Продукція > WNS

WeEn Semiconductors WNS20H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

товар відсутній

WNS20H100C

Dual power Schottky diode

товар відсутній

WNS20H100CB

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

товар відсутній

WNS20H100CBJ

Dual Power Schottky Diode

товар відсутній

WNS20H100CBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS20H100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

на замовлення 5770 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.98 грн
10+	48.4 грн
100+	30.97 грн
500+	28.17 грн
800+	20.64 грн
2400+	19.58 грн
4800+	18.51 грн

Мінімальне замовлення: 6

WNS20H100CBJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 198
Durchlassspannung Vf max.: 750
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 750
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 10
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 198
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1407 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.49 грн
500+	25.04 грн
1000+	22.6 грн

Мінімальне замовлення: 100

WNS20H100CBJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 100V; 10Ax2; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 180A
Max. forward voltage: 0.7V

на замовлення 810 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	54.53 грн
13+	27.33 грн
25+	24.14 грн
39+	20.95 грн
106+	19.77 грн

Мінімальне замовлення: 7

WNS20H100CBJ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 15098 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.47 грн
10+	46.27 грн
100+	32.03 грн

Мінімальне замовлення: 6

WNS20H100CBJ

на замовлення 1407 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	51.32 грн
18+	42.66 грн
100+	27.49 грн
500+	25.04 грн
1000+	22.6 грн

Мінімальне замовлення: 15

WNS20H100CBJ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 14400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	27.79 грн
1600+	22.77 грн
2400+	20.28 грн
5600+	18.03 грн

Мінімальне замовлення: 800

WNS20H100CBJ

WNS20H100CBJ/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

товар відсутній

WNS20H100CBJ

на замовлення 810 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	65.44 грн
8+	34.06 грн
25+	28.97 грн
39+	25.14 грн
106+	23.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

WNS20H100CQ

WNS20H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

товар відсутній

WNS20H100CQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220AB; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 180A
Max. forward voltage: 0.7V
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 468 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	59.17 грн
9+	30.43 грн
25+	25.8 грн
42+	23.47 грн
100+	23.14 грн
114+	22.14 грн
250+	21.56 грн

Мінімальне замовлення: 5

WNS20H100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS20H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING HORIZONTAL, RAIL PACK,

на замовлення 4811 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.1 грн
10+	46.64 грн
100+	29.43 грн
500+	24.57 грн
1000+	20.84 грн
2000+	18.58 грн
5000+	17.58 грн

Мінімальне замовлення: 6

WNS20H100CQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20H100CQ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 198A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 750mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 1232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	50.28 грн
18+	41.68 грн
100+	26.45 грн
500+	20.46 грн
1000+	14.28 грн

Мінімальне замовлення: 15

WNS20H100CQ

на замовлення 468 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.3 грн
15+	24.42 грн
25+	21.5 грн
42+	19.56 грн
100+	19.28 грн
114+	18.45 грн
250+	17.97 грн

Мінімальне замовлення: 8

WNS20H100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 9878 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.03 грн
10+	45.16 грн
100+	31.25 грн
500+	24.5 грн
1000+	20.85 грн
2000+	18.57 грн
5000+	17.31 грн

Мінімальне замовлення: 6

WNS20S100CBJ

Dual Power Schottky Diode

товар відсутній

WNS20S100CBJ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 7054 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	48.26 грн
10+	40.51 грн
100+	28.02 грн

Мінімальне замовлення: 6

WNS20S100CBJ

на замовлення 236 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

7+	43.66 грн
25+	33.19 грн
40+	24.59 грн
108+	23.25 грн

Мінімальне замовлення: 7

WNS20S100CBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS20S100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

на замовлення 1411 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	52.75 грн
10+	45.03 грн
100+	27.1 грн
500+	24.64 грн
800+	18.11 грн
2400+	17.18 грн
4800+	16.25 грн

Мінімальне замовлення: 6

WNS20S100CBJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20S100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 132A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 1013 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	46.47 грн
20+	38.62 грн
100+	24.35 грн
500+	14.29 грн
1000+	12.49 грн

Мінімальне замовлення: 17

WNS20S100CBJ

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	36.38 грн
25+	26.64 грн
40+	20.49 грн
108+	19.37 грн

Мінімальне замовлення: 11

WNS20S100CBJ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 6400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	24.31 грн
1600+	19.93 грн
2400+	17.75 грн
5600+	15.78 грн

Мінімальне замовлення: 800

WNS20S100CBJ

на замовлення 1013 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.35 грн
500+	14.29 грн
1000+	12.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

WNS20S100CQ

на замовлення 465 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	33.17 грн
25+	24.28 грн
42+	19.28 грн
115+	18.24 грн

Мінімальне замовлення: 12

WNS20S100CQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20S100CQ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 132A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 4448 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	45.12 грн
20+	37.5 грн
100+	23.61 грн
500+	18.38 грн
1000+	12.81 грн

Мінімальне замовлення: 17

WNS20S100CQ

Dual Power Schottky Diode

товар відсутній

WNS20S100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 4911 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.54 грн
50+	37.5 грн
100+	27.22 грн
500+	21.34 грн
1000+	18.17 грн
2000+	16.18 грн

Мінімальне замовлення: 7

WNS20S100CQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220AB; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Max. forward voltage: 0.8V
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 465 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

7+	39.8 грн
25+	30.26 грн
42+	23.14 грн
115+	21.89 грн
1000+	21.56 грн

Мінімальне замовлення: 7

WNS20S100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS20S100CQ/SIL3P/STANDARD MARKING HORIZONTAL, RAIL PACK,

на замовлення 3858 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.28 грн
10+	41.66 грн
100+	26.3 грн
500+	21.98 грн
1000+	18.71 грн
2000+	16.65 грн
5000+	15.72 грн

Мінімальне замовлення: 7

WNS20S100CXQ

WNS20S100CX/TO-220F/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNS20S100CXQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

товар відсутній

WNS20S100CXQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220FP; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Max. forward voltage: 0.95V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

