НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IHW15N120E1Infineon / IRIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+194.07 грн
10+ 163.51 грн
25+ 154.48 грн
100+ 127.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW15N120E1XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 1940ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.22 грн
7+ 124.86 грн
18+ 117.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 3322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.34 грн
10+ 175.37 грн
25+ 134.52 грн
100+ 114.54 грн
240+ 112.54 грн
480+ 101.89 грн
1200+ 86.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW15N120E1XKSA1
Код товару: 185295
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW15N120E1XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW15N120E1XKSA1 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 156 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.39 грн
10+ 153.14 грн
100+ 116.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+209 грн
67+ 176.09 грн
71+ 166.36 грн
100+ 137.76 грн
Мінімальне замовлення: 56
IHW15N120E1XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 1940ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+216.04 грн
3+ 188.45 грн
7+ 149.84 грн
18+ 141.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+167 грн
10+ 145.78 грн
25+ 138.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 300µJ (off)
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.53 грн
30+ 138.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120RInfineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 15A
товар відсутній
IHW15N120R2INFINEONMODULE
на замовлення 100084 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW15N120R2Infineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 15A
товар відсутній
IHW15N120R2Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 30A 357W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/282ns
Switching Energy: 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.8Ohm, 15V
Gate Charge: 133 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 357 W
товар відсутній
IHW15N120R2FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors
товар відсутній
IHW15N120R3
Код товару: 140007
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW15N120R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.52 грн
10+ 191.46 грн
25+ 157.16 грн
100+ 134.52 грн
240+ 121.2 грн
480+ 119.2 грн
1200+ 101.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3Infineon30A; 1200V; 254W; IGBT w/ Diode IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+102.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/300ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.23 грн
30+ 162.74 грн
120+ 139.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW15N120R3FKSA1 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 254 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+250.26 грн
10+ 176.3 грн
100+ 133.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+366.08 грн
36+ 324.41 грн
50+ 286.72 грн
100+ 249.69 грн
200+ 229.42 грн
Мінімальне замовлення: 32
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.45 грн
10+ 190.69 грн
25+ 145.84 грн
100+ 133.19 грн
240+ 101.89 грн
1200+ 96.56 грн
2640+ 95.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW15N120R3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+295.83 грн
3+ 255.87 грн
6+ 189.79 грн
14+ 178.97 грн
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+228.83 грн
10+ 193.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW15N120R3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.52 грн
3+ 205.33 грн
6+ 158.16 грн
14+ 149.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW15T120INF07+;
на замовлення 13680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW15T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 113000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW15T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 30A 113W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns
Switching Energy: 2.7mJ
Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 113 W
товар відсутній
IHW20N120RInfineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 20A
товар відсутній
IHW20N120R2INFINEON07+ SOP20
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW20N120R2Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 40A 330W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/359ns
Switching Energy: 1.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 143 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 330 W
товар відсутній
IHW20N120R2Infineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 20A
товар відсутній
IHW20N120R2INFINEON
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW20N120R2INFINEONMODULE
на замовлення 100059 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW20N120R2 (маркування H20R1202)
Код товару: 105788
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW20N120R2FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors
товар відсутній
IHW20N120R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
товар відсутній
IHW20N120R3 (маркування H20R1203)
Код товару: 83109
InfineonТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 1200 V
Vce: 1,48 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 310 W
товар відсутній
IHW20N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 310000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N120R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
товар відсутній
IHW20N120R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW20N120R3FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.48 V, 310 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.48
DC-Kollektorstrom: 40
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 310
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW20N120R3FKSA1
Код товару: 118248
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW20N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 310000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N120R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 40A 310W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/387ns
Switching Energy: 950µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 211 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 310 W
товар відсутній
IHW20N120R5Infineon technologies
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW20N120R5Infineon TechnologiesDescription: IHW20N120 - DISCRETE IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/260ns
Switching Energy: -, 750µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 288 W
товар відсутній
IHW20N120R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.19 грн
10+ 216.73 грн
25+ 161.82 грн
100+ 139.18 грн
240+ 135.85 грн
