Продукція > ONSEMI > FDP18N50
FDP18N50

FDP18N50 ONSEMI

FDP18N50.pdf Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+149.46 грн
7+ 119.01 грн
19+ 112.79 грн
50+ 111.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP18N50 ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 235W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDP18N50 за ціною від 81.04 грн до 213.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDP18N50 FDP18N50 Виробник : onsemi FAIRS46528-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+181.79 грн
50+ 138.83 грн
100+ 119.01 грн
500+ 99.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP18N50 FDP18N50 Виробник : onsemi / Fairchild FDPF18N50T_D-2312631.pdf MOSFET 500V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 9644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+194.52 грн
10+ 176.46 грн
50+ 104.29 грн
100+ 96.32 грн
250+ 95.65 грн
500+ 90.34 грн
1000+ 81.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP18N50 FDP18N50 Виробник : ONSEMI FDP18N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.71 грн
3+ 186.25 грн
7+ 142.82 грн
19+ 135.34 грн
50+ 133.68 грн
250+ 129.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP18N50 Виробник : ON-Semicoductor FAIRS46528-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+119.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDP18N50 FDP18N50 Виробник : ON Semiconductor 5570217110431142fdpf18n50t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP18N50 FDP18N50 Виробник : ON Semiconductor fdpf18n50t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP18N50 FDP18N50 Виробник : ON Semiconductor fdpf18n50t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній