 грн
500+	138.99 грн
800+	109.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP2532

Description: ONSEMI - FDP2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 79 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 1351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	316.22 грн
10+	222.98 грн
100+	192.17 грн
500+	152.09 грн
1000+	137.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP2552

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2552

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP2552

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 150V
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 26A
On-state resistance: 97mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W

товар відсутній

FDP2552

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	151.52 грн
10+	138.89 грн
100+	118.08 грн
500+	97.06 грн
1000+	76.3 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP2552

Description: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

на замовлення 1146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	202.51 грн
10+	126.26 грн
100+	87.19 грн
500+	66.12 грн
1000+	61.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP2552

MOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench

на замовлення 908 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	192.26 грн
10+	140.48 грн
100+	86.74 грн
500+	79.51 грн
800+	69.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP2552

товар відсутній

FDP2552_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP2552_NL

на замовлення 1717 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP2552_Q

MOSFET

товар відсутній

FDP2570

Description: MOSFET N-CH 150V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1911 pF @ 75 V

товар відсутній

FDP2570

MOSFETs TO-220 N-CH 150V 22A

товар відсутній

FDP2570_Q

MOSFETs

товар відсутній

FDP2572

09+ PLCC-44

на замовлення 850 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP2572

MOSFETs TO-220 N-CH 150V 29A

на замовлення 422 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	182.15 грн
10+	144.63 грн
100+	91.07 грн
500+	73 грн
800+	72.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP2572

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 150V
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 20A
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 135W

товар відсутній

FDP2572

товар відсутній

FDP2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	157.53 грн
100+	125.99 грн
500+	102.87 грн

Мінімальне замовлення: 50

FDP2572

Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V

на замовлення 159 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	210.32 грн
10+	131.31 грн
100+	90.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP2572

09+ TO220

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

80+	154.63 грн
100+	123.68 грн
500+	100.98 грн

Мінімальне замовлення: 80

FDP2614

Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	271.17 грн
10+	257.89 грн
50+	236.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP2614

Description: MOSFET N-CH 200V 62A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V

на замовлення 14167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	390.16 грн
10+	250.87 грн
100+	180.17 грн
500+	140.7 грн
1000+	138.08 грн

FDP2614

Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

42+	292.03 грн
45+	277.73 грн
50+	254.68 грн

Мінімальне замовлення: 42

FDP2614

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39.3A; 260W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39.3A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 260W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 99nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 82 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	407.69 грн
3+	353.72 грн
4+	271.95 грн
11+	256.59 грн
250+	247.56 грн

FDP2614

Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2614

Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2614

MOSFETs 200V N-Channel PowerTrench

на замовлення 2347 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	270.69 грн
10+	262.67 грн
50+	199.49 грн
100+	180.7 грн
250+	179.25 грн
500+	169.14 грн
800+	152.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP2614

на замовлення 82 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	339.74 грн
3+	283.85 грн
4+	226.63 грн
11+	213.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP2614

на замовлення 3960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP2670

Description: ONSEMI - FDP2670 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 6893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

228+	137.03 грн

Мінімальне замовлення: 228

FDP2670

Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 100 V

на замовлення 6893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

189+	114.77 грн

Мінімальне замовлення: 189

FDP26N40

Trans MOSFET N-CH 400V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP26N40

Description: MOSFET N-CH 400V 26A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 265W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3185 pF @ 25 V

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	204.85 грн
10+	165.42 грн
100+	133.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP26N40

MOSFET 400V N-Channel

на замовлення 2747 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	240.33 грн
10+	213.62 грн
25+	174.92 грн
100+	151.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP26N40

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 15.6A; 265W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 15.6A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 265W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V

товар відсутній

FDP26N40

Fairchild

Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 160mOhm; 26A; 265W; -55°C ~ 150°C; FDP26N40 TFDP26n40
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	136.79 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP26N40

товар відсутній

FDP2710

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 31.3A; 260W; TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 31.3A
On-state resistance: 36.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 260W
Case: TO220-3
Gate charge: 78nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 17 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	332.77 грн
5+	238.32 грн
13+	217.74 грн
100+	208.71 грн

FDP2710

Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2710

Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2710

Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V

на замовлення 955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	303.37 грн
50+	231.19 грн
100+	198.16 грн
500+	165.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP2710

MOSFET 250V N-Channel PowerTrench

на замовлення 973 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	322.13 грн
10+	298.41 грн
50+	217.56 грн
100+	187.21 грн
250+	180.7 грн
500+	139.5 грн
800+	135.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP2710

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	277.3 грн
5+	191.24 грн
13+	181.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP2710-F085

Trans MOSFET N-CH 250V 50A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2710-F085

Trans MOSFET N-CH 250V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2710-F085

Description: MOSFET N-CH 250V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5690 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP2710-F085

MOSFET 250V NCHAN PwrTrench

на замовлення 558 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDP2710-F085

на замовлення 760 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP2710_F085

Description: 4A, 250V, 0.047OHM, N-CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5690 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP2710_SN00168

Description: 1-ELEMENT, N-CHANNEL
Packaging: Bulk

товар відсутній

FDP2710_SW82258

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP2D3N10C

MOSFETs PTNG 100/20V inTO220 3L JEDEC GREEN EMC

на замовлення 511 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	486.56 грн
10+	410.62 грн
25+	323.81 грн
100+	297.79 грн
250+	280.45 грн
500+	263.1 грн
800+	236.36 грн

FDP2D3N10C

Description: ONSEMI - FDP2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 222A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	516.5 грн
5+	441.09 грн
10+	364.88 грн
50+	325.26 грн
100+	287.73 грн
250+	270.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP2D3N10C

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 214W; TO220-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 157A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 152nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 888A
Mounting: THT
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDP2D3N10C

товар відсутній

FDP2D3N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 222A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2D3N10C

Description: MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 50 V

на замовлення 163324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	523.86 грн
10+	342.5 грн
100+	250.47 грн
500+	204.86 грн

FDP2D3N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 222A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2D9N12C

N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET 120 V, 2.9 mW, 210 A, Single N-Channel

товар відсутній

FDP2D9N12C

Description: PTNG 120V N-FET TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 686µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8894 pF @ 60 V

товар відсутній

FDP2D9N12C

MOSFETs PTNG 120V N-FET

на замовлення 402 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	481.51 грн
10+	406.47 грн
25+	320.92 грн
100+	294.18 грн
250+	277.56 грн
500+	260.21 грн
800+	233.46 грн

