Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N7000TA
2N7000TA

2N7000TA ON Semiconductor

2n7000ta-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
621+18.87 грн
987+ 11.86 грн
1005+ 11.65 грн
1083+ 10.43 грн
1596+ 6.55 грн
3000+ 5.21 грн
Мінімальне замовлення: 621
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7000TA ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N7000TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції 2N7000TA за ціною від 4.84 грн до 28.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N7000TA 2N7000TA Виробник : onsemi ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.83 грн
16+ 17.8 грн
100+ 10.65 грн
500+ 9.26 грн
1000+ 6.3 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N7000TA 2N7000TA Виробник : ON Semiconductor 2n7000ta-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+25.16 грн
31+ 19.02 грн
34+ 17.52 грн
100+ 10.62 грн
250+ 9.66 грн
500+ 8.61 грн
1000+ 5.84 грн
3000+ 4.84 грн
Мінімальне замовлення: 24
2N7000TA 2N7000TA Виробник : onsemi / Fairchild NDS7002A_D-1522662.pdf MOSFET 60V N-Channel Sm Sig
на замовлення 2858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.09 грн
16+ 19.5 грн
100+ 9.41 грн
1000+ 6.68 грн
2000+ 5.81 грн
10000+ 5.47 грн
24000+ 5.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7000TA 2N7000TA Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0007309853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7000TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+28.01 грн
35+ 21.49 грн
100+ 10.86 грн
500+ 6.68 грн
2000+ 5.97 грн
Мінімальне замовлення: 27
2N7000TA+
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N7000TA 2N7000TA Виробник : ON Semiconductor 2n7000ta-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000TA 2N7000TA Виробник : ON Semiconductor 2n7000ta-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N7000TA 2N7000TA Виробник : ONSEMI 2N7000TA.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2N7000TA 2N7000TA Виробник : onsemi ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2N7000-TA Виробник : Vishay Vishay USE 2N7000KL-TR1
товар відсутній
2N7000TA 2N7000TA Виробник : ONSEMI 2N7000TA.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
товар відсутній