480+ 106.55 грн
1200+ 100.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+222.08 грн
54+ 218.73 грн
63+ 178.95 грн
100+ 148.75 грн
Мінімальне замовлення: 53
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N120R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+323.62 грн
3+ 280.94 грн
5+ 207.27 грн
13+ 195.62 грн
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/260ns
Switching Energy: 750µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 288 W
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.15 грн
30+ 169 грн
120+ 144.85 грн
510+ 120.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 45840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+155.83 грн
Мінімальне замовлення: 240
IHW20N120R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW20N120R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.55 V, 288 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 288W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+230.9 грн
52+ 226.27 грн
Мінімальне замовлення: 51
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+206.21 грн
10+ 203.11 грн
25+ 174.13 грн
50+ 166.17 грн
100+ 138.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW20N120R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.68 грн
3+ 225.45 грн
5+ 172.73 грн
13+ 163.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+214.48 грн
10+ 210.18 грн
25+ 178.73 грн
50+ 171.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+405.6 грн
Мінімальне замовлення: 29
IHW20N135R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+360.49 грн
10+ 298.67 грн
25+ 244.4 грн
100+ 192.46 грн
240+ 183.13 грн
480+ 171.81 грн
1200+ 165.15 грн
IHW20N135R3
Код товару: 133097
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW20N135R3Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 310mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+157.74 грн
78+ 149.8 грн
100+ 147.83 грн
Мінімальне замовлення: 74
IHW20N135R3Infineon40A; 1350V; 310W; IGBT w/ Diode   IHW20N135R3 TIHW20n135r3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+153.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
IHW20N135R3Infineon TechnologiesDescription: REVERSE CONDUCTING IGBT W/MONOLT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/335ns
Switching Energy: -, 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 195 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 310 W
товар відсутній
IHW20N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 310000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+355.5 грн
10+ 302.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N135R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1350V 20A 310W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/335ns
Switching Energy: 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 195 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 310 W
товар відсутній
IHW20N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 310000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N135R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товар відсутній
IHW20N135R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1350V 20A 310W TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/335ns
Switching Energy: 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 195 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 310 W
на замовлення 13692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+151.66 грн
Мінімальне замовлення: 132
IHW20N135R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW20N135R3FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 310 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
DC-Kollektorstrom: 40
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.35
Verlustleistung Pd: 310
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP™
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW20N135R5Infineon technologies
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW20N135R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.92 грн
10+ 225.15 грн
25+ 184.46 грн
100+ 157.83 грн
240+ 148.5 грн
480+ 139.85 грн
1200+ 119.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N135R5 транзистор IGBT 40A ( IHW20N135R5XKSA1)
Код товару: 162475
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW20N135R5XKSAInfineon TechnologiesDescription: REVERSE CONDUCTING IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/235ns
Switching Energy: 950µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 288 W
товар відсутній
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1350V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/235ns
Switching Energy: 950µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 288 W
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.04 грн
30+ 184.8 грн
120+ 158.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N135R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.52 грн
3+ 205.33 грн
6+ 157.47 грн
14+ 148.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N135R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW20N135R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 288 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 288W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.09 грн
10+ 206.18 грн
100+ 156.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+189.16 грн
10+ 180.49 грн
25+ 167.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW20N135R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+295.83 грн
3+ 255.87 грн
6+ 188.96 грн
14+ 178.14 грн
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.28 грн
10+ 236.64 грн
25+ 173.81 грн
100+ 153.83 грн
240+ 144.51 грн
480+ 139.18 грн
1200+ 109.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+111.85 грн
Мінімальне замовлення: 105
IHW20N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.22 грн
10+ 166.95 грн
25+ 137.18 грн
100+ 117.2 грн
240+ 110.55 грн
480+ 103.22 грн
1200+ 88.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesDescription: HOME APPLIANCES 14
Packaging: Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.96 грн
10+ 187.64 грн
100+ 151.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N65R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202 грн
10+ 160.82 грн
100+ 115.21 грн
240+ 109.88 грн
480+ 82.58 грн
1200+ 77.91 грн
2640+ 75.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N65R5Infineon TechnologiesDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 82 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/250ns
Switching Energy: 540µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW20N65R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW20N65R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 150 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.94 грн
10+ 183.77 грн
25+ 150.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+139.45 грн
10+ 132.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
IHW20N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 257ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 240 шт
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+136.64 грн
Мінімальне замовлення: 240
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1
Код товару: 182097
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 257ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/250ns
Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.57 грн
30+ 144.29 грн
120+ 118.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20T120INF07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW20T120Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 20A
товар відсутній
IHW20T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 40A 178W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 28Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 178 W
товар відсутній
IHW25N120MODULE
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW25N120E1Infineon / IRIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 800µJ (off)
Gate Charge: 147 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 231 W
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.99 грн
30+ 167.11 грн
120+ 143.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW25N120E1XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 92.4W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 2004ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IHW25N120E1XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 92.4W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 2004ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+147.11 грн
10+ 137.28 грн
25+ 136.34 грн
100+ 121.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.1 грн
10+ 194.52 грн
25+ 152.5 грн
100+ 133.85 грн
240+ 133.19 грн
480+ 105.22 грн
1200+ 99.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+141.69 грн
10+ 131.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW25N120E1XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW25N120E1XKSA1 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 231 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.04 грн
10+ 182.28 грн
100+ 122.52 грн
500+ 110.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+158.43 грн
79+ 147.84 грн
80+ 146.83 грн
100+ 130.41 грн
Мінімальне замовлення: 74
IHW25N120R2Infineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 25A
товар відсутній
IHW25N120R2Infineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW25N120R2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 365000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW25N120R2FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW25N120R2FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 365 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 365
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW25N120R2FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW25N120R2FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 50A 365W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: -/324ns
Switching Energy: 1.59mJ
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 60.7 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 365 W
товар відсутній
IHW25N120R2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 365000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW25N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.53 грн
10+ 186.1 грн
25+ 152.5 грн
100+ 130.52 грн
240+ 123.2 грн
480+ 115.87 грн
1200+ 99.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW25N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1400V 68A TO247-44
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-44
Td (on/off) @ 25°C: -/195ns
Switching Energy: -, 110µJ (off)
Test Condition: 25V, 25A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 246 W
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.26 грн
30+ 152.86 грн
120+ 131.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW25N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesHOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW30N100RInfineon TechnologiesDescription: IGBT 1000V 60A 412W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/846ns
Switching Energy: 2.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 209 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 412 W
товар відсутній
IHW30N100TINFINEONMODULE
на замовлення 100059 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N100TFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1000V 60A 412W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/546ns
Switching Energy: 1.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 217 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 412 W
товар відсутній
IHW30N100TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 412000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N110R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+339.52 грн
10+ 300.97 грн
25+ 247.73 грн
100+ 214.43 грн
240+ 203.11 грн
480+ 182.47 грн
1200+ 167.15 грн
IHW30N110R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 1100V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/350ns
Switching Energy: 1.15mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1100 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+291.03 грн
10+ 235.37 грн
100+ 190.43 грн
IHW30N110R3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.1kV; 30A; 166W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 180nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.1kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
Turn-off time: 470ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 166W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+378.3 грн
3+ 321.57 грн
4+ 268.87 грн
10+ 254.72 грн
IHW30N110R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+339.52 грн
10+ 300.97 грн
25+ 247.73 грн
100+ 239.07 грн
240+ 203.11 грн
480+ 182.47 грн
1200+ 167.15 грн
IHW30N110R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.68 грн
10+ 253.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N110R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N110R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+327.04 грн
43+ 273.12 грн
Мінімальне замовлення: 36
IHW30N110R3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.1kV; 30A; 166W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 180nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.1kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
Turn-off time: 470ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 166W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+315.25 грн
3+ 258.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N110R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N110R3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 333 W, 1.1 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.1kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+379.5 грн
10+ 289.85 грн
100+ 213.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N110R3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TO-247-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
товар відсутній
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+258.72 грн
51+ 230.71 грн
53+ 216.17 грн
100+ 177.93 грн
Мінімальне замовлення: 46
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/350ns
Gate Charge: 240 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 330 W
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.25 грн
30+ 190.51 грн
120+ 163.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+240.24 грн
10+ 214.38 грн
25+ 214.23 грн
50+ 200.73 грн
100+ 165.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N110R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N110R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 330 W, 1.1 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.1kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+369.04 грн
10+ 298.82 грн
25+ 256.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+183.64 грн
Мінімальне замовлення: 240
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.38 грн
10+ 218.26 грн
25+ 179.14 грн
100+ 153.83 грн
240+ 144.51 грн
480+ 135.85 грн
1200+ 116.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N120RInfineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 30A
товар відсутній
IHW30N120R2Infineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 30A
товар відсутній
IHW30N120R2INFINEONMODULE
на замовлення 100152 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N120R2Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 60A 390W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/792ns
Switching Energy: 3.1mJ
Test Condition: 600V, 30A, 28Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 390 W
товар відсутній
IHW30N120R3Infineon technologies
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N120R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
товар відсутній
IHW30N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 349mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+333.06 грн
37+ 320.62 грн
38+ 311.58 грн
50+ 292 грн
100+ 264.46 грн
Мінімальне замовлення: 36
IHW30N120R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N120R3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 349
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP™
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW30N120R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
товар відсутній
IHW30N120R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 60A 349W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Td (on/off) @ 25°C: -/326ns
Switching Energy: 1.47mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 263 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 349 W
товар відсутній
IHW30N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 349mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.27 грн
10+ 297.72 грн
25+ 289.33 грн
50+ 271.14 грн
100+ 245.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N120R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+219.82 грн
59+ 200.83 грн
62+ 188.77 грн
100+ 169.65 грн
Мінімальне замовлення: 54
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+398.83 грн
46+ 253.98 грн
57+ 205.37 грн
Мінімальне замовлення: 30
IHW30N120R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 363ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.39 грн
10+ 244.3 грн
25+ 169.15 грн
100+ 149.84 грн
240+ 145.17 грн
480+ 142.51 грн
1200+ 113.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+204.12 грн
10+ 186.49 грн
25+ 175.29 грн
100+ 157.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N120R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N120R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+381.74 грн
10+ 307.78 грн
25+ 194.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N120R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 363ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/330ns
Switching Energy: 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 330 W
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.92 грн
30+ 187.04 грн
120+ 160.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N135R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+369.04 грн
10+ 305.56 грн
25+ 251.06 грн
100+ 215.1 грн
240+ 203.11 грн
480+ 191.12 грн
1200+ 169.81 грн
IHW30N135R3
Код товару: 187683
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW30N135R3Infineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N135R3Infineon TechnologiesDescription: REVERSE CONDUCTING IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/337ns
Switching Energy: 1.93mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 263 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 349 W
товар відсутній
IHW30N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+93.93 грн
9+ 68.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
IHW30N135R3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 175W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 175W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 263nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 510ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW30N135R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1350V 60A 349W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/337ns
Switching Energy: 1.93mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 263 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 349 W
товар відсутній
IHW30N135R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N135R3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 349 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
Verlustleistung Pd: 349
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.35
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 60
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW30N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW30N135R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+330.97 грн
10+ 281.06 грн
25+ 233.08 грн
100+ 205.11 грн
240+ 195.79 грн
480+ 186.46 грн
1200+ 169.81 грн
IHW30N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N135R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+11902.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+190.1 грн
10+ 177.24 грн
25+ 172.98 грн
50+ 165.13 грн
100+ 140.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+257.53 грн
10+ 224.46 грн
25+ 214.31 грн
50+ 206 грн
100+ 161.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+204.72 грн
62+ 190.87 грн
63+ 186.28 грн
64+ 177.83 грн
100+ 150.83 грн
Мінімальне замовлення: 58
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11051.97 грн
IHW30N135R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 680ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/310ns
Switching Energy: 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 330 W
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.62 грн
50+ 211.41 грн
100+ 181.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N135R5XKSA1
Код товару: 183681
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW30N135R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N135R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 330 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 330W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+336.92 грн
10+ 247.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+275.81 грн
10+ 259.61 грн
25+ 190.46 грн
100+ 165.15 грн
240+ 160.49 грн
480+ 128.53 грн
1200+ 121.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+151.47 грн
Мінімальне замовлення: 78
IHW30N135R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 680ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+354.18 грн
38+ 311.52 грн
50+ 248.03 грн
100+ 238.21 грн
200+ 209.93 грн
Мінімальне замовлення: 33
IHW30N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesHOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW30N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1400V 80A TO247-44
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-44
Td (on/off) @ 25°C: -/175ns
Switching Energy: -, 140µJ (off)
Test Condition: 25V, 30A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 306 W
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.09 грн
30+ 202.23 грн
120+ 173.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N140R5LXKSA1
Код товару: 196050
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW30N140R5LXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N140R5LXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 306 W, 1.4 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.4kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+372.03 грн
10+ 331.69 грн
100+ 279.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+288.24 грн
10+ 238.94 грн
25+ 195.79 грн
100+ 167.82 грн
240+ 157.83 грн
480+ 148.5 грн
1200+ 127.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+173.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW30N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+186.41 грн
Мінімальне замовлення: 63
IHW30N160R2Infineon TechnologiesIGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
товар відсутній
IHW30N160R2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 30A; 312W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 312W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 675ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW30N160R2
Код товару: 53306
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW30N160R2FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N160R2FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.1 V, 312 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1
Verlustleistung Pd: 312
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.6
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 30
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
IHW30N160R2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+439.39 грн
10+ 396.68 грн
50+ 372.42 грн
100+ 338.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N160R2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N160R2FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
товар відсутній
IHW30N160R2FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1600V 60A 312W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/525ns
Switching Energy: 4.37mJ
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 312 W
товар відсутній
IHW30N160R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW30N160R5Infineon TechnologiesReverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+456.34 грн
27+ 436.73 грн
50+ 420.09 грн
100+ 391.34 грн
Мінімальне замовлення: 26
IHW30N160R5FKSA1Infineon TechnologiesIHW30N160R5FKSA1
товар відсутній
IHW30N160R5FKSA1Infineon TechnologiesIHW30N160R5FKSA1
товар відсутній
IHW30N160R5XKSA1InfineonReverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5 TIHW30n160r5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+312.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesReverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
товар відсутній
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesReverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
товар відсутній
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/290ns
Switching Energy: -, 350µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 205 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 263 W
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.88 грн
30+ 247.88 грн
120+ 212.46 грн
510+ 177.24 грн
1020+ 151.76 грн
2010+ 142.9 грн
IHW30N160R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 411ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+528.01 грн
3+ 350.96 грн
8+ 318.82 грн
IHW30N160R5XKSA1
Код товару: 180199
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW30N160R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N160R5XKSA1 - IGBT, 30 A, 1.85 V, 263 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Resonant Switching Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.6kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+421.33 грн
10+ 302.55 грн
100+ 229.34 грн
500+ 205.33 грн
1000+ 181.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesReverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
товар відсутній
IHW30N160R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 411ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.01 грн
3+ 281.64 грн
8+ 265.68 грн
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+352.72 грн
10+ 328.54 грн
25+ 239.74 грн
100+ 205.77 грн
240+ 205.11 грн
480+ 155.83 грн
1200+ 147.17 грн
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesReverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
на замовлення 4503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+394.9 грн
35+ 333.62 грн
50+ 253.86 грн
100+ 243.86 грн
200+ 212.77 грн
960+ 180.08 грн
1920+ 168.41 грн
Мінімальне замовлення: 30
IHW30N160R5XKSA1; Reverse conducting IGBT+диод; 39A; 1600V; 131,5W; Корпус: TO-247; Infineon
на замовлення 17 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+326.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N60TInfineon TechnologiesDescription: IHW30N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
товар відсутній
IHW30N60TMODULE
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IHW30N60TFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 60A 187W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
товар відсутній
IHW30N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N65R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW30N65R5Rochester Electronics, LLCDescription: IHW30N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
товар відсутній
IHW30N65R5Infineon technologies
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N65R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N65R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.35 V, 176 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35
Verlustleistung Pd: 176
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP
DC-Kollektorstrom: 60
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IHW30N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 88W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 88W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 228ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW30N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 88W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 88W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 228ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IHW30N65R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.22 грн
10+ 187.63 грн
25+ 141.84 грн
100+ 121.2 грн
240+ 112.54 грн
480+ 92.57 грн
1200+ 86.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N65R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/220ns
Switching Energy: 850µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 153 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 176 W
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.57 грн
30+ 141.97 грн
120+ 121.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N65R6XKSA1Infineon TechnologiesSP005399486
товар відсутній
IHW30N65R6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 65A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/161ns
Switching Energy: 730µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 163 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+100.44 грн
Мінімальне замовлення: 240
IHW30N65R6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW30N65R6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/161ns
Switching Energy: 730µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 163 W
товар відсутній
IHW30N65R6XKSA1Infineon TechnologiesReverse-Conducting IGBT with Monolithic Body Diode
товар відсутній
IHW30N65R6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N65R6XKSA1 - IGBT, 65 A, 1.26 V, 163 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.26V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 65A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.11 грн
10+ 135.96 грн
25+ 109.82 грн
240+ 90.87 грн
720+ 81.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
IHW30N90RInfineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 900V 60A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N90RInfineon TechnologiesDescription: IGBT 900V 60A 454W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/511ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 454 W
товар відсутній
IHW30N90RXKInfineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 900V 60A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N90TINF07+;
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N90TInfineon TechnologiesDescription: IGBT, 60A, 900V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/556ns
Switching Energy: 1.8mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 280 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 428 W
на замовлення 5809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+181.37 грн
Мінімальне замовлення: 113
IHW30N90TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 900V 30A
товар відсутній
IHW30N90TFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 900V 30A
товар відсутній
IHW30N90TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 900V 30A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N90TFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 900V 60A 428W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/556ns
Switching Energy: 1.8mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 280 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 428 W
товар відсутній
IHW40N120R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
товар відсутній
IHW40N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 429000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N120R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N120R3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.55 V, 429 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 429
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW40N120R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 80A 429W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/336ns
Switching Energy: 2.02mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 335 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 429 W
товар відсутній
IHW40N120R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товар відсутній
IHW40N120R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW40N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 394000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N120R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW40N120R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N120R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.55 V, 394 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+379.5 грн
10+ 307.03 грн
25+ 251.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N120R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/420ns
Switching Energy: 1.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 394 W
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.34 грн
30+ 211.85 грн
120+ 181.58 грн
510+ 151.47 грн
1020+ 129.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N120R5XKSA1
Код товару: 175988
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW40N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+463.32 грн
32+ 373.03 грн
50+ 352.2 грн
100+ 290.83 грн
Мінімальне замовлення: 26
IHW40N120R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IHW40N120R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 4423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+301.45 грн
10+ 277.99 грн
25+ 205.11 грн
100+ 175.81 грн
240+ 169.81 грн
480+ 133.19 грн
1200+ 125.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N135R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
товар відсутній
IHW40N135R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товар відсутній