WNS20S100CXQ

Schottky Diodes & Rectifiers Dual Common Cathode Power Schottky

товар відсутній

WNS20S100CXQ

товар відсутній

WNS30H100C

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

товар відсутній

WNS30H100CB

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

товар відсутній

WNS30H100CBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS30H100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

на замовлення 5560 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	79.25 грн
10+	62.95 грн
100+	43.29 грн
500+	36.76 грн
800+	28.17 грн
2400+	28.1 грн
4800+	27.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

WNS30H100CBJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 100V; 15Ax2; D2PAK; reel,tape
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 0.67V
Max. load current: 30A
Max. off-state voltage: 100V
Case: D2PAK
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 330A
Load current: 15A x2

на замовлення 338 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	56.03 грн
8+	43.7 грн
25+	38.15 грн
26+	31.42 грн
71+	29.76 грн

Мінімальне замовлення: 7

WNS30H100CBJ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	72.76 грн
10+	57.09 грн
100+	44.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

WNS30H100CBJ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

товар відсутній

WNS30H100CBJ

на замовлення 338 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	67.23 грн
5+	54.46 грн
25+	45.78 грн
26+	37.71 грн
71+	35.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

WNS30H100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 15A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 12668 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.88 грн
50+	54.14 грн
100+	42.9 грн
500+	34.12 грн
1000+	27.8 грн
2000+	26.17 грн
5000+	24.51 грн
10000+	23.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

WNS30H100CQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 15Ax2; TO220AB; tube
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 0.67V
Max. load current: 30A
Max. off-state voltage: 100V
Case: TO220AB
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 330A
Load current: 15A x2
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 501 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	62.75 грн
6+	49.27 грн
25+	41.62 грн
29+	34.38 грн
78+	32.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

WNS30H100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS30H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING HORIZONTAL, RAIL PACK,

на замовлення 7514 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.6 грн
10+	60.81 грн
100+	41.89 грн
500+	35.49 грн
1000+	28.9 грн
2000+	27.17 грн
5000+	25.9 грн

Мінімальне замовлення: 5

WNS30H100CQ

на замовлення 501 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	52.29 грн
9+	39.54 грн
25+	34.68 грн
29+	28.65 грн
78+	27.05 грн

Мінімальне замовлення: 8

WNS32702

на замовлення 481 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

WNS40100CQ
Код товару: 195265

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі

товар відсутній

WNS40100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS40100C/TO220/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 3155 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.28 грн
10+	48.09 грн
100+	30.97 грн
500+	25.9 грн
1000+	23.84 грн
5000+	18.51 грн
10000+	17.78 грн

Мінімальне замовлення: 6

WNS40100CQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 20Ax2; TO220AB; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 330A
Max. forward voltage: 0.64V

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.3 грн
10+	36.28 грн
11+	32.95 грн
25+	32.74 грн
50+	30.31 грн

Мінімальне замовлення: 8

WNS40100CQ

Description: POWER SCHOTTKY DIODES
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 14995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.96 грн
10+	63.19 грн
100+	49.13 грн
500+	39.07 грн
1000+	31.83 грн
2000+	29.97 грн
5000+	28.07 грн
10000+	26.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

WNS40100CQ

на замовлення 239 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	59.17 грн
6+	45.21 грн
10+	39.54 грн
25+	39.29 грн
50+	36.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

WNS40H100C

WeEn Semiconductors WNS40H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

товар відсутній

WNS40H100C

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

товар відсутній

WNS40H100C,127

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO220E
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

товар відсутній

WNS40H100C,127

Schottky Diodes & Rectifiers WNS40H100C/SIL3P/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNS40H100CB

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

товар відсутній

WNS40H100CB

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

товар відсутній

WNS40H100CBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS40H100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

на замовлення 7333 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	114.21 грн
10+	91.9 грн
100+	62.53 грн
500+	56.94 грн
800+	41.49 грн
2400+	40.29 грн
4800+	38.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

WNS40H100CBJ

WNS40H100CBJ/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

товар відсутній

WNS40H100CBJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS40H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 418
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 710
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 912 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	113.55 грн
10+	102.34 грн
100+	79.93 грн
500+	45.37 грн

Мінімальне замовлення: 7

WNS40H100CBJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 100V; 20Ax2; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 380A
Max. forward voltage: 0.68V
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 450 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	71.72 грн
5+	62.24 грн
23+	43.54 грн
25+	43.45 грн
62+	41.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

WNS40H100CBJ

Dual Power Schottky Diode

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	51.59 грн
1600+	51.08 грн
2400+	50.16 грн
4800+	46.11 грн

Мінімальне замовлення: 800

WNS40H100CBJ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 5652 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.17 грн
10+	82.62 грн
100+	64.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

WNS40H100CBJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS40H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 912 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	79.93 грн
500+	45.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

WNS40H100CBJ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 5600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	56.57 грн
1600+	44.37 грн
2400+	41.77 грн
5600+	37.33 грн

Мінімальне замовлення: 800

WNS40H100CBJ

Dual Power Schottky Diode

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	47.9 грн
1600+	47.43 грн
2400+	46.57 грн
4800+	42.81 грн

Мінімальне замовлення: 800

WNS40H100CBJ

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.95 грн
23+	36.28 грн
25+	36.21 грн
62+	34.27 грн

Мінімальне замовлення: 7

WNS40H100CGQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-262
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

товар відсутній

WNS40H100CGQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 20Ax2; I2PAK; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: I2PAK
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 380A
Max. forward voltage: 0.68V

товар відсутній

WNS40H100CGQ

Schottky Diodes & Rectifiers Dual Common Cathode Power Schottky

товар відсутній

WNS40H100CGQ

товар відсутній

WNS40H100CQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 20Ax2; TO220AB; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 380A
Max. forward voltage: 0.68V

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.23 грн
7+	56.19 грн
20+	40.93 грн
54+	38.85 грн

Мінімальне замовлення: 6

WNS40H100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS40H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING HORIZONTAL, RAIL PACK,

на замовлення 2157 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	111.1 грн
10+	89.6 грн
100+	60.67 грн
500+	51.48 грн
1000+	41.89 грн
2000+	39.36 грн
5000+	37.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

WNS40H100CQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 20Ax2; TO220AB; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 380A
Max. forward voltage: 0.68V
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 970 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	80.68 грн
5+	70.02 грн
20+	49.11 грн
54+	46.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

WNS40H100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 2868 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	102.29 грн
50+	79.2 грн
100+	62.76 грн
500+	49.93 грн
1000+	40.67 грн
2000+	38.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

WNSC010203

Data Center Operation Floor Layout Creation

товар відсутній

WNSC010210

Data Center Operation Labeling Service

товар відсутній

WNSC010212

Data Center Operation Installation

товар відсутній

WNSC010213

Data Center Operation Additional Module Installation

товар відсутній

WNSC010214

Data Center Operation IT Optimize or Power Control Configuration

товар відсутній

WNSC010215

Data Center Expert Standard Support Software Contract

товар відсутній

WNSC010216

StruxureWare Portal Configuration

товар відсутній

WNSC010402

Data Center Capacity Post Configuration Review

товар відсутній

WNSC0112

IT 5 Rack Management Solution

товар відсутній

WNSC0112

Racks & Rack Cabinets IT 5 Rack Management Solution

товар відсутній

WNSC021200Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Max. load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 26A
Max. forward voltage: 1.4V
кількість в упаковці: 1000 шт

товар відсутній

WNSC021200Q

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

WNSC021200Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC021200Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 10 nC, TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 10
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220AC
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

на замовлення 860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	153.89 грн
10+	138.2 грн
100+	135.21 грн
500+	113.76 грн

Мінімальне замовлення: 5

WNSC021200Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC021200/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2128 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	160.05 грн
10+	141.68 грн
100+	120.53 грн
1000+	102.55 грн
2000+	97.89 грн
5000+	72.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC021200Q

товар відсутній

WNSC04650T6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

на замовлення 2862 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	158.49 грн
10+	139.38 грн
100+	97.89 грн
500+	79.91 грн
1000+	66.33 грн
3000+	62.6 грн
6000+	62.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC04650T6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; DFN8x8N; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN8x8N
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 24A

товар відсутній

WNSC04650T6J

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

на замовлення 1930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	152.72 грн
10+	132.08 грн
100+	106.13 грн
500+	81.83 грн
1000+	68.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC04650T6J

товар відсутній

WNSC04650T6J

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

товар відсутній

WNSC051200Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Max. load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Max. forward voltage: 1.4V
кількість в упаковці: 1000 шт

товар відсутній

WNSC051200Q

товар відсутній

WNSC051200Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC051200Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 5 A, 13 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 523 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	190.5 грн
10+	171.82 грн
100+	149.41 грн
500+	131.8 грн

Мінімальне замовлення: 4

WNSC051200Q

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	399.08 грн
10+	344.9 грн

WNSC06650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN

на замовлення 2942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	207.46 грн
10+	179.53 грн
100+	144.33 грн
500+	111.28 грн
1000+	92.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC06650T6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; DFN8x8N; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN8x8N
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 36A

товар відсутній

WNSC06650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN

товар відсутній

WNSC06650T6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

на замовлення 2763 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	201.22 грн
10+	165.42 грн
100+	114.54 грн
500+	96.56 грн
1000+	87.24 грн
3000+	81.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC06650T6J

товар відсутній

WNSC08650T6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

на замовлення 2925 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	236.96 грн
10+	209.84 грн
100+	149.17 грн
500+	127.19 грн
1000+	107.22 грн
3000+	102.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC08650T6J

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

на замовлення 2876 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	227.63 грн
10+	197.28 грн
100+	161.67 грн
500+	129.16 грн
1000+	113.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC08650T6J

WNSC08650T6J SMD Schottky diodes

товар відсутній

WNSC08650T6J

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

товар відсутній

WNSC101200CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A x2
Max. load current: 10A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 65A
Max. forward voltage: 1.6V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

WNSC101200CWQ

товар відсутній

WNSC101200CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC101200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 12 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	288.36 грн
5+	275.66 грн
10+	247.27 грн
50+	215.04 грн
100+	184.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

WNSC101200CWQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

WNSC101200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC101200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC101200CWQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

WNSC101200CWQ

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V

товар відсутній

WNSC101200Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC101200/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 1970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	520.54 грн
10+	461.03 грн
100+	358.27 грн
1000+	347.62 грн

WNSC101200Q

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

WNSC101200Q

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V

товар відсутній

WNSC101200Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 110A
Max. forward voltage: 1.4V
кількість в упаковці: 1000 шт

товар відсутній

WNSC101200Q

товар відсутній

WNSC101200WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC101200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC101200WQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

WNSC101200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC101200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 594 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	267.44 грн
10+	242.79 грн
100+	219.63 грн
500+	202.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

WNSC101200WQ

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

WNSC101200WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 110A
Max. forward voltage: 1.4V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

WNSC101200WQ

товар відсутній

WNSC10650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

товар відсутній

WNSC10650T6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

на замовлення 2926 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	268.82 грн
10+	237.41 грн
100+	169.15 грн
500+	143.84 грн
1000+	121.2 грн
3000+	116.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC10650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

товар відсутній

WNSC10650T6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; DFN8x8N; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN8x8N
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 50A
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

WNSC10650T6J

товар відсутній

WNSC10650WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 1186 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	227.64 грн
10+	201.41 грн
100+	143.18 грн
600+	121.87 грн
1200+	102.55 грн
5400+	101.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC10650WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 50A
кількість в упаковці: 1200 шт

товар відсутній

WNSC10650WQ

товар відсутній

WNSC10650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

товар відсутній

WNSC12650T6J

WNSC12650T6J SMD Schottky diodes

товар відсутній

WNSC12650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

WNSC12650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	132.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

WNSC12650TJ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A T/R

товар відсутній

WNSC12650WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 72A

товар відсутній

WNSC12650WQ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

WNSC12650WQ

товар відсутній

WNSC12650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2

на замовлення 1197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	276.62 грн
10+	239.67 грн
100+	196.4 грн
500+	156.91 грн
1000+	137.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC12650WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC12650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 508 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	186.76 грн
10+	140.44 грн
100+	106.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

WNSC12650WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC12650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 1181 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	296.79 грн
10+	261.91 грн
100+	187.13 грн
600+	159.16 грн
1200+	134.52 грн
3000+	129.19 грн
5400+	128.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC14

Calibration, Warranties, & Service Plans EcoStruxure Optimization Services

товар відсутній

WNSC16650CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	386.13 грн
10+	341.56 грн
100+	243.07 грн
480+	216.43 грн
1200+	197.12 грн
2640+	193.79 грн

WNSC16650CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 16A
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 48A
кількість в упаковці: 480 шт

товар відсутній

WNSC16650CWQ

Description: DIODE ARR SIC 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товар відсутній

WNSC16650CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC16650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 16 A, 19 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	240.55 грн
10+	182.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

WNSC16650CWQ

товар відсутній

WNSC16650CWQ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube

товар відсутній

WNSC201200CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 10A x2
Max. forward impulse current: 110A
Type of diode: Schottky rectifying

товар відсутній

WNSC201200CWQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

WNSC201200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC201200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	848.4 грн
10+	755.1 грн
100+	649.29 грн
480+	539.41 грн
1200+	504.11 грн
2640+	496.12 грн

WNSC201200CWQ

товар відсутній

WNSC201200CWQ

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

на замовлення 476 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

WNSC201200CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC201200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	646.94 грн
5+	608.09 грн
10+	569.25 грн
50+	485.58 грн
100+	408.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC201200WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC201200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 1144 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	848.4 грн
10+	755.1 грн
100+	617.99 грн
3000+	482.14 грн

WNSC201200WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 40A
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 220A
Type of diode: Schottky rectifying
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

WNSC201200WQ

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1.02nF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 1200 V

товар відсутній

WNSC201200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC201200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 52 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 52nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 576 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	646.94 грн
5+	594.65 грн
10+	542.35 грн
50+	493.21 грн
100+	446.3 грн
250+	436.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC201200WQ

товар відсутній

WNSC201200WQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

WNSC208006Q

WNSC20800/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2D0212006Q

WNSC2D021200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2D0212006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D021200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2D021200D6J

Description: WNSC2D021200D/TO252/REEL 13" Q1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 95pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200

товар відсутній

WNSC2D021200D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D021200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC2D03650MBJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 3A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

на замовлення 9816 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.77 грн
10+	87.2 грн
100+	69.38 грн
500+	55.1 грн
1000+	46.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

WNSC2D03650MBJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 3A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	49.14 грн
6000+	45.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

WNSC2D03650MBJ

WNSC2D03650MB/SMB/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC2D03650MBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D03650MB/SMB/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC2D04650DJ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 4A T/R

товар відсутній

WNSC2D04650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.28 грн
10+	66.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

WNSC2D04650DJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; DPAK; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 24A
Type of diode: Schottky rectifying

товар відсутній

WNSC2D04650DJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC2D04650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

товар відсутній

WNSC2D04650DJ

товар відсутній

WNSC2D04650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.49 грн
50+	70.3 грн
100+	55.7 грн
500+	44.31 грн
1000+	36.09 грн
2000+	33.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

WNSC2D04650Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube
Technology: SiC
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 8A
Max. forward voltage: 2.2V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 24A
Type of diode: Schottky rectifying

товар відсутній

WNSC2D04650Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2876 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.67 грн
10+	79.65 грн
100+	53.87 грн
500+	45.62 грн
1000+	37.16 грн
2000+	34.96 грн
5000+	33.3 грн

Мінімальне замовлення: 4

WNSC2D04650Q

товар відсутній

WNSC2D04650TJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; DFN8x8N; reel,tape
Technology: SiC
Case: DFN8x8N
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 24A
Type of diode: Schottky rectifying
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

WNSC2D04650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

на замовлення 10530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	97.97 грн
10+	76.86 грн
100+	59.77 грн
500+	47.55 грн
1000+	38.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

WNSC2D04650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	40.35 грн
6000+	37.01 грн
9000+	35.3 грн

Мінімальне замовлення: 3000

WNSC2D04650TJ

товар відсутній

WNSC2D04650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC2D04650TJ

Diode Schottky SiC 650V 4A 5-Pin DFN T/R

товар відсутній

WNSC2D04650XQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; tube
Technology: SiC
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 20A
Type of diode: Schottky rectifying

товар відсутній

WNSC2D04650XQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2D04650XQ

товар відсутній

WNSC2D04650XQ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

на замовлення 2942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.49 грн
10+	71.59 грн
100+	55.7 грн
500+	44.31 грн
1000+	36.09 грн
2000+	33.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

WNSC2D0512006Q

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V

товар відсутній

WNSC2D0512006Q

Silicon Carbide Diode

товар відсутній

WNSC2D0512006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2D051200D6J

Description: WNSC2D051200D/TO252/REEL 13" Q1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200

товар відсутній

WNSC2D051200D6J

Silicon Carbide Diode

товар відсутній

WNSC2D051200D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC2D051400D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051400D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC2D06650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

на замовлення 2201 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.1 грн
10+	90.32 грн
100+	71.91 грн
500+	57.1 грн
1000+	48.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

WNSC2D06650DJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; DPAK; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 36A
Type of diode: Schottky rectifying
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

WNSC2D06650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

товар відсутній

WNSC2D06650DJ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A T/R

товар відсутній

WNSC2D06650DJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC2D06650DJ

товар відсутній

WNSC2D06650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 9
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 2976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	143.43 грн
10+	129.24 грн
100+	103.84 грн
500+	79.08 грн

