30KP168CA MDE Semiconductor Inc
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1288.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 30KP168CA MDE Semiconductor Inc
Category: Bidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 187.7V; 111.2A; bidirectional; R6; 30kW; bulk, Case: R6, Type of diode: TVS, Semiconductor structure: bidirectional, Mounting: THT, Kind of package: bulk, Features of semiconductor devices: glass passivated, Max. forward impulse current: 111.2A, Peak pulse power dissipation: 30kW, Max. off-state voltage: 168V, Breakdown voltage: 187.7V, Leakage current: 10µA.
Інші пропозиції 30KP168CA
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
30KP168CA | Виробник : CDIL |
Category: Bidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 187.7V; 111.2A; bidirectional; R6; 30kW; bulk Case: R6 Type of diode: TVS Semiconductor structure: bidirectional Mounting: THT Kind of package: bulk Features of semiconductor devices: glass passivated Max. forward impulse current: 111.2A Peak pulse power dissipation: 30kW Max. off-state voltage: 168V Breakdown voltage: 187.7V Leakage current: 10µA |
товар відсутній |
||
30KP168CA | Виробник : CDIL |
Category: Bidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 187.7V; 111.2A; bidirectional; R6; 30kW; bulk Case: R6 Type of diode: TVS Semiconductor structure: bidirectional Mounting: THT Kind of package: bulk Features of semiconductor devices: glass passivated Max. forward impulse current: 111.2A Peak pulse power dissipation: 30kW Max. off-state voltage: 168V Breakdown voltage: 187.7V Leakage current: 10µA |
товар відсутній |