Технічний опис 2N6189 Microchip Technology
Description: POWER BJT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud, Mounting Type: Stud Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 100µA, 2mA, Supplier Device Package: TO-59, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 60 W.
Інші пропозиції 2N6189
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N6189 | Виробник : Microchip Technology |
Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 100µA, 2mA Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 60 W |
товар відсутній |
||
| 2N6189 | Виробник : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товар відсутній |