2N7000 CJ
Код товару: 200238
Виробник: CJКорпус: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
Монтаж: THT
у наявності 1253 шт:
1019 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
153 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 3 грн |
10+ | 2.5 грн |
100+ | 2.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни 2N7000 CJ
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N7000 Код товару: 182880 |
Виробник : ST |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-92 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,32 A Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4 Монтаж: THT |
у наявності: 1 шт
|
|
Інші пропозиції 2N7000 за ціною від 1.96 грн до 62.4 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N7000 Код товару: 182880 |
Виробник : ST |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-92 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,32 A Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4 Монтаж: THT |
у наявності: 1 шт
|
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Diotec Electronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 34310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
на замовлення 136000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Diotec Electronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
на замовлення 5015 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhanced |
на замовлення 34310 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5015 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 34310 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 3450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 3450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 3432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 1740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Diotec Electronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 1740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor | MOSFET MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N |
на замовлення 7776 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
на замовлення 138839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 18901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 200mA, 5 ohm |
на замовлення 36432 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : LGE |
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 6870 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : LGE |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : DIOTEC |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 2N7000-DIO 2N7000 DIOTEC T2N7000 DIOTEC кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Fairchild Semiconductor | Транз. Пол. MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92 |
на замовлення 311 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : NTE Electronics, Inc. | N-Ch, Enhancement Mode Field Effect Transistor |
на замовлення 4300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 200 мА; Ptot, Вт = 0,4; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА; TO-92-3 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : LGE | Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
2N7000 Код товару: 20638 |
Виробник : NXP |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 0,3 A Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 60/- Монтаж: THT |
очікується:
2000 шт
|
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 400mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Spannung Vds: 60V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET 60V 0.2A 0.4W |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Microchip Technology | MOSFET 60V 5Ohm |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 60 Volt 0.35 A |
товар відсутній |
З цим товаром купують
1N4007 Код товару: 176822 |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 36186 шт
очікується:
1000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 1 грн |
10+ | 0.6 грн |
100+ | 0.5 грн |
10 Ohm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10R-Hitano) Код товару: 11065 |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 5839 шт
очікується:
10000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 0.7 грн |
100+ | 0.55 грн |
1000+ | 0.4 грн |
1nF 50V Y5P K(+/-10%) D<=5mm (HB1H102K-L515B) Код товару: 6360 |
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Дискові керамічні конденсатори
Ємність: 1 nF
Номін.напруга: 50 V
ТКЕ: Y5P
Точність: ±10% K
Габарити: D<=5mm
Part Number: HB1H102K-L515B
Керамічні конденсатори вивідні > Дискові керамічні конденсатори
Ємність: 1 nF
Номін.напруга: 50 V
ТКЕ: Y5P
Точність: ±10% K
Габарити: D<=5mm
Part Number: HB1H102K-L515B
у наявності: 7766 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 0.7 грн |
100+ | 0.5 грн |
1000+ | 0.3 грн |
IRFZ24NPBF Код товару: 4381 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
Монтаж: THT
у наявності: 1008 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 15 грн |
10+ | 13.5 грн |
100+ | 12.2 грн |
1000+ | 10.9 грн |
1N5408 Код товару: 2135 |
Виробник: YJ/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: ВипрямнийVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: ВипрямнийVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
у наявності: 11325 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 3 грн |
10+ | 2.1 грн |
100+ | 1.9 грн |
1000+ | 1.8 грн |