FDP2XPZAM63R262X

CONEC

D-Sub Standard Connectors

товар відсутній

FDP2XSZAM63R262X

CONEC

D-Sub Standard Connectors

товар відсутній

FDP3205

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP3205

на замовлення 2301 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

254+	92.26 грн

Мінімальне замовлення: 254

FDP3205

Description: ONSEMI - FDP3205 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

306+	102.16 грн

Мінімальне замовлення: 306

FDP33N25

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 20.4A; Idm: 132A; 235W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 235W
On-state resistance: 94mΩ
Polarisation: unipolar
Drain current: 20.4A
Gate charge: 48nC
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 132A
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	134.6 грн
10+	106.16 грн
11+	85.83 грн
29+	80.56 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP33N25
Код товару: 107817

товар відсутній

FDP33N25

Description: MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V

на замовлення 654 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	197.81 грн
10+	123.25 грн
100+	84.87 грн
500+	64.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP33N25

Description: ONSEMI - FDP33N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 2638 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	171.09 грн
10+	127.3 грн
100+	99.73 грн
500+	78.3 грн
1000+	63.24 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP33N25

MOSFETs 250V N-Channel MOSFET

на замовлення 2660 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	156.85 грн
10+	124.68 грн
100+	82.4 грн
500+	66.35 грн
1000+	58.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP33N25

на замовлення 73 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	161.52 грн
10+	132.29 грн
11+	103 грн
29+	96.67 грн
250+	93.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP33N25

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP33N25

на замовлення 580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP33N25

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	66.53 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP34N33

Description: MOSFET N-CH 330V 34A TO-220

товар відсутній

FDP3632

MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V

на замовлення 1545 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	270.69 грн
10+	255.18 грн
50+	184.31 грн
100+	158.29 грн
500+	140.22 грн
800+	124.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP3632

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 22 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	296.76 грн
3+	258.02 грн
6+	189.74 грн
16+	179.8 грн

FDP3632

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3632

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V

на замовлення 479 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	311.97 грн
10+	198.69 грн
100+	140.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP3632

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3632

на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	247.3 грн
3+	207.05 грн
6+	158.11 грн
16+	149.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP3632 (TO-220AB)
Код товару: 52946

товар відсутній

FDP3632_NL

на замовлення 19219 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP3651U

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5522 pF @ 25 V

на замовлення 769 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	164.19 грн
50+	126.79 грн
100+	104.32 грн
500+	82.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP3651U

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3651U

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт

товар відсутній

FDP3651U

товар відсутній

FDP3651U

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

102+	121.1 грн
113+	109.02 грн
127+	96.76 грн

Мінімальне замовлення: 102

FDP3651U
Код товару: 144911

товар відсутній

FDP3651U

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	112.45 грн
10+	101.24 грн
100+	89.85 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP3651U

MOSFETs 100V 80A 18 mOHM NCH POWER TREN

на замовлення 1081 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.41 грн
10+	123.85 грн
100+	91.07 грн
500+	83.12 грн
800+	68.59 грн
2400+	66.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP3651U

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3651U

Description: ONSEMI - FDP3651U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 319 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	160.54 грн
10+	122.44 грн
100+	101.35 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP3651U

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3652

MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm

на замовлення 352 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.36 грн
10+	117.2 грн
100+	81.68 грн
250+	78.06 грн
500+	73.73 грн
800+	58.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1596 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

99+	125.06 грн
119+	103.87 грн
141+	87.16 грн
250+	81.93 грн
500+	73.54 грн
800+	53.17 грн

Мінімальне замовлення: 99

FDP3652

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V

на замовлення 575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.7 грн
10+	107.06 грн
100+	85.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	60.8 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP3652

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDP3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	116 грн
10+	96.36 грн
100+	80.84 грн
250+	76 грн
500+	68.22 грн
800+	49.32 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP3652

товар відсутній

FDP3652_NL

на замовлення 14881 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP3652_Q

MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm

товар відсутній

FDP3672

05+06+

на замовлення 24350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP3672

Description: MOSFET N-CH 105V 5.9A/41A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 105 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 25 V

на замовлення 374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	184.52 грн
10+	115.12 грн
100+	79.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP3672

Trans MOSFET N-CH 105V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3672

MOSFETs 105V 41a 0.033 Ohms/VGS=10V

на замовлення 259 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.41 грн
10+	117.2 грн
100+	83.84 грн
500+	71.27 грн
800+	57.17 грн
2400+	55.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP3672

Trans MOSFET N-CH 105V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3672

Description: ONSEMI - FDP3672 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 9651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	78.98 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDP3672

FDP3672 THT N channel transistors

товар відсутній

FDP3682

MOSFETs 100V 32a .36Ohm/VGS=1V

на замовлення 21538 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.39 грн
10+	75.23 грн
100+	59.05 грн
500+	56.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP3682

Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3682

Description: ONSEMI - FDP3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 32
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDP3682

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; 95W; TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 76 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	148.87 грн
3+	131.36 грн
10+	112.03 грн
12+	94.87 грн
31+	89.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP3682

Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

102+	120.55 грн
109+	112.62 грн
137+	89.52 грн
139+	85.46 грн
500+	73.33 грн

Мінімальне замовлення: 102

FDP3682

Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	75.03 грн

Мінімальне замовлення: 500

FDP3682

на замовлення 76 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.41 грн
10+	93.36 грн
12+	79.06 грн
31+	74.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP3682

Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	111.94 грн
10+	104.57 грн
25+	83.13 грн
100+	79.36 грн
500+	68.09 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP3682

Description: MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V

на замовлення 7161 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	150.12 грн
10+	130.1 грн
100+	104.57 грн
500+	80.63 грн
1000+	66.81 грн
2000+	62.2 грн
5000+	58.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP3682

Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

139+	88.21 грн

Мінімальне замовлення: 139

FDP3682

Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3682
Код товару: 107819

товар відсутній

FDP3682_Q

MOSFET 100V 32a .36Ohm/VGS=1V

товар відсутній

FDP39N20

Trans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	247.16 грн
56+	221.25 грн
58+	211.6 грн
105+	113.18 грн

Мінімальне замовлення: 50

FDP39N20

MOSFET SINGLE N-CH 200V ULTRAFET TRENCH

на замовлення 887 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	242.02 грн
10+	215.29 грн
25+	176.36 грн
100+	153.23 грн
500+	130.1 грн
1000+	109.14 грн
2000+	102.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP39N20

