2N5192G ON Semiconductor
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 225+ | 52.15 грн |
| 275+ | 42.61 грн |
| 500+ | 30.31 грн |
| 1000+ | 26.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5192G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N5192G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: 2NXXXX, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2N5192G за ціною від 23.15 грн до 101.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N5192G | Виробник : onsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2N5192G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N5192G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W |
на замовлення 1704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N5192G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5192G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N5192G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 40W; TO225 Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 7...100 Collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 40W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Mounting: THT Case: TO225 Frequency: 2MHz |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2N5192G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 40W; TO225 Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 7...100 Collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 40W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Mounting: THT Case: TO225 Frequency: 2MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N5192G Код товару: 178450 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
|
|
2N5192G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
2N5192G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
2N5192G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |