Продукція > VN2

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
VN2Carlo Gavazzi Inc.Description: LVL SEN COND 2 PROBE NYLON
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
VN2Carlo GavazziLiquid Level Sensors LVL SNSR COND 2 PROBE NYLON
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+12840.24 грн
5+ 12017.34 грн
10+ 10002.35 грн
VN2CARLO GAVAZZIC-GAVAZZI-VN2 Monitoring Relays
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+4285.29 грн
VN20-080L-192CerSMD 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN20-2019Cinch Connectivity SolutionsDescription: CONN N TYPE PLUG R/A SOLDER
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Male Pin
Contact Termination: Solder
Mounting Type: Free Hanging (In-Line), Right Angle
Cable Group: RG-214
Fastening Type: Threaded
Connector Style: N Type
Shield Termination: Crimp
Part Status: Active
Number of Ports: 1
товар відсутній
VN20-2020Vitelec / Cinch Connectivity SolutionsRF Connectors / Coaxial Connectors N R/A Crimp Plug RG 213
товар відсутній
VN20-2020Cinch Connectivity SolutionsDescription: CONN N TYPE PLUG R/A 50OHM SOLDR
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Male Pin
Contact Termination: Solder
Impedance: 50 Ohms
Mounting Type: Free Hanging (In-Line), Right Angle
Cable Group: RG-213
Fastening Type: Threaded
Connector Style: N Type
Housing Color: Silver
Shield Termination: Crimp
Center Contact Material: Brass
Frequency - Max: 4 GHz
Number of Ports: 1
товар відсутній
VN20-2031Cinch Connectivity SolutionsDescription: CONN N TYPE PLUG R/A SOLDER
товар відсутній
VN20-2050Cinch Connectivity SolutionsDescription: CONN N TYPE PLUG R/A SOLDER
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Male Pin
Contact Termination: Solder
Mounting Type: Free Hanging (In-Line), Right Angle
Cable Group: RG-223
Fastening Type: Threaded
Connector Style: N Type
Shield Termination: Crimp
Part Status: Active
Number of Ports: 1
товар відсутній
VN20-2050Vitelec / Cinch Connectivity SolutionsRF Connectors / Coaxial Connectors N R/A Crimp Plug RG 223
товар відсутній
VN20-2051Cinch Connectivity SolutionsDescription: CONN N TYPE PLUG R/A 50OHM SOLDR
товар відсутній
VN20-2051Vitelec / Cinch Connectivity SolutionsRF Connectors / Coaxial Connectors N R/A Crimp Plug RG 58
товар відсутній
VN2010
на замовлення 13950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2010LVishay / SiliconixMOSFET 200V 0.19A 0.8W
товар відсутній
VN2010L
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2010L-TAVishayVishay
товар відсутній
VN2010L-TR1VishayVishay USE TN2404KL-TR1
товар відсутній
VN2010LA
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2020L
на замовлення 12350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN20A
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN20A1500000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB RIS CLA 180D SOL
товар відсутній
VN20ANST01+ TO220-5
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN20AN
Код товару: 167209		Реле
товар відсутній
VN20ANST
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN20H
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN20NST0305+ ZIP5
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN20NSTSOP 16
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN21STMicroelectronicsPower Switch ICs - Power Distribution High Side for SSR
товар відсутній
VN21STMicroelectronicsDescription: IC PWR DRVR N-CH 1:1 5PENTAWATT
Features: Status Flag
Packaging: Tube
Package / Case: Pentawatt-5 (Vertical, Bent and Staggered Leads)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 50mOhm (Max)
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 26V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 23A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 5-PENTAWATT
Fault Protection: Open Load Detect, Over Temperature
товар відсутній
VN21ST01+ TO220-5
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN21(012Y)STMicroelectronicsDescription: IC PWR DRVR N-CH 1:1 5PENTAWATT
Packaging: Tube
Features: Status Flag
Package / Case: Pentawatt-5 (Straight Leads, Staggered Depth)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 50mOhm (Max)
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 26V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 23A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 5-PENTAWATT
Fault Protection: Open Load Detect, Over Temperature
товар відсутній
VN21-11-ESTMicroelectronicsDescription: IC PWR DRVR N-CH 1:1 5PENTAWATT
товар відсутній
VN21-11-E
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN21-12-E
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN21-12-ESTMicroelectronicsDescription: IC PWR DRVR N-CH 1:1 5PENTAWATT
товар відсутній
VN21-ESTMicroelectronicsPower Switch Hi Side 1-OUT 23A 0.05Ohm 5-Pin(5+Tab) PENTAWATT Tube
товар відсутній
VN21-ESTMicroelectronicsPower Switch ICs - Power Distribution
товар відсутній
VN21-ESTMicroelectronicsDescription: IC PWR DRVR N-CH 1:1 5PENTAWATT
Features: Status Flag
Packaging: Tube
Package / Case: Pentawatt-5 (Vertical, Bent and Staggered Leads)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 50mOhm (Max)
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 26V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 23A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 5-PENTAWATT
Fault Protection: Open Load Detect, Over Temperature
товар відсутній
VN21-EST
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2106N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
VN2106N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.03 грн
11+ 33.71 грн
25+ 32.19 грн
28+ 29.13 грн
77+ 27.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
VN2106N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 584 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+67.23 грн
7+ 42.01 грн
25+ 38.62 грн
28+ 34.96 грн
77+ 33.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
VN2106N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
VN2106N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