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 251W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 25 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

189+	113.73 грн

Мінімальне замовлення: 189

FDP39N20

Trans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP39N20

Trans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	229.5 грн
10+	205.45 грн
25+	196.49 грн
100+	105.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP39N20

Description: ONSEMI - FDP39N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.056 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 39
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 251
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 251
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDP39N20

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP4020P

Trans MOSFET P-CH 20V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R

товар відсутній

FDP4020P

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP4020P

Description: MOSFET P-CH 20V 16A TO-220AB

товар відсутній

FDP4030L

Description: ONSEMI - FDP4030L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 6570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

494+	63.08 грн

Мінімальне замовлення: 494

FDP4030L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V

на замовлення 6570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

410+	54.14 грн

Мінімальне замовлення: 410

FDP42AN15A0

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.107Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 88 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	197.52 грн
9+	133.23 грн
23+	121.07 грн
250+	116.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP42AN15A0

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	164.6 грн
9+	106.91 грн
23+	100.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP42AN15A0

Description: MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V

на замовлення 148 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	229.09 грн
10+	144.03 грн
100+	100.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP42AN15A0

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP42AN15A0
Код товару: 111207

товар відсутній

FDP42AN15A0

Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 107mOhm; 30A; 150W; -55°C ~ 175°C; FDP42AN15A0 TFDP42an15a0
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 15 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	51.44 грн

Мінімальне замовлення: 20

FDP42AN15A0

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP42AN15A0

MOSFETs 150V 35a .42 Ohms/VGS=1V

на замовлення 16903 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	193.11 грн
10+	152.94 грн
100+	97.58 грн
500+	81.68 грн
800+	71.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP42AN15A0_Q

MOSFETs 150V 35a .42 Ohms/VGS=1V

товар відсутній

FDP42AN15AO

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP46N30

на замовлення 580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP4D5N10C

MOSFET FET 100V 128A 4.5 mOhm

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	422.48 грн
10+	354.93 грн
50+	299.24 грн
100+	254.43 грн
250+	246.47 грн
500+	228.4 грн
800+	191.54 грн

FDP4D5N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	198.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP4D5N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP4D5N10C

на замовлення 356 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP4D5N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP4D5N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

58+	214.14 грн

Мінімальне замовлення: 58

FDP4D5N10C

Description: MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5065 pF @ 50 V

на замовлення 573 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	428.47 грн
50+	327.07 грн
100+	280.36 грн
500+	233.87 грн

FDP4D5N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP4D5N10C

Description: ONSEMI - FDP4D5N10C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3452 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	272.44 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDP51N25

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 320W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
Power dissipation: 320W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDP51N25

Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP51N25

Description: MOSFET N-CH 250V 51A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 25 V

на замовлення 20715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	251.76 грн
10+	158.41 грн
100+	110.63 грн
500+	84.63 грн
1000+	78.45 грн
2000+	75.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP51N25

Description: ONSEMI - FDP51N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 51 A, 0.048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 4221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	241.63 грн
10+	167.03 грн
100+	141.9 грн
500+	111.43 грн
1000+	86.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP51N25

MOSFET 250V N-Channel MOSFET

на замовлення 8912 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	222.62 грн
10+	171.23 грн
100+	126.49 грн
500+	106.97 грн
1000+	90.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP51N25

Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 320W; -55°C ~ 150°C; FDP51N25 TFDP51n25
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 20 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	101.21 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDP51N25

товар відсутній

FDP51N25

Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP52N20

Description: ONSEMI - FDP52N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 1871 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	212.44 грн
10+	150.82 грн
100+	124.06 грн
500+	97.88 грн
1000+	75.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP52N20
Код товару: 129721

товар відсутній

FDP52N20

MOSFET 200V N-CHANNEL MOSFET

на замовлення 1616 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	190.58 грн
10+	150.45 грн
100+	108.42 грн
500+	91.07 грн
1000+	76.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP52N20

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 98 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	195.57 грн
9+	123.85 грн
25+	112.94 грн
500+	108.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP52N20

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	162.98 грн
9+	99.38 грн
25+	94.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP52N20

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP52N20

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP52N20

Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55°C ~ 150°C; FDP52N20 TFDP52n20
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	90.15 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDP52N20

Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V

на замовлення 7471 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	218.92 грн
10+	137.11 грн
100+	95.09 грн
500+	72.35 грн
1000+	66.92 грн
2000+	63.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP5500

Description: N CHANNEL ULTRAFET 55V, 80A, 7M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3565 pF @ 25 V

на замовлення 4045 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

133+	165.45 грн

Мінімальне замовлення: 133

FDP5500

Description: ONSEMI - FDP5500 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2045 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

161+	194.6 грн

Мінімальне замовлення: 161

FDP5500

товар відсутній

FDP5500-F085

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP5500-F085

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3565 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP5500-F085

MOSFET 55V NCHAN UltraFET

товар відсутній

FDP5500-F085

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP55N06

Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP55N06

Description: ONSEMI - FDP55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 433 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	134.6 грн
10+	94.87 грн
100+	75.08 грн
200+	57.97 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDP55N06

Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP55N06

Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP55N06

Description: MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V

на замовлення 179 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	157.16 грн
10+	97.35 грн
100+	66.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP55N06

MOSFET SINGLE N-CH 60V ULTRAFET TRENCH

на замовлення 1013 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.2 грн
10+	127.18 грн
100+	86.01 грн
500+	71.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP5645

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

товар відсутній

FDP5645

Description: ONSEMI - FDP5645 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 317 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

123+	253.79 грн

Мінімальне замовлення: 123

FDP5645

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

на замовлення 317 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

111+	200.4 грн

Мінімальне замовлення: 111

FDP5680

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

на замовлення 7661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

182+	129.01 грн

Мінімальне замовлення: 182

FDP5680

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP5680

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP5680

Description: ONSEMI - FDP5680 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 7661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

202+	154.06 грн

Мінімальне замовлення: 202

FDP5680

товар відсутній

FDP5680

MOSFET 60V N-Ch PowerTrench

товар відсутній

FDP5680_Q

MOSFET

товар відсутній

FDP5690

TO-220

на замовлення 276 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP5690

Description: ONSEMI - FDP5690 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 4902 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

236+	132.17 грн

Мінімальне замовлення: 236

FDP5690

Description: MOSFET N-CH 60V 32A TO-220

товар відсутній

FDP5800

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP5800

Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9160 pF @ 15 V

на замовлення 542 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	228.31 грн
10+	143.43 грн
100+	99.72 грн
500+	76.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP5800

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP5800

Description: ONSEMI - FDP5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm

на замовлення 303 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	205.95 грн
10+	157.3 грн
100+	111.9 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP5800

MOSFET 60V N-Ch Logic Level MOSFET

на замовлення 3799 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	246.23 грн
10+	217.78 грн
100+	153.23 грн
500+	125.77 грн
1000+	101.19 грн
2500+	94.69 грн
5000+	91.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP5800
Код товару: 60606

Fairchild

Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Rds(on), Ohm: 6 mOhm
Монтаж: THT

у наявності 1 шт:

1 шт - РАДІОМАГ-Одеса

FDP5800

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP5800

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP5N50

Description: ONSEMI - FDP5N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1761 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

629+	49.54 грн

Мінімальне замовлення: 629

FDP5N50

Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

FDP5N50

Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V

на замовлення 1761 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

523+	41.15 грн

Мінімальне замовлення: 523

FDP5N50NZ

Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP5N50NZ

MOSFET N-Chan UniFET2 500V

на замовлення 2688 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.8 грн
10+	110.55 грн
100+	75.17 грн
500+	61.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP5N50NZ

Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

на замовлення 3522 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.39 грн
10+	75.37 грн
100+	58.61 грн
500+	46.63 грн
1000+	37.98 грн
2000+	35.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP5N50NZ

Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP5N50NZ

Description: ONSEMI - FDP5N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 78
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 78
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.38
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	120 грн
10+	107.84 грн
100+	84.33 грн
500+	64.52 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDP5N60NZ

Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP5N60NZ

Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP5N60NZ

MOSFET 600V N-Channel MOSFET, UniFET-II

на замовлення 517 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDP6030BL

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP6030BL

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP6030BL

Description: ONSEMI - FDP6030BL - MOSFET, N-CH, 30V, 40A, 175DEG C, 60W
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	54.41 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDP6030BL

2002 TO-220

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP6030BL

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V

на замовлення 2349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

516+	45.35 грн

Мінімальне замовлення: 516

FDP6030BL_Q

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP6030L

Description: ONSEMI - FDP6030L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 61536 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

629+	49.54 грн

Мінімальне замовлення: 629

FDP6030L

FAI

2003 TO-220

на замовлення 2160 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP6030L

Description: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3

на замовлення 63536 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

566+	42.03 грн

Мінімальне замовлення: 566

FDP6030L

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP6035A

на замовлення 4530 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP6035AL

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP6035AL

FAIRCHID

99+

на замовлення 2068 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP6035AL

Description: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V

товар відсутній

FDP6035AL

на замовлення 106637 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

221+	106.34 грн

Мінімальне замовлення: 221

FDP6035AL

Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

FDP6035AL

07+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP6035AL_NL

MOSFET 30V N-CH. FET, 12.5 MO, TO220

товар відсутній

FDP6035AL_Q

MOSFET

товар відсутній

FDP6035L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V

на замовлення 3250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

401+	58.64 грн

Мінімальне замовлення: 401

FDP6035L

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic

товар відсутній

FDP6035L

Description: ONSEMI - FDP6035L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

446+	69.89 грн

Мінімальне замовлення: 446

FDP603AL

на замовлення 745 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP61N20

Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP61N20

Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	190.56 грн
10+	174.34 грн
100+	146.19 грн
500+	118.96 грн
1000+	89.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP61N20

Description: ONSEMI - FDP61N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 1889 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	233.52 грн
10+	166.22 грн
100+	133.79 грн
500+	91.86 грн
1000+	83.4 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP61N20
Код товару: 150150

товар відсутній

FDP61N20

Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1702 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP61N20

Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP61N20

Description: MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V

на замовлення 837 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	200.16 грн
50+	154.54 грн
100+	127.15 грн
500+	100.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP61N20

MOSFET 200V N-Channel MOSFET

на замовлення 6078 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	207.44 грн
10+	183.7 грн
100+	127.94 грн
500+	124.32 грн
1000+	100.47 грн
2500+	99.75 грн
5000+	96.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP61N20

Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

66+	188.19 грн
72+	172.17 грн
100+	144.36 грн
500+	117.48 грн
1000+	88.26 грн

Мінімальне замовлення: 66

FDP65N06

Trans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP65N06

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP65N06

Description: MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP65N06

MOSFET 60V N-Channel MOSFET

товар відсутній

FDP65N06

Trans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP65N06,

Description: ONSEMI - FDP65N06, - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 135
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 184 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	159.73 грн
10+	146.76 грн
100+	118.38 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP6670AL

09+

на замовлення 365 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP6670AL

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP6670AL

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

товар відсутній

FDP6670AL

TO-220

на замовлення 25 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP6670AL

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

FDP6670AL

FAIRCHID

99+

на замовлення 196 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP6670AL

на замовлення 28285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

503+	43.92 грн

Мінімальне замовлення: 503

FDP6670AL

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP6670AL

TO-220

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP6670AL_NL

MOSFET 30V N-CH. FET, 6.5 MO, TO220,

товар відсутній

FDP6670AL_Q

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP6676

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5324 pF @ 15 V

на замовлення 20082 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

332+	70.37 грн

Мінімальне замовлення: 332

FDP6676

Description: ONSEMI - FDP6676 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 20082 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

369+	84.33 грн

Мінімальне замовлення: 369

FDP6676

MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP6676S

Description: ONSEMI - FDP6676S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

369+	84.33 грн

Мінімальне замовлення: 369

FDP6676S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4853 pF @ 15 V

на замовлення 1485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

332+	70.37 грн

Мінімальне замовлення: 332

FDP70301_88RF002A

на замовлення 64890 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP7030BL

Description: MOSFET N-CH 30V 60A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V

товар відсутній

FDP7030BL

Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP7030BL

MOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP7030BL

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDP7030BL

Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	38.55 грн

Мінімальне замовлення: 16

FDP7030BL

Description: ONSEMI - FDP7030BL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.009 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 65
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 65
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товар відсутній

FDP7030BL

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V

на замовлення 72127 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

436+	49.63 грн

Мінімальне замовлення: 436

FDP7030BL

товар відсутній

FDP7030BLNL

на замовлення 3993 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP7030BLS

MOSFET TO-220

товар відсутній

FDP7030BL_NL

MOSFET 30V N-CH. FET, 9 MO, TO220, T

товар відсутній

FDP7030BL_Q

MOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP7030L

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

товар відсутній

FDP7030L

FAI

TO220

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP7030L

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP7030L

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

на замовлення 29300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	168.42 грн