Мінімальне замовлення: 6

WNSC2D06650Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.3 грн
10+	107.22 грн
100+	75.25 грн
500+	63.2 грн
1000+	53.41 грн
2000+	50.74 грн
5000+	49.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

WNSC2D06650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.02 грн
10+	96.63 грн
100+	76.96 грн
500+	61.11 грн
1000+	51.85 грн
2000+	49.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

WNSC2D06650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

товар відсутній

WNSC2D06650TJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; DFN8x8N; reel,tape
Technology: SiC
Case: DFN8x8N
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 36A
Type of diode: Schottky rectifying

товар відсутній

WNSC2D06650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC2D06650TJ

товар відсутній

WNSC2D06650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

на замовлення 1974 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.94 грн
10+	103.01 грн
100+	82 грн
500+	65.12 грн
1000+	55.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

WNSC2D06650XQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Technology: SiC
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 30A
Type of diode: Schottky rectifying

товар відсутній

WNSC2D06650XQ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A Tube

товар відсутній

WNSC2D06650XQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2D06650XQ

товар відсутній

WNSC2D06650XQ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

товар відсутній

WNSC2D08650DJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D08650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC2D08650DJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 8A; DPAK; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 48A
Type of diode: Schottky rectifying
кількість в упаковці: 7500 шт

товар відсутній

WNSC2D08650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	59.87 грн

Мінімальне замовлення: 2500

WNSC2D08650DJ

товар відсутній

WNSC2D08650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

на замовлення 7478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	100.13 грн
10+	80.19 грн
100+	63.85 грн
500+	54.1 грн

Мінімальне замовлення: 3

WNSC2D08650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	159.92 грн
50+	123.43 грн
100+	101.56 грн
500+	80.64 грн
1000+	68.42 грн
2000+	65 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC2D08650Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	173.25 грн
10+	142.44 грн
100+	98.56 грн
500+	83.91 грн
1000+	69.92 грн
2000+	66.59 грн
5000+	64.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC2D08650TJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 8A; DFN8x8N; reel,tape
Technology: SiC
Case: DFN8x8N
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 48A
Type of diode: Schottky rectifying

товар відсутній

WNSC2D08650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC2D08650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

товар відсутній

WNSC2D08650TJ

товар відсутній

WNSC2D08650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

товар відсутній

WNSC2D1012006Q

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V

товар відсутній

WNSC2D1012006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2D101200BT26J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC2D101200BT26J

WNSC2D101200BT2/TO263-2L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC2D101200CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V

товар відсутній

WNSC2D101200D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC2D101200D6J

Description: WNSC2D101200D/TO252/REEL 13" Q1
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V

товар відсутній

WNSC2D101200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2D101200W6Q

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 490pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V

товар відсутній

WNSC2D101200WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 570 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	334.85 грн
10+	285.65 грн
100+	201.78 грн
250+	196.45 грн
600+	175.81 грн
1200+	151.17 грн
3000+	145.84 грн

WNSC2D101200WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.88V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 72A
Type of diode: Schottky rectifying
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

WNSC2D101200WQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

WNSC2D101200WQ

на замовлення 2333 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	303.27 грн
10+	245.42 грн
100+	198.55 грн
500+	165.63 грн
1000+	141.82 грн
2000+	133.54 грн

WNSC2D101200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D101200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 25 nC, TO-247
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-247
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kapazitive Blindleistung Qc: 25
Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 10
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 553 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	216.64 грн
10+	204.69 грн
100+	187.51 грн
500+	168.56 грн

Мінімальне замовлення: 4

WNSC2D101200WQ

товар відсутній

WNSC2D10650BJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	107.53 грн
1600+	87.86 грн
2400+	83.46 грн
5600+	75.38 грн

Мінімальне замовлення: 800

WNSC2D10650BJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; D2PAK; reel,tape
Technology: SiC
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 2.2V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 50A
Type of diode: Schottky rectifying

товар відсутній

WNSC2D10650BJ

WNSC2D10650B/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC2D10650BJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 8783 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	192.34 грн
10+	153.72 грн
100+	122.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC2D10650BJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650B/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

на замовлення 4795 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	208.99 грн
10+	170.78 грн
100+	119.2 грн
500+	100.56 грн
800+	84.57 грн
2400+	80.58 грн
4800+	77.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC2D10650BJ

товар відсутній

WNSC2D10650DJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; DPAK; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 50A
Type of diode: Schottky rectifying

товар відсутній

WNSC2D10650DJ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A T/R

товар відсутній

WNSC2D10650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	74.83 грн

Мінімальне замовлення: 2500

WNSC2D10650DJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC2D10650DJ

товар відсутній

WNSC2D10650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 7460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.06 грн
10+	100.31 грн
100+	79.82 грн
500+	67.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

WNSC2D10650Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	208.99 грн
10+	170.78 грн
100+	119.2 грн
500+	100.56 грн
1000+	84.57 грн
2000+	80.58 грн
5000+	77.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC2D10650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 2896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	226.35 грн
10+	166.59 грн
25+	150.16 грн
100+	124.17 грн
500+	96.69 грн
1000+	77.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

WNSC2D10650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	192.34 грн
10+	153.72 грн
100+	122.37 грн
500+	97.17 грн
1000+	82.45 грн
2000+	78.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC2D10650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товар відсутній

WNSC2D10650TJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; DFN8x8N; reel,tape
Technology: SiC
Case: DFN8x8N
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 50A
Type of diode: Schottky rectifying
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

WNSC2D10650TJ

товар відсутній

WNSC2D10650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC2D10650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	177.93 грн
10+	143.94 грн
100+	116.45 грн
500+	97.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC2D10650WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 962 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	193.45 грн
10+	160.06 грн
100+	112.54 грн
250+	106.55 грн
600+	100.56 грн
1200+	85.24 грн
3000+	80.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC2D10650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 1151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	177.93 грн
10+	143.94 грн
100+	116.45 грн
500+	97.14 грн
1000+	83.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC2D10650XQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220FP-2; tube
Technology: SiC
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 50A
Type of diode: Schottky rectifying

