Продукція > NEXPERIA > 2PB710ASL-QR
2PB710ASL-QR

2PB710ASL-QR NEXPERIA


3671501.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2PB710ASL-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 170hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 170hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+6.45 грн
1000+ 4.1 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2PB710ASL-QR NEXPERIA

Description: NEXPERIA - 2PB710ASL-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 170hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 170hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 250mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 500mA, Übergangsfrequenz: 140MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції 2PB710ASL-QR за ціною від 4.1 грн до 27.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2PB710ASL-QR 2PB710ASL-QR Виробник : NEXPERIA 3671501.pdf Description: NEXPERIA - 2PB710ASL-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 170hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 170hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+27.49 грн
34+ 22.47 грн
100+ 10.86 грн
500+ 6.45 грн
1000+ 4.1 грн
Мінімальне замовлення: 28
2PB710ASL-QR 2PB710ASL-QR Виробник : Nexperia USA Inc. 2PB710ASL-Q.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
товар відсутній
2PB710ASL-QR 2PB710ASL-QR Виробник : Nexperia 2PB710ASL_Q-2891104.pdf Bipolar Transistors - BJT 2PB710ASL-Q/SOT23/TO-236AB
товар відсутній