Мінімальне замовлення: 130

FDP7030L_Q

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP7042L

TO-220 02+

на замовлення 52 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP7042L

Description: ONSEMI - FDP7042L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 33223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

544+	57.33 грн

Мінімальне замовлення: 544

FDP7042L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 15 V

на замовлення 33223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

452+	47.64 грн

Мінімальне замовлення: 452

FDP7045L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4357 pF @ 15 V

на замовлення 165881 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

92+	231.05 грн

Мінімальне замовлення: 92

FDP7045L

0307

на замовлення 15 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP7045L

FAIR

0408

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP7045L

MOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP7045L

Description: ONSEMI - FDP7045L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 165881 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

110+	283.79 грн

Мінімальне замовлення: 110

FDP7045L_Q

MOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP75N08

MOSFETs 75V N-Channel MOSFET

товар відсутній

FDP75N08

Description: ONSEMI - FDP75N08 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 365 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

321+	97.3 грн

Мінімальне замовлення: 321

FDP75N08

Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP75N08A

Trans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	107.79 грн
10+	103.11 грн
25+	97.77 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP75N08A

Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP75N08A

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 47A; Idm: 300A; 137W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 137W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDP75N08A

товар відсутній

FDP75N08A

MOSFET 75V N-Channel MOSFET

товар відсутній

FDP75N08A

Trans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP75N08A

Trans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP75N08A

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP79N15

Description: MOSFET N-CH 150V 79A TO-220

товар відсутній

FDP7N50

Supervisory Circuits

товар відсутній

FDP7N50

500V, NCH , MOSFET

товар відсутній

FDP7N50

Trans MOSFET N-CH 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP7N50

Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP7N60NZ

Trans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP7N60NZ

Description: MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP7N60NZ

MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II

товар відсутній

FDP8030L

N/A

09+

на замовлення 20018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP8030L

Description: ONSEMI - FDP8030L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 6859 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	420.01 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDP8030L

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V

на замовлення 1023 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	436.29 грн
10+	359.89 грн
100+	299.94 грн
500+	248.37 грн
1000+	223.53 грн

FDP8030L

MOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP8030L

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8030L

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V

на замовлення 6859 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

59+	358.87 грн

Мінімальне замовлення: 59

FDP8030L

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

FDP8030L

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V

товар відсутній

FDP80N06

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 65A; Idm: 320A; 176W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 176W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDP80N06

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP80N06

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP80N06

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP80N06

товар відсутній

FDP80N06

Description: ONSEMI - FDP80N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	115.95 грн
10+	101.35 грн
100+	84.33 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDP80N06
Код товару: 66797

товар відсутній

FDP80N06

MOSFETs 60V N-Channel

товар відсутній

FDP8440

Trans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	211.55 грн
10+	200.79 грн
100+	181.45 грн
120+	150.97 грн
500+	138.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP8440

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V

на замовлення 17634 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

120+	183 грн

Мінімальне замовлення: 120

FDP8440

на замовлення 795 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP8440

Description: ONSEMI - FDP8440 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDP8440

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP8440

MOSFETs 40V N-Channel Power Trench

товар відсутній

FDP8440

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V

на замовлення 26190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

120+	183 грн

Мінімальне замовлення: 120

FDP8440

Trans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8440

на замовлення 750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP8441

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 406 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDP8441

Description: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V

на замовлення 2187 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	203.29 грн
10+	164.21 грн
100+	132.85 грн
500+	110.83 грн
1000+	94.9 грн
2000+	89.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP8441

Trans MOSFET N-CH 40V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

FDP8441

товар відсутній

FDP8441_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB

товар відсутній

FDP8442

Description: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3

на замовлення 22479 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

91+	262.5 грн

Мінімальне замовлення: 91

FDP8442

Description: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3

товар відсутній

FDP8442

MOSFET 40V N-Channel

товар відсутній

FDP8442

Description: ONSEMI - FDP8442 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 22479 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

101+	308.93 грн

Мінімальне замовлення: 101

FDP8442-F085

MOSFET 40V/80A/2.8ohm/N-CH POWERTRENCH

на замовлення 228 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDP8442-F085

Trans MOSFET N-CH 40V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8442-F085

Description: ONSEMI - FDP8442-F085 - FDP8442-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

400+	118.38 грн

Мінімальне замовлення: 400

FDP8442-F085

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

237+	95.77 грн

Мінімальне замовлення: 237

FDP8442_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220

на замовлення 755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP8443

Description: MOSFET N-CH 40V 20A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9310 pF @ 25 V

на замовлення 11973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

226+	96.03 грн

Мінімальне замовлення: 226

FDP8443

Description: ONSEMI - FDP8443 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 11938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

272+	114.33 грн

Мінімальне замовлення: 272

FDP8443

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench

товар відсутній

FDP8443-F085

MOSFET N-CH PowerTrench N-Ch PowerTrench Mos

на замовлення 395 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDP8443-F085

Description: MOSFET N-CH 40V 20A/80A TO220-3

товар відсутній

FDP8443-F085

Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8443_F085

Description: MOSFET N-CH 40V TO-220AB-3

на замовлення 719 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP8447L

MOSFET 40V N-CH PowerTrench MOSFET

товар відсутній

FDP8447L

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 100A; 60W; TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 49nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
On-state resistance: 13.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDP8447L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8447L

товар відсутній

FDP8447L

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/50A TO220-3

на замовлення 411 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP86363-F085

на замовлення 42400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP86363-F085

Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP86363-F085

Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP86363-F085

Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	245.51 грн
50+	186.99 грн
100+	160.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP86363-F085

Description: ONSEMI - FDP86363-F085 - N-CHANNEL POWERTRENCH® 80V, 110A, 2.8M
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDP86363-F085

MOSFET N-Channel PowerTrench 80V, 110A, 2.8mohm

на замовлення 728 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	276.59 грн
10+	246.04 грн
100+	175.64 грн
500+	149.62 грн
1000+	125.77 грн
2500+	119.26 грн
5000+	114.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP86363_F085

Description: 110A, 80V, 0.0028OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V

товар відсутній

FDP87314B

07+

на замовлення 21 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP8860

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12240 pF @ 15 V

на замовлення 16481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

239+	91.87 грн

Мінімальне замовлення: 239

FDP8860

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 556A; 254W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 254W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 222nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 556A
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDP8860