VN2106N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+51.83 грн
250+ 50.21 грн
500+ 48.69 грн
Мінімальне замовлення: 226
VN2106N3-GMicrochip TechnologyMOSFET 60V 4Ohm
на замовлення 4704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.13 грн
25+ 29.94 грн
100+ 22.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
VN2106N3-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 6609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.14 грн
25+ 26.91 грн
100+ 23.7 грн
Мінімальне замовлення: 9
VN2106N3-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - VN2106N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 4362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.11 грн
26+ 29.51 грн
100+ 26 грн
1000+ 23.65 грн
Мінімальне замовлення: 22
VN2106N3-G P005Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товар відсутній
VN2106N3-G P013Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товар відсутній
VN2110K1SUPERTEXINC07+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2110K1SUPERTEX00+
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2110K1SUPERTEX
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2110K1-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 7163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.5 грн
25+ 34.6 грн
100+ 31.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
VN2110K1-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - VN2110K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 4562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.04 грн
25+ 33.77 грн
100+ 30.63 грн
3000+ 27.89 грн
Мінімальне замовлення: 19
VN2110K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.66 грн
6000+ 50.29 грн
12000+ 48.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
VN2110K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
VN2110K1-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
VN2110K1-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - VN2110K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 4562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.63 грн
3000+ 27.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
VN2110K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
VN2110K1-GMicrochip TechnologyMOSFET 100V 4Ohm
на замовлення 12100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.35 грн
10+ 42.12 грн
25+ 32.36 грн
100+ 30.37 грн
250+ 29.83 грн
500+ 29.77 грн
1000+ 29.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
VN2110K1-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.6A; 360mW; SOT23-3
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.6A
Drain-source voltage: 100V
On-state resistance: 4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
VN2110K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+48.65 грн
287+ 40.8 грн
309+ 37.83 грн
322+ 35.05 грн
500+ 32.13 грн
1000+ 30.53 грн
Мінімальне замовлення: 240
VN2110K1-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.6A; 360mW; SOT23-3
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.6A
Drain-source voltage: 100V
On-state resistance: 4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
товар відсутній
VN2110K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+45.17 грн
25+ 37.88 грн
100+ 33.88 грн
250+ 30.13 грн
500+ 28.64 грн
1000+ 28.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
VN2110K1/N1AC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN21A1500000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB RIS CLA 180D SOL
товар відсутній
VN21A1500000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 21P SIDE ENT 2.54MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Green
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 18-30 AWG
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 21
Wire Termination: Screw - Rising Cage Clamp
Current: 6 A
Number of Levels: 1
Voltage: 150 V
товар відсутній
VN21L
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN21SPST09+ HSOP10
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN21SPST
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN220ST01+ TO220-5
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN220STMicroelectronicsSTMicroelectronics ABD VIPOWER
товар відсутній
VN2204N3
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2206
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2206N2SILICONI
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2206N3
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2210
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2210N2Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1122.33 грн
25+ 990.91 грн
100+ 897.4 грн
VN2210N2MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; 360mW; TO39
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.36W
Case: TO39
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
VN2210N2Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 100V 1.7A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+804.04 грн
VN2210N2Microchip TechnologyMOSFET 100V 0.35Ohm
на замовлення 398 шт:
термін постачання 322-331 дні (днів)
1+1179.37 грн
25+ 1066.03 грн
100+ 839.74 грн
VN2210N2MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; 360mW; TO39
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.36W
Case: TO39
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
VN2210N2Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 100V 1.7A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+910.68 грн
25+ 827.81 грн
VN2210N3
на замовлення 907 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2210N3Microchip TechnologyMOSFET 100V 0.35Ohm
товар відсутній
VN2210N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 100V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
VN2210N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
VN2210N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 100V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
VN2210N3-GMicrochip TechnologyMOSFET 100V 0.35Ohm
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.58 грн
25+ 147.8 грн
100+ 117.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
VN2210N3-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 3826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.68 грн
25+ 132.6 грн
100+ 121.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
VN2210N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 100V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
VN2210N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
VN2222
на замовлення 5507 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2222LVishay / SiliconixMOSFET 60V 0.23A 0.8W
товар відсутній
VN2222LVishay
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2222LL
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2222LLDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
VN2222LLonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 150MA TO92-3
товар відсутній
VN2222LLonsemiMOSFET 60V 150mA N-Channel
товар відсутній
VN2222LLVishay / SiliconixMOSFET 60V 0.23A 0.8W
товар відсутній
VN2222LLMicrochip TechnologyMOSFET 60V 7.5Ohm
товар відсутній
VN2222LL-GMicrochip TechnologyMOSFET 60V 7.5Ohm
на замовлення 26930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+39 грн
100+ 32.09 грн
500+ 25.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
VN2222LL-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+39.43 грн
16+ 37.38 грн
25+ 31.8 грн
Мінімальне замовлення: 15
VN2222LL-G
Код товару: 103104		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
VN2222LL-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 17
VN2222LL-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; Idm: 1A; 1W; TO92
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 7.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 1A
Case: TO92
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.19 грн
9+ 40.09 грн
25+ 31.42 грн
68+ 30.8 грн
100+ 29.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
VN2222LL-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+39.54 грн
16+ 37.49 грн
25+ 31.88 грн
100+ 27.98 грн
1000+ 25.3 грн
Мінімальне замовлення: 15
VN2222LL-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - VN2222LL-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 7.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
на замовлення 5530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.5 грн
25+ 31.3 грн
100+ 28.46 грн
1000+ 25.87 грн
Мінімальне замовлення: 20
VN2222LL-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; Idm: 1A; 1W; TO92
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 7.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 1A
Case: TO92
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 382 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+95.02 грн
6+ 49.96 грн
25+ 37.71 грн
68+ 36.96 грн
100+ 35.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
VN2222LL-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 3544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+36.02 грн
25+ 28.83 грн
100+ 26.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
VN2222LL-G P005Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товар відсутній
VN2222LL-G-P003Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
VN2222LL-G-P003MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; Idm: 1A; 1W; TO92
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 7.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 1A
Case: TO92
товар відсутній
VN2222LL-G-P003Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.78 грн
25+ 34.24 грн
100+ 31.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
VN2222LL-G-P003Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.23 грн
25+ 38.44 грн
100+ 30.37 грн
1000+ 28.37 грн
4000+ 28.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
VN2222LL-G-P003MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; Idm: 1A; 1W; TO92
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 7.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 1A
Case: TO92
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
VN2222LL-G-P003Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 2000
VN2222LL-G-P003Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
VN2222LL-G-P013Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній
VN2222LL-G-P013Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
VN2222LL-G-P013MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; Idm: 1A; 1W; TO92
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 7.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 1A
Case: TO92
товар відсутній
VN2222LL-G-P013Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.78 грн
25+ 34.24 грн
100+ 31.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
VN2222LL-G-P013Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 3431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.23 грн
25+ 38.44 грн
100+ 30.37 грн
1000+ 29.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
VN2222LL-G-P013MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; Idm: 1A; 1W; TO92
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 7.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 1A
Case: TO92
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
VN2222LL-TR1-E3VISHAYTO92
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2222LLG
на замовлення 3992 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2222LLGON SemiconductorMOSFET 60V 150mA N-Channel
товар відсутній
VN2222LLGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
VN2222LLGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 150MA TO92-3
товар відсутній
VN2222LLRLonsemiDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 30204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2664+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 2664
VN2222LLRLRAonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 150MA TO92-3
товар відсутній
VN2222LLRLRAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
VN2222LLRLRAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 150MA TO92-3
товар відсутній
VN2222LLRLRAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 150MA TO92-3
товар відсутній