IHW40N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 429000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 429000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N135R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N135R3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 429 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35
Verlustleistung: 429
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP™
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW40N135R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1350V 80A 429W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/343ns
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 365 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 429 W
товар відсутній
IHW40N135R5Infineon TechnologiesInfineon HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+325.53 грн
10+ 314.75 грн
25+ 235.74 грн
100+ 201.78 грн
240+ 171.81 грн
480+ 162.49 грн
1200+ 144.51 грн
IHW40N135R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N135R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+353.35 грн
10+ 264.45 грн
100+ 182.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/410ns
Switching Energy: 2mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 305 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 394 W
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.84 грн
30+ 243.92 грн
120+ 209.08 грн
IHW40N135R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Kind of package: tube
Power dissipation: 197W
Gate charge: 305nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 0.5µs
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+476.02 грн
3+ 413.2 грн
4+ 289.68 грн
10+ 273.87 грн
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 17590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+228.6 грн
10+ 216.73 грн
25+ 206.53 грн
100+ 181.77 грн
240+ 155.74 грн
480+ 139.84 грн
1200+ 134.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW40N135R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Kind of package: tube
Power dissipation: 197W
Gate charge: 305nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 0.5µs
Type of transistor: IGBT
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+396.68 грн
3+ 331.58 грн
4+ 241.4 грн
10+ 228.22 грн
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+246.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 17589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+202.92 грн
61+ 194.2 грн
63+ 186.8 грн
100+ 174.02 грн
250+ 156.24 грн
500+ 145.91 грн
1000+ 142.34 грн
2500+ 139.2 грн
5000+ 136.43 грн
Мінімальне замовлення: 58
IHW40N135R5XKSA1 (H40PR5) ; Reverse conducting IGBT+диод; 40(80)A; 1350V; 394W; Корпус: TO-247; Infineon
Код товару: 182017
Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
IHW40N135R5XKSA1; Reverse conducting IGBT+диод; 40(80)A; 1350V; 394W; Корпус: TO-247; Infineon
на замовлення 13 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+333.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 366W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 366W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesHOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW40N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+341.07 грн
10+ 281.82 грн
25+ 231.75 грн
100+ 199.11 грн
240+ 187.79 грн
480+ 176.47 грн
1200+ 151.17 грн
IHW40N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesDescription: HOME APPLIANCES 14
Packaging: Tube
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.13 грн
10+ 272.48 грн
100+ 220.45 грн
IHW40N60RInfineon TechnologiesIGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+368.26 грн
10+ 326.24 грн
25+ 268.37 грн
100+ 243.73 грн
240+ 207.11 грн
480+ 197.78 грн
1200+ 181.13 грн
IHW40N60RInfineon TechnologiesDescription: IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/193ns
Switching Energy: 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 15396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+164.19 грн
Мінімальне замовлення: 121
IHW40N60RINFINEONDescription: INFINEON - IHW40N60R - IGBT, 40 A, 2.4 V, 305 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 305
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4
Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW40N60RF
Код товару: 101823
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW40N60RFInfineon TechnologiesIGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+360.49 грн
10+ 319.35 грн
25+ 262.38 грн
100+ 217.09 грн
240+ 183.8 грн
480+ 174.48 грн
1200+ 163.15 грн
IHW40N60RFFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/175ns
Switching Energy: 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
товар відсутній
IHW40N60RFFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+330.15 грн
Мінімальне замовлення: 36
IHW40N60RFFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N60RFFKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N60RFFKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 305 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 305
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW40N60RFFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW40N60RFFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/175ns
Switching Energy: 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+162.3 грн
Мінімальне замовлення: 123
IHW40N60RFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+368.26 грн
10+ 326.24 грн
25+ 268.37 грн
100+ 232.41 грн
240+ 225.09 грн
480+ 201.11 грн
1200+ 192.46 грн
IHW40N60RFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 217ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW40N60RFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/193ns
Switching Energy: 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
товар відсутній
IHW40N60RFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 217ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IHW40N60RFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW40N60RFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/193ns
Switching Energy: 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+166.3 грн
Мінімальне замовлення: 121
IHW40N60RFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N60T
на замовлення 6645 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW40N65R5Infineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW40N65R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.64 грн
10+ 188.39 грн
25+ 155.16 грн
100+ 132.52 грн
240+ 109.88 грн
480+ 100.56 грн
1200+ 94.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N65R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+259.22 грн
10+ 233.08 грн
25+ 190.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW40N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 273ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IHW40N65R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW40N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N65R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/258ns
Switching Energy: 630µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 193 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.63 грн
30+ 159.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+218.26 грн
62+ 189.49 грн
100+ 180.56 грн
Мінімальне замовлення: 54
IHW40N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 273ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW40N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N65R6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 83A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 99 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/211ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 159 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 83 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 210 W
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.54 грн
30+ 152.1 грн
120+ 130.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R6XKSA1Infineon TechnologiesSP005399488
товар відсутній
IHW40N65R6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT with Monolithic Integrated Diode
товар відсутній
IHW40N65R6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 105W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.91 грн
3+ 177.58 грн
6+ 139.43 грн
16+ 131.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N65R6XKSA1 - IGBT, 83 A, 1.29 V, 210 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.29V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 83A
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+306.29 грн
10+ 246.52 грн
25+ 201.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW40N65R6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 105W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+255.49 грн
3+ 221.3 грн
6+ 167.32 грн
16+ 158.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.87 грн
10+ 185.33 грн
25+ 149.84 грн
100+ 128.53 грн
240+ 119.2 грн
480+ 98.56 грн
1200+ 92.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40T120INFINEONMODULE
на замовлення 100100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW40T120INF07+;
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW40T120Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
товар відсутній
IHW40T120Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 75A 270W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns
Switching Energy: 6.5mJ
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+363.85 грн
Мінімальне замовлення: 55
IHW40T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 75A 270W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns
Switching Energy: 6.5mJ
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 270 W
товар відсутній
IHW40T60Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT TrnchStp w/Soft Fast Recovery
товар відсутній
IHW40T60INF
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW40T60Infineon TechnologiesDescription: IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/186ns
Switching Energy: 920µJ
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 215 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 303 W
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+163.53 грн
Мінімальне замовлення: 134
IHW40T60Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 303000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40T60FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 80A 303W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/186ns
Switching Energy: 920µJ
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 215 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 303 W
товар відсутній
IHW40T60FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 303000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40T60FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 80A 303W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/186ns
Switching Energy: 920µJ
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 215 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 303 W
на замовлення 13929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+206.87 грн
Мінімальне замовлення: 97
IHW50N65R5Infineon technologies
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW50N65R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+261.82 грн
10+ 216.73 грн
25+ 177.8 грн
100+ 152.5 грн
240+ 143.84 грн
480+ 135.18 грн
1200+ 119.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+316.75 грн
3+ 259.44 грн
4+ 224.75 грн
10+ 212.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW50N65R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW50N65R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 282 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 282W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+366.8 грн
10+ 297.32 грн
25+ 244.28 грн
240+ 192.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW50N65R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.26 грн
25+ 208.3 грн
100+ 155.16 грн
480+ 115.87 грн
1200+ 109.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+321.89 грн
10+ 292.7 грн
25+ 268.78 грн
50+ 254.8 грн
100+ 211.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/220ns
Switching Energy: 740µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 282 W
товар відсутній
IHW50N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW50N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+380.1 грн
3+ 323.3 грн
4+ 269.7 грн
10+ 255.55 грн
IHW50N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+346.65 грн
38+ 315.22 грн
41+ 289.46 грн
50+ 274.4 грн
100+ 227.32 грн
Мінімальне замовлення: 34
IHW50N65R6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 108 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/261ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 199 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 251 W
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.03 грн
30+ 171.29 грн
120+ 146.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R6XKSA1Infineon TechnologiesSP005399490
товар відсутній
IHW50N65R6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW50N65R6XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.3 V, 251 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 251
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+314.51 грн
10+ 267.44 грн
100+ 262.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW50N65R6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.84 грн
10+ 208.3 грн
25+ 168.48 грн
100+ 144.51 грн
240+ 133.85 грн
480+ 110.55 грн
1200+ 104.55 грн
Мінімальне замовлення: 2