товар відсутній

FDP8860

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

товар відсутній

FDP8860

Trans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	102.6 грн
10+	97.16 грн
100+	88.65 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP8860

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12240 pF @ 15 V

товар відсутній

FDP8860

Trans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8860

Trans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8870

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	100.07 грн
10+	97.34 грн
25+	92.83 грн
50+	86.82 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDP8870

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	112.35 грн
10+	103.17 грн
25+	96.1 грн
50+	88.41 грн
100+	76.98 грн
500+	69.17 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP8870

Description: ONSEMI - FDP8870 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 156 A, 0.0034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 156
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034
SVHC: Lead (27-Jun-2018)

товар відсутній

FDP8870

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8870

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

товар відсутній

FDP8870

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP8870

Description: MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

товар відсутній

FDP8870

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 147A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Drain current: 147A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V

товар відсутній

FDP8870

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench

товар відсутній

FDP8870-F085

MOSFET 30V/156A/4.1Mohm/NCH POWERTRENCH

товар відсутній

FDP8870-F085

Description: MOSFET N-CH 30V 19A/156A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

на замовлення 291 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

291+	80.53 грн

Мінімальне замовлення: 291

FDP8870-F085

товар відсутній

FDP8870_F085A

onsemi

товар відсутній

FDP8870_NL

MOSFET 30V,156A,4.1 OHMS,NCH,TO220,POWER TRENCH MOSFET

товар відсутній

FDP8870_NL

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP8874

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 15 V

товар відсутній

FDP8874

MOSFET 30V 114A 5.3 OHM N-CH

товар відсутній

FDP8874

TO220 10+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP8874

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP8874

Description: ONSEMI - FDP8874 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 114 A, 0.0053 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	75.49 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDP8874

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8874-SN00117

товар відсутній

FDP8874.

Description: ONSEMI - FDP8874. - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 114
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товар відсутній

FDP8874_SN00117

onsemi

товар відсутній

FDP8876

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

FDP8876

Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO-220

товар відсутній

FDP8878

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

FDP8878

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO-220AB

товар відсутній

FDP8880

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; 55W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 48A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 55W
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDP8880

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 298 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	55.81 грн
12+	50.64 грн
100+	41.84 грн
250+	39.26 грн

Мінімальне замовлення: 11

FDP8880

Description: ONSEMI - FDP8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0116 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 54
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 55
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 55
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0116
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товар відсутній

FDP8880

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 1445 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDP8880

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8880

товар відсутній

FDP8880
Код товару: 113618

товар відсутній

FDP8880

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8880

Description: MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB

на замовлення 644 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP8896
Код товару: 107361

товар відсутній

FDP8896

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8896

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8896

Description: MOSFET N-CH 30V 16A/92A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V

на замовлення 464 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	149.34 грн
10+	91.93 грн
100+	62.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP8896

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP8896

Description: ONSEMI - FDP8896 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDP8896

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench

на замовлення 1505 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	113.84 грн
10+	92.27 грн
100+	62.52 грн
500+	52.98 грн
1000+	43.15 грн
2500+	42.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP8896

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8896

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8896

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8D5N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	247.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP8D5N10C

Description: MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 50 V

на замовлення 2385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	197.03 грн
10+	158.94 грн
100+	128.54 грн
500+	107.22 грн
1000+	91.81 грн
2000+	86.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP8D5N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8D5N10C

на замовлення 750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP8D5N10C

Description: ONSEMI - FDP8D5N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 76 A, 0.0074 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 841 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	220.55 грн
10+	165.41 грн
100+	152.44 грн
500+	140.8 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP8D5N10C

MOSFET FET 100V 76A 8.5 mOhm

на замовлення 701 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	215.88 грн
10+	178.71 грн
50+	146.73 грн
100+	125.77 грн
250+	118.54 грн
500+	111.31 грн
1000+	95.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP8D5N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8D5N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8D5N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8N50NZ

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 130W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDP8N50NZ

Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8N50NZ

Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP8N50NZ

товар відсутній

FDP8N50NZ

Description: ONSEMI - FDP8N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.77 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	149.19 грн
10+	120 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP8N50NZ

MOSFET UNIFET2 500V

на замовлення 9944 шт:

термін постачання 280-289 дні (днів)

3+	145.89 грн
10+	129.67 грн
100+	88.18 грн
500+	73 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPC1002S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta), 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @13V, 4335pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Obsolete

на замовлення 10941 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

761+	28.05 грн

Мінімальне замовлення: 761

FDPC1002S

Description: ONSEMI - FDPC1002S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 10941 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDPC1002S

MOSFET

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDPC1012S

Description: ONSEMI - FDPC1012S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 6672 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDPC1012S

товар відсутній

FDPC1012S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 35A (Tc), 26A (Ta), 88A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V, 3456pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V, 2.2mOhm @ 23A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active

на замовлення 6672 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

701+	30.2 грн

Мінімальне замовлення: 701

FDPC1012S-P

Description: ONSEMI - FDPC1012S-P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 26162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDPC1012S-P

товар відсутній

FDPC3D5N025X9D

MOSFET Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server

на замовлення 2988 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDPC3D5N025X9D

Description: MOSFET 2N-CH 25V 74A 12QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.01mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete

товар відсутній

FDPC4044

Description: MOSFET 2N-CH POWERCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3215pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Obsolete

товар відсутній

FDPC4044

Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R

товар відсутній

FDPC4044

FDPC4044 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R - Arrow.com

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	255.91 грн
10+	207.57 грн
25+	205.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPC4044

Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R

товар відсутній

FDPC4044

FDPC4044 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R - Arrow.com

товар відсутній

FDPC4044

MOSFET Common Drain N-Chan Power Trench MOSFET

на замовлення 352 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDPC4044-P

ON Semiconductor

товар відсутній

FDPC4044-P

Description: MOSFET N-CHANNEL 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

FDPC4044-P

FDPC4044-P

товар відсутній

FDPC4044-P

FDPC4044-P

товар відсутній

FDPC5018SG

MOSFETs PT8+ N & PT8 N

на замовлення 2386 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.98 грн
10+	84.78 грн
100+	62.23 грн
250+	61.87 грн
500+	58.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDPC5018SG

Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDPC5018SG

Description: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 0.0014 ohm
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 29W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 29W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 4208 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	88.38 грн
50+	79.06 грн
100+	69.65 грн
500+	64.6 грн
1500+	59.56 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDPC5018SG

Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	59.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDPC5018SG

Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 1498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	75.63 грн
10+	74.46 грн
25+	73.29 грн
100+	69.55 грн
250+	63.36 грн
500+	59.82 грн
1000+	58.82 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDPC5018SG

Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 1498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

166+	73.9 грн

Мінімальне замовлення: 166

FDPC5018SG

на замовлення 4218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	69.65 грн
500+	64.6 грн
1500+	59.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDPC5018SG

Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active

на замовлення 8198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.96 грн
10+	87.34 грн
100+	60.14 грн
500+	53.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPC5030SG

Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active

на замовлення 8162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	180.61 грн
10+	112.34 грн
100+	77.05 грн
500+	58.13 грн
1000+	53.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPC5030SG

Trans MOSFET N-CH 30V 56A/84A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDPC5030SG

Trans MOSFET N-CH 30V 56A/84A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDPC5030SG

Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	53.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDPC5030SG

MOSFETs PT8+ N & PT8 N

на замовлення 4486 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	145.04 грн
10+	116.37 грн
100+	75.89 грн
250+	75.17 грн
500+	61.51 грн
1000+	55.29 грн
3000+	53.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPC5030SG
Код товару: 139909

товар відсутній

FDPC5030SG

Trans MOSFET N-CH 30V 56A/84A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDPC8011S

Trans MOSFET N-CH 25V 13A/27A 8-Pin Power Clip 33 T/R

товар відсутній

FDPC8011S

Trans MOSFET N-CH 25V 13A/27A 8-Pin Power Clip 33 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	265.25 грн
10+	232.62 грн
25+	228.14 грн
100+	179.59 грн
250+	151.45 грн
500+	133.94 грн
1000+	115.34 грн
3000+	113.58 грн
6000+	107.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPC8011S

MOSFETs 25V Asymmetric 2xNCh MOSFET PowerTrench

на замовлення 1049 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	204.91 грн
10+	182.04 грн
25+	157.57 грн
100+	139.5 грн
250+	138.78 грн
500+	129.38 грн
1000+	119.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPC8011S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 13V, 4335pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active

на замовлення 2115 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	248.64 грн
10+	200.95 грн
100+	162.58 грн
500+	135.62 грн
1000+	116.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPC8011S

Description: ONSEMI - FDPC8011S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0012 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDPC8011S

Trans MOSFET N-CH 25V 13A/27A 8-Pin Power Clip 33 T/R

товар відсутній

FDPC8011S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 13V, 4335pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active

товар відсутній

FDPC8011S

Trans MOSFET N-CH 25V 13A/27A 8-Pin Power Clip 33 T/R

на замовлення 3100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	268.21 грн
10+	235.2 грн
25+	230.64 грн
100+	181.5 грн
250+	153.08 грн
500+	135.37 грн
1000+	116.57 грн
3000+	114.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPC8011S-AU01

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	222.83 грн
10+	180.47 грн
100+	145.95 грн
500+	121.75 грн
1000+	104.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPC8011S-AU01

MOSFET PT8 N 25/12 & PT8 N 25/12

товар відсутній

FDPC8011S-AU01

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	108.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDPC8012S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	116.7 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDPC8012S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	121.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDPC8012S

Trans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDPC8012S

MOSFET 25V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench

на замовлення 8974 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	271.53 грн
10+	225.26 грн
100+	158.29 грн
500+	140.22 грн
1000+	119.98 грн
3000+	112.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPC8012S

Trans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDPC8012S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	249.42 грн
10+	202.08 грн
100+	163.44 грн
500+	136.34 грн
1000+	116.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPC8012S

Trans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R

товар відсутній

FDPC8012S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active

на замовлення 4951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	249.42 грн
10+	202.08 грн
100+	163.44 грн
500+	136.34 грн
1000+	116.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPC8012S

Trans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R

товар відсутній

FDPC8012S

Description: ONSEMI - FDPC8012S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 111973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	160.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDPC8013S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active

товар відсутній

FDPC8013S

Trans MOSFET N-CH 30V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 T/R

товар відсутній

FDPC8013S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active

на замовлення 1267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.72 грн
10+	92.16 грн
100+	73.34 грн
500+	62.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPC8013S

Trans MOSFET N-CH 30V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 T/R

товар відсутній

FDPC8013S

MOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic

на замовлення 3050 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.65 грн
10+	103.07 грн
100+	71.27 грн
500+	66.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPC8014AS

FDPC8014AS ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 25V 20A/40A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com

на замовлення 1391 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	81.21 грн
10+	79.63 грн
100+	79.13 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDPC8014AS

Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56

товар відсутній

FDPC8014AS

FDPC8014AS ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 25V 20A/40A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com

товар відсутній

FDPC8014AS

MOSFET PT9 N 30/12 & PT9 N 25/12S inPowerClip56

на замовлення 623 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDPC8014AS

Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active

на замовлення 2043 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

228+	96.63 грн

Мінімальне замовлення: 228

FDPC8014AS

FDPC8014AS ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 25V 20A/40A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com

на замовлення 2830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	85.54 грн
10+	85.42 грн
25+	85.29 грн
100+	82.13 грн
250+	75.94 грн
500+	72.8 грн
1000+	72.7 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDPC8014AS

Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56

товар відсутній

FDPC8014AS

FDPC8014AS ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 25V 20A/40A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com

товар відсутній

FDPC8014S

Trans MOSFET N-CH 25V 20A/41A 8-Pin Power 56 EP T/R

товар відсутній

FDPC8014S

MOSFET PT9N 30/12 & PT9N 25/12

на замовлення 3797 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDPC8014S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 41A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	89.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDPC8014S

Trans MOSFET N-CH 25V 20A/41A 8-Pin Power 56 EP T/R

товар відсутній

FDPC8014S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 41A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	200.16 грн
10+	159.62 грн
100+	127.04 грн
500+	100.88 грн
1000+	85.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPC8016S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active

на замовлення 4657 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.04 грн
10+	74.16 грн
100+	59.05 грн
500+	50.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDPC8016S

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDPC8016S

Trans MOSFET N-CH 25V 20A/35A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDPC8016S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	55.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDPC8016S

Description: ONSEMI - FDPC8016S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 27471 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	76.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDPC8016S

MOSFET PowerTrench Power Clip 25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET

на замовлення 1863 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.36 грн
10+	117.2 грн
100+	81.68 грн
250+	75.17 грн
500+	68.59 грн
1000+	58.33 грн
3000+	55.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPE 0501 1001

