2N6028 PBFREE Central Semiconductor
на замовлення 9439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 177.92 грн |
| 10+ | 146.27 грн |
| 100+ | 101.22 грн |
| 250+ | 93.23 грн |
| 500+ | 84.57 грн |
| 1000+ | 72.59 грн |
| 2500+ | 70.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N6028 PBFREE Central Semiconductor
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Voltage - Output: 6V, Voltage: 40V, Current - Peak: 150 nA, Voltage - Offset (Vt): 600 mV, Current - Valley (Iv): 25 µA, Part Status: Active, Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA, Power Dissipation (Max): 300 mW.
Інші пропозиції 2N6028 PBFREE
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N6028 PBFREE | Виробник : Central Semiconductor |
 Thyristor PUT 40V 5A |
товар відсутній |
|
|
|
2N6028 PBFREE | Виробник : Central Semiconductor |
Thyristor PUT 40V 5A |
товар відсутній |
|
 |
2N6028 PBFREE | Виробник : Central Semiconductor Corp |
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Voltage - Output: 6V Voltage: 40V Current - Peak: 150 nA Voltage - Offset (Vt): 600 mV Current - Valley (Iv): 25 µA Part Status: Active Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW |
товар відсутній |