товар відсутній

WNSC2D10650XQ

товар відсутній

WNSC2D10650XQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2D10650XQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товар відсутній

WNSC2D12650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	226.19 грн
10+	182.79 грн
100+	147.89 грн
500+	123.37 грн
1000+	105.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC2D12650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D12650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC2D12650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

товар відсутній

WNSC2D151200BT26J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D151200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC2D151200BT26J

WNSC2D151200BT2/TO263-2L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC2D151200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D151200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2D151200W6Q

Description: WNSC2D151200W/TO247-2L/STANDARD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V

товар відсутній

WNSC2D151200WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D151200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	444.4 грн
10+	368.36 грн
100+	259.71 грн
250+	244.4 грн
600+	230.41 грн
1200+	197.12 грн
3000+	185.8 грн

WNSC2D151200WQ

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V

на замовлення 4589 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	404.12 грн
10+	333.94 грн
100+	278.25 грн
500+	230.41 грн
1000+	207.37 грн
2000+	194.31 грн

WNSC2D151200WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.95V
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 102A
Type of diode: Schottky rectifying
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

WNSC2D151200WQ

товар відсутній

WNSC2D151200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D151200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 15 A, 35 nC, TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 35
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-247
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 596 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	479.6 грн
10+	438.51 грн
100+	366.05 грн
500+	310.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC2D16650CJQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D16650CJ/TO3PF/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2396 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	323.98 грн
10+	276.46 грн
100+	195.79 грн
250+	190.46 грн
480+	169.81 грн
960+	145.84 грн
2880+	141.84 грн

WNSC2D16650CJQ

Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

на замовлення 2369 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	293.91 грн
10+	237.52 грн
100+	192.14 грн
500+	160.29 грн
1000+	137.24 грн
2000+	129.23 грн

WNSC2D16650CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 484 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	295.23 грн
10+	245.06 грн
100+	172.48 грн
240+	162.49 грн
480+	156.49 грн
1200+	140.51 грн
2640+	136.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC2D16650CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 16A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 8A x2
Max. forward impulse current: 48A
Type of diode: Schottky rectifying

товар відсутній

WNSC2D16650CWQ

Description: DIODE ARR SIC 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

товар відсутній

WNSC2D16650CWQ

товар відсутній

WNSC2D2012006Q

Description: WNSC2D201200/SOD59A/STANDARD MAR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 950pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V

товар відсутній

WNSC2D2012006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2D201200BT26J

WNSC2D201200BT2/TO263-2L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC2D201200BT26J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC2D201200CW6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200CW/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

товар відсутній

WNSC2D201200CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V

товар відсутній

WNSC2D201200CWQ

Description: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V

товар відсутній

WNSC2D201200CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 25 nC, TO-247
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1.2
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-247
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kapazitive Blindleistung Qc: 25
Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 20
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 208 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	449.72 грн
5+	424.32 грн
10+	388.46 грн
50+	350.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC2D201200CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 72A
кількість в упаковці: 480 шт

товар відсутній

WNSC2D201200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2D201200CWQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube

товар відсутній

WNSC2D201200CWQ

товар відсутній

WNSC2D201200W-B6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W-B/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2D201200W6Q

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

товар відсутній

WNSC2D201200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2D201200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 39 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 39nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 596 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	463.17 грн
5+	416.85 грн
10+	355.59 грн
50+	296.2 грн
100+	249.73 грн
250+	231.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC2D201200WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 125A
Max. forward voltage: 2.1V
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

WNSC2D201200WQ

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

на замовлення 2248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	545.31 грн
10+	450.06 грн
100+	375.04 грн
600+	310.55 грн
1200+	279.5 грн

WNSC2D201200WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2D201200WQ

товар відсутній

WNSC2D20650CJQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D20650CJ/TO3PF/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	386.91 грн
10+	320.88 грн
100+	225.75 грн
250+	213.77 грн
480+	185.8 грн
960+	177.8 грн
2880+	172.48 грн

WNSC2D20650CJQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; SOT1293,TO3PF
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT1293; TO3PF
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 50A
Max. forward voltage: 1.8V

товар відсутній

WNSC2D20650CJQ

Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO3PF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

WNSC2D20650CJQ

товар відсутній

WNSC2D20650CJQ

Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO3PF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

480+	214.99 грн
960+	177.27 грн
2400+	166.91 грн

Мінімальне замовлення: 480

WNSC2D20650CWQ

Description: DIODE ARR SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	334.25 грн
30+	255.41 грн
120+	218.93 грн

WNSC2D20650CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 480 шт

товар відсутній

WNSC2D20650CWQ

WNSC2D20650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2D20650CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D20650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 1431 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	368.26 грн
10+	314.75 грн
100+	223.09 грн
240+	215.76 грн
480+	187.79 грн
1200+	173.81 грн
5040+	168.48 грн

WNSC2D20650CWQ

товар відсутній

WNSC2D301200CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 1200V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V

товар відсутній

WNSC2D301200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2D301200CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 30A
Load current: 15A x2
Max. forward impulse current: 102A
Type of diode: Schottky rectifying

товар відсутній

WNSC2D301200CWQ

Description: DUAL SILICON CARBIDE SCHOTTKY DI

на замовлення 596 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	742.69 грн
10+	645.96 грн
100+	534.77 грн
500+	437.02 грн

WNSC2D301200CWQ

товар відсутній

WNSC2D301200W6Q

Silicon Carbide Diode

товар відсутній

WNSC2D301200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2D301200W6Q

Description: WNSC2D301200W/TO247-2L/STANDARD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1407pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1.2 kV

товар відсутній

WNSC2D30650CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D30650CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2D30650CWQ

Description: DIODE ARR SIC 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 2697 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	447.35 грн
30+	344.18 грн
120+	307.95 грн
510+	255 грн
1020+	229.5 грн
2010+	215.05 грн

WNSC2D30650WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2D30650WQ

Description: SILICON CARBIDE SCHOTTKY DI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 980pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V

