06N06L Goford Semiconductor
Виробник: Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 5.5A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 30 V
на замовлення 297000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.14 грн |
| 15000+ | 3.67 грн |
| 30000+ | 3.29 грн |
| 48000+ | 2.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 06N06L Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 5.5A SOT-23-3L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3L, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 30 V.
Інші пропозиції 06N06L за ціною від 4.04 грн до 24.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
06N06L | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: N60V,RD(MAX)<42M@10V,RD(MAX)<46M Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3L Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 30 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
06N06L | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: N60V,RD(MAX)<42M@10V,RD(MAX)<46M Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3L Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 30 V |
на замовлення 12963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| 06N06L | Виробник : GOFORD Semiconductor |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|