VN2222LM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2222M
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2224N3-GMicrochip TechnologyMOSFET 240V 1.25Ohm
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.12 грн
10+ 230.51 грн
25+ 180.47 грн
100+ 164.49 грн
250+ 163.82 грн
1000+ 163.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
VN2224N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 240V 0.54A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
VN2224N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 240V 0.54A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+277.01 грн
500+ 260.67 грн
Мінімальне замовлення: 43
VN2224N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 240V 0.54A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
VN2224N3-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 240V 540MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.18 грн
25+ 220.34 грн
100+ 201.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
VN2224N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYVN2224N3-G THT N channel transistors
товар відсутній
VN2224N3-G P002Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товар відсутній
VN2224N3-G P003Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товар відсутній
VN2224N3-G P005Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товар відсутній
VN2224N3-G P013Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товар відсутній
VN2224N3-G P014Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товар відсутній
VN22A1500000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB RIS CLA 180D SOL
товар відсутній
VN2306N1
на замовлення 523 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2310N1
на замовлення 523 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN23A1500000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB RIS CLA 180D SOL
товар відсутній
VN2401L
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2406
на замовлення 3307 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2406BSILICONI
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2406DVISHAY
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2406LMotorola(TMOS,N-CH,240V,0.2A,TO-92)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
VN2406LVishay / SiliconixMOSFET 240V 0.18A 0.8W
товар відсутній
VN2406LMicrochip TechnologyMOSFET 240V 6Ohm
товар відсутній
VN2406L
Код товару: 30187		VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Uds,V: 240 V
Idd,A: 0,18 A
Rds(on), Ohm: 6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 135/ -
Монтаж: THT
товар відсутній
VN2406LonsemiMOSFET
товар відсутній
VN2406L-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
VN2406L-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 1A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
VN2406L-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
VN2406L-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.18 грн
25+ 98.64 грн
100+ 89.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
VN2406L-GMicrochip TechnologyMOSFET 240V 6Ohm
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.2 грн
25+ 98.03 грн
100+ 79.25 грн
250+ 78.58 грн
1000+ 77.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
VN2406L-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 1A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
VN2406L-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
VN2406L-G P002Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товар відсутній
VN2406L-G P003Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товар відсутній
VN2406L-G P005Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товар відсутній
VN2406L-G P013Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товар відсутній
VN2406L-G P014Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товар відсутній
VN2406LZL1onsemiDescription: SMALL SIGNAL FET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
VN2406M
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2406MSiliconixDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
товар відсутній
VN2410
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2410LVishayTrans MOSFET N-CH Si 240V 0.18A 3-Pin TO-226AA
товар відсутній
VN2410LMicrochip TechnologyMOSFET 240V 10Ohm
товар відсутній
VN2410LonsemiMOSFET 240V 200mA N-Channel
товар відсутній
VN2410LSILICONI
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2410L
Код товару: 119529		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
VN2410LVishay / SiliconixMOSFET 240V 0.18A 0.8W
товар відсутній
VN2410L-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+63.98 грн
Мінімальне замовлення: 183
VN2410L-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 190mA; Idm: 1.7A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 1.7A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
VN2410L-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.08 грн
25+ 63.4 грн
100+ 57.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
VN2410L-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
VN2410L-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
VN2410L-GMicrochip TechnologyMOSFET 240V 10Ohm
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.91 грн
25+ 70.53 грн
100+ 55.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
VN2410L-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 190mA; Idm: 1.7A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 1.7A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
VN2410L-G P002Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товар відсутній
VN2410L-G P003Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товар відсутній
VN2410L-G-P013MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 190mA; Idm: 1.7A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 1.7A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
VN2410L-G-P013Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
VN2410L-G-P013MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 190mA; Idm: 1.7A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 1.7A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