Category: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 50mm; W: 20mm; H: 68mm; rigid; 40kg
Type of mounting element: transport wheel
Wheel diameter: 50mm
Wheel width: 20mm
Height: 68mm
Version: rigid; with mounting plate
Force: 40kg
Kind of Bearing: slide
Base dimensions: 60x60mm

на замовлення 133 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.04 грн
10+	66.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDPE 0501 1001

на замовлення 133 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	109.95 грн
4+	94.76 грн
10+	79.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPE 0751 1001

Category: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 75mm; W: 25mm; H: 100mm; rigid; 60kg
Type of mounting element: transport wheel
Wheel diameter: 75mm
Wheel width: 25mm
Height: 100mm
Version: rigid; with mounting plate
Force: 60kg
Kind of Bearing: slide
Base dimensions: 60x60mm

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	175.95 грн
4+	145.31 грн
7+	131.01 грн
10+	127.24 грн
19+	123.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPE 0751 1001

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	211.14 грн
4+	181.08 грн
7+	157.21 грн
10+	152.69 грн
19+	148.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPE 1251 1001

FDPE-1251-1001 Wheels

товар відсутній

FDPF 4001 EH

Description: FIBRE DATA - FDPF 4001 EH - Glasfaserkabel, Einmodenfaser, 1mm, 1 Faser(n), 2.2 mm, 65 ft, 20 m
tariffCode: 85447000
Faserdurchmesser: 1mm
Fasertyp: Polymerfaser
Länge auf Rolle (metrisch): 20m
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Mantelmaterial: PE
Länge auf Rolle (imperial): 65ft
usEccn: EAR99
Mantelfarbe: -
euEccn: NLR
Außendurchmesser: 2.2mm
Anzahl der Fasern: 1Fibres
Produktpalette: FDPF
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 136 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2263.85 грн
5+	2015.73 грн
10+	1765.18 грн
50+	1551.76 грн
100+	1348.3 грн

FDPF 4001 EH (100M)

Description: FIBRE DATA - FDPF 4001 EH (100M) - Glasfaserkabel, Polymerfaser, 1mm, 1 Faser(n), 2.2 mm, 328 ft, 100 m
tariffCode: 85447000
Faserdurchmesser: 1mm
Fasertyp: Polymerfaser
Länge auf Rolle (metrisch): 100m
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Mantelmaterial: PE
Länge auf Rolle (imperial): 328ft
usEccn: EAR99
Mantelfarbe: Grau
euEccn: NLR
Außendurchmesser: 2.2mm
Anzahl der Fasern: 1Fibres
Produktpalette: FDPF
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	9078.9 грн
5+	8526.72 грн
10+	7972.11 грн

FDPF 4002 EH

Description: FIBRE DATA - FDPF 4002 EH - Glasfaserkabel, Polymer, Duplex, Polymerfaser, 1mm, 2 Faser(n), 4.4 mm, 65 ft, 20 m
tariffCode: 85447000
Faserdurchmesser: 1mm
Fasertyp: Polymerfaser
Länge auf Rolle (metrisch): 20m
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Mantelmaterial: PE
Länge auf Rolle (imperial): 65ft
usEccn: EAR99
Mantelfarbe: Grau
euEccn: NLR
Außendurchmesser: 4.4mm
Anzahl der Fasern: 2Fibres
Produktpalette: FDPF
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 142 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3152.52 грн
5+	2960.35 грн
10+	2768.18 грн
50+	2552.39 грн

FDPF 4002 EH (100M)

Description: FIBRE DATA - FDPF 4002 EH (100M) - Glasfaserkabel, Polymerfaser, 1mm, 2 Faser(n), 4.4 mm, 328 ft, 100 m
tariffCode: 85447000
Faserdurchmesser: 1mm
Fasertyp: Polymerfaser
Länge auf Rolle (metrisch): 100m
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Mantelmaterial: PE
Länge auf Rolle (imperial): 328ft
usEccn: EAR99
Mantelfarbe: Grau
euEccn: NLR
Außendurchmesser: 4.4mm
Anzahl der Fasern: 2Fibres
Produktpalette: FDPF
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	16995.88 грн
5+	15962.06 грн
10+	14924.2 грн

FDPF-210-05R

AUTONICS

Category: Fiber-Optic Sensors
Description: Sensor: fiber-optic; Range: 0÷70mm; Oper.mode: diffuse-reflective
Type of sensor: fiber-optic
Range: 0...70mm
Operation mode: diffuse-reflective
Operating temperature: -30...70°C
Cable length: 1m
Sensors features: flexible
Related items: BF5R-D1-N; BF5R-D1-P; BF5R-S1-N; BF5R-S1-P; BFX-D1-N; BFX-D1-P
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	8431.04 грн
10+	8011.72 грн

FDPF-210-05R

AUTONICS

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	7025.87 грн

FDPF035N06B

Description: ONSEMI - FDPF035N06B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 177137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

292+	107.03 грн

Мінімальне замовлення: 292

FDPF035N06B

Description: 88A, 60V, 0.0035OHM, N CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 177137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

243+	89.19 грн

Мінімальне замовлення: 243

FDPF035N06B-F152

Trans MOSFET N-CH 60V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube

товар відсутній

FDPF035N06B-F152

Description: MOSFET N-CH 60V 88A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V

товар відсутній

FDPF035N06B-F154

MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	231.06 грн
10+	189.52 грн
100+	130.83 грн
500+	110.59 грн
1000+	93.24 грн
2000+	88.9 грн
5000+	86.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPF035N06B-F154

N Channel Power Trench MOSFET

товар відсутній

FDPF035N06B-F154

Description: MOSFET N-CH 60V 88A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V

на замовлення 985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	262.71 грн
10+	165.64 грн
100+	115.98 грн
500+	88.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPF035N06B_F152

Description: MOSFET N-CH 60V 88A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V

товар відсутній

FDPF041N06BL1

Description: MOSFET N-CH 60V 77A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 77A, 10V
Power Dissipation (Max): 44.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5690 pF @ 30 V

на замовлення 315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

315+	81.97 грн

Мінімальне замовлення: 315

FDPF041N06BL1

Trans MOSFET N-CH Si 60V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube

товар відсутній

FDPF041N06BL1

Trans MOSFET N-CH Si 60V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube

товар відсутній

FDPF041N06BL1