на замовлення 1025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	427.18 грн
30+	328.2 грн
120+	293.65 грн
510+	243.16 грн
1020+	218.84 грн

WNSC2D30650WQ

WNSC2D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2D30650WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D30650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 48 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 48nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 548 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	461.67 грн
10+	404.15 грн
100+	334.68 грн
500+	278.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC2D401200CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 1200V 40A TO247-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 2000 V

товар відсутній

WNSC2D401200CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 40A
Load current: 20A x2
Max. forward impulse current: 125A
Type of diode: Schottky rectifying
кількість в упаковці: 600 шт

товар відсутній

WNSC2D401200CWQ

товар відсутній

WNSC2D401200W6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 80A
Max. forward voltage: 2.5V
Load current: 40A
Max. forward impulse current: 350A
Type of diode: Schottky rectifying
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

WNSC2D401200W6Q

WNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2D401200W6Q

Description: WNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2068pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

товар відсутній

WNSC2D401200W6Q

товар відсутній

WNSC2D401200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2D501200W6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 100A
Max. forward voltage: 2.5V
Load current: 50A
Max. forward impulse current: 420A
Type of diode: Schottky rectifying

товар відсутній

WNSC2D501200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D501200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2D501200W6Q

товар відсутній

WNSC2M12120R6Q

WNSC2M12120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2M150120B76J

WNSC2M150120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC2M150120R6Q

WNSC2M150120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2M150120W6Q

WNSC2M150120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2M1K0170B7J

WNSC2M1K0170B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC2M1K0170B7J

MOSFET WNSC2M1K0170B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC2M1K0170WQ

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 20A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 79W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

WNSC2M1K0170WQ

MOSFET WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2M1K0170WQ

товар відсутній

WNSC2M1K0170WQ

WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 3840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	207.44 грн

Мінімальне замовлення: 240

WNSC2M1K0170WQ

Description: WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MAR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 18V
Power Dissipation (Max): 79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 1000 V

товар відсутній

WNSC2M20120R6Q

MOSFET WNSC2M20120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2M20120R6Q

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 94A; Idm: 200A; 750W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 94A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -12...22V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товар відсутній

WNSC2M20120R6Q

WNSC2M20120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2M20120R6Q

товар відсутній

WNSC2M30120B76J

WNSC2M30120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC2M30120R6Q

WNSC2M30120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2M40120B76J

WNSC2M40120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC2M40120R6Q

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 100A; 405W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -12...22V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

WNSC2M40120R6Q

MOSFET WNSC2M40120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2M40120R6Q

WNSC2M40120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2M40120R6Q

товар відсутній

WNSC2M40120W6Q

MOSFET WNSC2M40120W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC2M60120B76J

WNSC2M60120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC2M75120B76J

WeEn Semiconductors N-Channel Silicon Carbide MOSFET

товар відсутній

WNSC2M75120B76J

WNSC2M75120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC2M75120W6Q

WeEn Semiconductors N-Channel Silicon Carbide MOSFET

товар відсутній

WNSC401200CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A x2
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
кількість в упаковці: 480 шт

товар відсутній

WNSC401200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC401200CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC401200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 40 A, 86 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 86nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

на замовлення 104 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1367.84 грн
5+	1116.08 грн
10+	950.24 грн
50+	842.82 грн
100+	724.2 грн

WNSC401200CWQ

товар відсутній

WNSC401200CWQ

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 810pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

товар відсутній

WNSC5D046506Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 28A
Max. forward voltage: 2.2V

товар відсутній

WNSC5D046506Q

товар відсутній

WNSC5D046506Q

WeEn Semiconductors WNSC5D04650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC5D04650D6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; DPAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 26A
Max. forward voltage: 2.2V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

WNSC5D04650D6J

WNSC5D04650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC5D04650D6J

товар відсутній

WNSC5D06650T6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; DFN8x8N; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Max. load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.2V
Case: DFN8x8N
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 36A

товар відсутній

WNSC5D06650T6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; DFN8x8N; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Max. load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.2V
Case: DFN8x8N
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 36A
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

WNSC5D06650X6Q

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 201pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

товар відсутній

WNSC5D06650X6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D06650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC5D086506Q

WNSC5D08650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC5D106506Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D10650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC5D10650D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D10650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC5D10650D6J

WNSC5D10650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC5D126506Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 420pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

товар відсутній

WNSC5D126506Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D12650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC5D16650CW6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC5D206506Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 640pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V

товар відсутній

WNSC5D20650CJ6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D20650CJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC5D20650W6Q

WNSC5D20650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC5D20650X6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 40A
Max. forward voltage: 2.2V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO220FP-2
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

WNSC5D20650X6Q

товар відсутній

WNSC5D208006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D20800/SOD59A/STANDARD MARKING HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC5D30650CW6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D30650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC5D30650CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 650V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товар відсутній

WNSC5D30650W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC5RACK

Struxure Ware 5 Rack Installation Service

товар відсутній

WNSC6D01650MBJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

на замовлення 8980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.05 грн
10+	86.36 грн
100+	68.74 грн
500+	54.58 грн
1000+	46.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

WNSC6D01650MBJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	48.69 грн
6000+	45.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

WNSC6D01650MBJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 1A; SMB; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 1A
Max. load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.4V
Case: SMB
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 18A

товар відсутній

WNSC6D01650MBJ

WNSC6D01650MB/SMB/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC6D01650MBJ

товар відсутній

WNSC6D046506Q

товар відсутній

WNSC6D046506Q

товар відсутній

WNSC6D04650Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 30A
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

WNSC6D04650Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2927 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.97 грн
10+	106.45 грн
100+	73.92 грн
500+	66.59 грн
1000+	56.87 грн
5000+	51.41 грн
10000+	50.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

WNSC6D04650Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 30A

товар відсутній

WNSC6D06650D6J

WNSC6D06650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC6D06650Q

WNSC6D06650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC6D06650Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D06650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 9066 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	177.92 грн
10+	146.27 грн
100+	101.22 грн
500+	92.57 грн
1000+	77.91 грн
10000+	69.26 грн
25000+	67.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC6D06650Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 46A

товар відсутній

WNSC6D06650Q

товар відсутній

WNSC6D06650T6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; DFN8x8N; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Max. load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.55V
Case: DFN8x8N
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 45A
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

WNSC6D06650T6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; DFN8x8N; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Max. load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.55V
Case: DFN8x8N
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 45A

товар відсутній

WNSC6D08650D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D08650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC6D08650Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2927 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	205.11 грн
10+	170.01 грн
100+	119.2 грн
250+	118.54 грн
1000+	100.56 грн
5000+	89.24 грн
10000+	87.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC6D08650Q

WNSC6D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC6D08650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	237.56 грн
10+	189 грн
100+	155.38 грн
500+	122.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

WNSC6D08650Q

WNSC6D08650Q THT Schottky diodes

товар відсутній

WNSC6D10650B6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 80A
Max. forward voltage: 1.65V

товар відсутній

WNSC6D10650B6J

товар відсутній

WNSC6D10650BT2-A6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D10650BT2-A/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC6D10650D6J

WNSC6D10650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC6D10650Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 75A

товар відсутній

WNSC6D10650Q

товар відсутній

WNSC6D10650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D10650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

на замовлення 848 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	268.19 грн
10+	214.4 грн
100+	175.56 грн
500+	138.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

WNSC6D10650Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2639 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	235.41 грн
10+	200.65 грн
100+	142.51 грн
250+	137.85 грн
500+	123.86 грн
1000+	103.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC6D10650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	213.23 грн
10+	172.73 грн
100+	139.74 грн
500+	116.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC6D10650Q

WNSC6D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC6D166506Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D166506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	272.67 грн
10+	244.28 грн
100+	211.41 грн
500+	183.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

WNSC6D166506Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D16650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC6D166506Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

на замовлення 2976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	278.06 грн
50+	211.95 грн
100+	181.67 грн
500+	151.54 грн
1000+	129.76 грн
2000+	122.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC6D16650B6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

на замовлення 4720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	284.54 грн
10+	230.37 грн
100+	186.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

WNSC6D16650B6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	171.99 грн
1600+	141.81 грн
2400+	133.53 грн

Мінімальне замовлення: 800

WNSC6D16650CW6Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	297.51 грн
30+	226.88 грн
120+	194.47 грн
510+	162.23 грн
1020+	138.91 грн
2010+	130.8 грн

WNSC6D16650CW6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO247-3; tube
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 32A
Max. forward voltage: 1.65V
Load current: 16A
Max. forward impulse current: 110A

товар відсутній

WNSC6D16650CW6Q

товар відсутній

WNSC6D20650B6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

на замовлення 5108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	337.85 грн
10+	272.83 грн
100+	220.68 грн

WNSC6D20650B6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 20A; D2PAK; reel,tape
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 40A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: D2PAK

товар відсутній

WNSC6D20650B6J

товар відсутній

WNSC6D20650B6J

WNSC6D20650B/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товар відсутній

WNSC6D20650B6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	203.71 грн
1600+	167.96 грн
2400+	158.16 грн

Мінімальне замовлення: 800

WNSC6D20650CJ6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D20650CJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC6D20650CW-A6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D20650CW-A/SOT429/STANDARD MARKING HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC6D20650CW6Q

Description: DUAL SILICON CARBIDE SCHOTTKY DI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	346.49 грн
10+	279.97 грн
100+	226.49 грн

WNSC6D20650W6Q

WNSC6D20650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC6D20650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V

на замовлення 526 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	430.78 грн
10+	374.59 грн
100+	310.12 грн
500+	253.43 грн

WNSC6D20650WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 155A

товар відсутній

WNSC6D20650WQ

товар відсутній

WNSC6D20650X6Q

WeEn Semiconductors Silicon Carbide Diode

товар відсутній

WNSC6D30650CW-A6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D30650CW-A/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC6D30650CW6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D30650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSC6D30650W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSCESREALRM

Schneider Electric Ecostruxure IT Expert Remote Alarm Service

товар відсутній

WNSCESREALRT

Schneider Electric Ecostruxure IT Expert Remote Alerting Service

товар відсутній

WNSCESREBASE

Schneider Electric Ecostruxure IT Expert Remote Base Service

товар відсутній

WNSCESREBMS

Schneider Electric Ecostruxure IT Expert Remote BMS Integration Service

товар відсутній

WNSCESREDAY

Schneider Electric Ecostruxure IT Expert Remote Daily Labor Service

товар відсутній

WNSCESREMIG

Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote DCE-ITE Migration Service

товар відсутній

WNSCESRETRAIN

Schneider Electric Ecostruxure IT Expert Remote Training Service

товар відсутній

WNSCESREVS

Schneider Electric Ecostruxure IT Expert Remote Virtual Sensor Service

товар відсутній

WNSCESSUCORE

Calibration, Warranties, & Service Plans EcoStruxure IT Expert Onboarding Service

товар відсутній

WNSCM160120W6Q

MOSFET WNSCM160120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSCM160120W6Q

WNSCM160120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSCM160120WQ

Description: WNSCM160120W/TO-247/STANDARD MAR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 155W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 736 pF @ 1000 V

товар відсутній

WNSCM160120WQ

MOSFET WNSCM160120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSCM160120WQ

WNSCM160120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSCM80120R6Q

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 32A; Idm: 81A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 81A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товар відсутній

WNSCM80120R6Q

товар відсутній

WNSCM80120R6Q

MOSFET WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSCM80120R6Q

WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSCM80120RQ

MOSFET WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSCM80120RQ

WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSCM80120RQ

Description: WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 270W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V

товар відсутній

WNSCM80120W6Q

N-Channel Silicon Carbide MOSFET

товар відсутній

WNSCM80120W6Q

WeEn Semiconductors WNSCM80120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSCM80120WQ

Description: WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 230W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V

товар відсутній

WNSCM80120WQ

MOSFET WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSCM80120WQ

WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товар відсутній

WNSCRCAPADM