Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IHW50N65R5XKSA1
IHW50N65R5XKSA1

IHW50N65R5XKSA1 Infineon Technologies

Infineon_IHW50N65R5_DS_v02_04_EN-1731583.pdf Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+259.73 грн
10+ 215.64 грн
25+ 176.25 грн
100+ 151.07 грн
240+ 143.12 грн
480+ 134.5 грн
1200+ 115.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IHW50N65R5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 95 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/220ns, Switching Energy: 740µJ (on), 180µJ (off), Test Condition: 400V, 25A, 8Ohm, 15V, Gate Charge: 230 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 282 W.

Інші пропозиції IHW50N65R5XKSA1 за ціною від 191.18 грн до 378.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IHW50N65R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+315.15 грн
3+ 258.13 грн
4+ 223.62 грн
10+ 211.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ihw50n65r5-ds-v02_04-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+320.27 грн
10+ 291.23 грн
25+ 267.43 грн
50+ 253.51 грн
100+ 210.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ihw50n65r5-ds-v02_04-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+344.91 грн
38+ 313.63 грн
41+ 288 грн
50+ 273.01 грн
100+ 226.18 грн
Мінімальне замовлення: 34
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 Виробник : INFINEON DS_IHW50N65R5_1_2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=5546d461464245d30146ae23713f0115 Description: INFINEON - IHW50N65R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 282 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 282W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+364.95 грн
10+ 295.83 грн
25+ 243.05 грн
240+ 191.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IHW50N65R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+378.18 грн
3+ 321.67 грн
4+ 268.35 грн
10+ 254.27 грн
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ihw50n65r5-ds-v02_04-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ihw50n65r5-ds-v02_04-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IHW50N65R5_1_2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=5546d461464245d30146ae23713f0115 Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/220ns
Switching Energy: 740µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 282 W
товар відсутній