VN2410L-G-P013Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.45 грн
25+ 75.51 грн
100+ 60.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
VN2410L-G-P013Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
товар відсутній
VN2410L-G-P014MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 190mA; Idm: 1.7A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 1.7A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
VN2410L-G-P014Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
VN2410L-G-P014MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 190mA; Idm: 1.7A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 1.7A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
VN2410L-G-P014Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 1921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.45 грн
25+ 75.51 грн
100+ 60.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
VN2410L-G-P014Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
товар відсутній
VN2410LAVIS99 TO-92
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2410LGonsemiDescription: MOSFET N-CH 240V 200MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
товар відсутній
VN2410LGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
VN2410LGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
VN2410LGonsemiMOSFET 240V 200mA N-Channel
товар відсутній
VN2410LS
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2410LZL1G
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2410LZL1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 240V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
товар відсутній
VN2410MSiliconixDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 48852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+29 грн
Мінімальне замовлення: 683
VN2450N3Microchip TechnologyMOSFET 500V 13Ohm
товар відсутній
VN2450N3-GMicrochip TechnologyMOSFET 500V 13Ohm
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+104.88 грн
25+ 86.54 грн
100+ 68.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
VN2450N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 500V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+253.67 грн
Мінімальне замовлення: 47
VN2450N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 500V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+54.59 грн
25+ 52.88 грн
100+ 51.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
VN2450N3-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 200MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+96.53 грн
25+ 78.14 грн
100+ 71.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
VN2450N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 500V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
VN2450N3-G P002Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товар відсутній
VN2450N3-G P003Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товар відсутній
VN2450N3-G P005Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товар відсутній
VN2450N3-G P013Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товар відсутній
VN2450N3-G P014Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товар відсутній
VN2450N8SUPERTEX04+
на замовлення 704 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2450N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 250MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 27579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.13 грн
25+ 80.08 грн
100+ 72.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
VN2450N8-G
Код товару: 132674		MicrochipТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-89
Uds,V: 500 V
Idd,A: 0,5 A
Rds(on), Ohm: 13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 150/
Монтаж: SMD
у наявності 5 шт:
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
VN2450N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 500V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
VN2450N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 524 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+276.11 грн
5+ 223.89 грн
6+ 173.98 грн
16+ 164.82 грн
VN2450N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 500V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
VN2450N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 250MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+75.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000
VN2450N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 500V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
VN2450N8-GMicrochip TechnologyMOSFET 500V 13Ohm
на замовлення 2153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.77 грн
25+ 88.84 грн
100+ 69.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
VN2450N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.09 грн
5+ 179.66 грн
6+ 144.98 грн
16+ 137.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
VN2460
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2460N3Microchip TechnologyMOSFET 600V 20Ohm
товар відсутній
VN2460N3-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - VN2460N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 160 mA, 20 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: VN2460
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.59 грн
25+ 91.89 грн
100+ 78.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
VN2460N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 160mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.16A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.44 грн
5+ 120.01 грн
8+ 101.28 грн
22+ 95.73 грн
100+ 91.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
VN2460N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 600V 0.16A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
VN2460N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 160mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.16A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+168.53 грн
5+ 149.55 грн
8+ 121.53 грн
22+ 114.87 грн
100+ 109.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
