2N6027 PBFREE Central Semiconductor
на замовлення 50113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 149.95 грн |
| 10+ | 127.89 грн |
| 100+ | 93.9 грн |
| 250+ | 87.24 грн |
| 500+ | 81.91 грн |
| 1000+ | 79.25 грн |
| 2500+ | 66.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N6027 PBFREE Central Semiconductor
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Voltage - Output: 6V, Voltage: 40V, Current - Peak: 2 µA, Voltage - Offset (Vt): 1.6 V, Current - Valley (Iv): 50 µA, Part Status: Active, Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA, Power Dissipation (Max): 300 mW.
Інші пропозиції 2N6027 PBFREE
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N6027 PBFREE | Виробник : Central Semiconductor |
 Thyristor Diode PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 |
товар відсутній |
|
|
|
2N6027 PBFREE | Виробник : Central Semiconductor |
Thyristor Diode PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 |
товар відсутній |
|
,TO-226_straightlead.jpg "2N6027 PBFREE") |
2N6027 PBFREE | Виробник : Central Semiconductor Corp |
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Voltage - Output: 6V Voltage: 40V Current - Peak: 2 µA Voltage - Offset (Vt): 1.6 V Current - Valley (Iv): 50 µA Part Status: Active Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW |
товар відсутній |