12N65 LGE
Виробник: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 12A; 0,54Ohm; 33.2W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65; LNF12N65; PTF12N65; SLF12N65C; CEF12N65; RS12N65F; AOTF12N65; BRFL12N65; SMF12N65; LNDN12N65;
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 12A; 0,54Ohm; 33.2W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65; LNF12N65; PTF12N65; SLF12N65C; CEF12N65; RS12N65F; AOTF12N65; BRFL12N65; SMF12N65; LNDN12N65;
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 26.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 12N65 LGE
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 33.2W; TO220F, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 12A, Power dissipation: 33.2W, Case: TO220F, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.54Ω, Mounting: THT, Gate charge: 50.5nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції 12N65
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
12N65 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 33.2W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 12A Power dissipation: 33.2W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 50.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
12N65 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 33.2W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 12A Power dissipation: 33.2W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 50.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |