Технічний опис 1N5557 Microchip Technology
Category: Unidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 1.5kW; 54V; 19A; unidirectional; DO13, Mounting: THT, Case: DO13, Semiconductor structure: unidirectional, Max. forward impulse current: 19A, Breakdown voltage: 54V, Leakage current: 5µA, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 1.5kW, Max. off-state voltage: 49V, кількість в упаковці: 100 шт.
Інші пропозиції 1N5557
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5557 | Виробник : Microchip Technology |
 TVS Diode Single Uni-Dir 49V 1.5KW 2-Pin DO-13 Bag |
товар відсутній |
|
| 1N5557 | Виробник : Sensitron Semiconductors |
Diode TVS Single Uni-Dir 49V 1.5KW 2-Pin DO-13 |
товар відсутній |
||
 |
1N5557 | Виробник : Microchip Technology |
Diode TVS Single Uni-Dir 49V 1.5KW 2-Pin DO-13 Bag |
товар відсутній |
|
| 1N5557 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Unidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 1.5kW; 54V; 19A; unidirectional; DO13 Mounting: THT Case: DO13 Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 19A Breakdown voltage: 54V Leakage current: 5µA Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 49V кількість в упаковці: 100 шт |
товар відсутній |
||
| 1N5557 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Unidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 1.5kW; 54V; 19A; unidirectional; DO13 Mounting: THT Case: DO13 Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 19A Breakdown voltage: 54V Leakage current: 5µA Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 49V |
товар відсутній |