VN2460N3-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 160MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+98.69 грн
25+ 79.25 грн
100+ 71.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
VN2460N3-G
Код товару: 104102		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
VN2460N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 600V 0.16A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+105.69 грн
25+ 89.25 грн
100+ 79.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
VN2460N3-GMicrochip TechnologyMOSFET 600V 20Ohm
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.77 грн
25+ 88.84 грн
100+ 69.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
VN2460N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 600V 0.16A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+113.82 грн
122+ 96.11 грн
137+ 85.5 грн
Мінімальне замовлення: 103
VN2460N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 600V 0.16A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
VN2460N3-G P002Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товар відсутній
VN2460N3-G P005Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товар відсутній
VN2460N3-G P013Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товар відсутній
VN2460N3-G-P003Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товар відсутній
VN2460N3-G-P003Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 160MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товар відсутній
VN2460N3-G-P003MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 160mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.16A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
VN2460N3-G-P003MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 160mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.16A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
VN2460N3-G-P014MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 160mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.16A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
VN2460N3-G-P014Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 600V 0.16A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
VN2460N3-G-P014MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 160mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.16A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
VN2460N3-G-P014Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 3478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.54 грн
100+ 91.13 грн
250+ 78.58 грн
500+ 75.25 грн
1000+ 73.92 грн
4000+ 73.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
VN2460N3-G-P014Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 160MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товар відсутній
VN2460N8SUPER
на замовлення 12680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2460N8Microchip TechnologyMOSFET 600V 20Ohm
товар відсутній
VN2460N8-gMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 200MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товар відсутній
VN2460N8-gMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 200mA; Idm: 0.6A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
VN2460N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
VN2460N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
VN2460N8-gMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 200MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товар відсутній
VN2460N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - VN2460N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 600 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 1.6
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
VN2460N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
VN2460N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
VN2460N8-gMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 200mA; Idm: 0.6A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
VN2460N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - VN2460N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 600 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 200
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.6
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 20
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
VN2460N8-gMicrochip TechnologyMOSFET 600V 20Ohm
на замовлення 5958 шт:
термін постачання 216-225 дні (днів)
3+111.1 грн
25+ 91.13 грн
100+ 71.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
VN24A1500000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB RIS CLA 180D SOL
товар відсутній
VN26-00635NDFDMF-AVerotronic Technologies Pte Ltd.Description: CBL ASSY 3.5MM JACK TO JACK 25"
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 25.00" (635.00mm)
Style: 3.5mm to 3.5mm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Cable Type: 14.80mm OD Coaxial Cable
1st Connector: 3.5mm Jack
2nd Connector: 3.5mm Jack
Part Status: Active
Frequency - Max: 26.5 GHz
1st Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
2nd Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
1st Contact Gender: Female
2nd Contact Gender: Female
Overall Impedance: 50 Ohms
товар відсутній
VN26-00635NDMNDF-AVerotronic Technologies Pte Ltd.Description: CBL ASSY 3.5MM JACK TO PLUG 25"
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 25.00" (635.00mm)
Style: 3.5mm to 3.5mm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Cable Type: 14.80mm OD Coaxial Cable
1st Connector: 3.5mm Jack
2nd Connector: 3.5mm Plug
Part Status: Active
Frequency - Max: 26.5 GHz
1st Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
2nd Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
1st Contact Gender: Female
2nd Contact Gender: Male
Overall Impedance: 50 Ohms
товар відсутній
VN2780LG
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN280FM
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN280FMЈЁ8922Ј©STSOT-82FM
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
VN2860ST09+
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)